Атом - кристаллическая решетка
Cтраница 2
 |
Спектральные линии твердых тел, активные в комбинационном рассеянии света. [16] |
С увеличением массы атомов кристаллической решетки энергия оптических фононов и сдвиг частоты при КР уменьшается. Элементарные полупроводники с ковалентной связью между атомами имеют одну активную линию первого порядка. По мере усложнения кристаллической структуры увеличивается количество линий. [17]
 |
Вблизи О К теплоемкость электронного газа выше теплоемкости решетки.| Зависимость потенциальной энергии от смещения. Учтен только гармонический член. [18] |
При рассмотрении колебаний атомов кристаллической решетки, а также теплоемкости твердых тел, связанной с этими колебаниями, предполагалось, что силы, действующие между атомами, упругие и атомы совершают гармонические колебания с малыми амплитудами около их средних положений равновесия. Это позволило разделить весь спектр колебаний на независимые моды, рассчитать в этом приближении тепловую энергию кристалла и получить формулу для теплоемкости, хорошо описывающую ее поведение при низких и высоких температурах. [19]
Приблизительно таково поведение атомов кристаллической решетки материала под нагрузкой в случаях упругой и пластической деформаций. [20]
Так как равновесному положению атомов кристаллической решетки соответствует безнагрузочное состояние образцов, то минимум на этой кривой находится в начале координат. Аналогичное смещение потенциалов образцов в положительную сторону наблюдается также и при постоянной катодной поляризации, равной - 15 ма. [21]
Возможно, что диссоциация атомов кристаллической решетки ( цинкит, как известно, обладает чисто электронной проводимостью) активного места контакта происходит под действием не только чисто тепловых 7 процессов, но и электрических сил при большом градиенте потенциала. [22]
На зонной модели ионизация атома кристаллической решетки соответствует переходу электрона из валентной зоны в зону проводимости. [23]
Необходимо, чтобы энергия атомов кристаллической решетки достигла определенного уровня, который можно назвать энергетическим порогом схватывания. При этом направленность кристаллических связей теряет определяющее значение и тогда происходит соединение - схватывание ( физическая граница раздела тел пропадает) - с освобождением соответствующей поверхностной энергии. [24]
Массы т соответствуют массам атомов одномерной кристаллической решетки, а пружины - силам взаимодействия между атомами. Смещения масс происходят вдоль цепочки. [25]
 |
Эквивалентная схема для расчета токов транзисторов. [26] |
Когда носители сталкиваются с атомами кристаллической решетки, освобождается энергия, достаточная для генерации других пар электрон - дырка, которые в свою очередь ускоряются сильным электрическим полем и могут столкнуться с другими атомами, генерируя еще больше пар электрон - дырка. [27]
Атомная связь возникает между атомами кристаллической решетки в результате особого квантовомеханического эффекта, называемого обменным эффектом. Обменные силы являются результатом взаимодействия атомов, которое приводит к обобщению их электронов, к обмену электронами. [28]
В том случае, когда атомы кристаллической решетки заменяются примесными, и ( т - RJ) можно считать разностью между примесным потенциалом и потенциалом идеальной решетки. [29]
На чистой обнаженной поверхности тела атомы кристаллической решетки легко вступают в соединение с окружающими элементами. Это приводит к образованию на поверхности металла чрезвычайно прочных, невидимых простым глазом пленок окислов и различных веществ, содержащихся в окружающей среде. Наличие их резко изменяет величину коэффициента трения. [30]
Страницы: 1 2 3 4