Атом - кристаллическая решетка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Русский человек на голодный желудок думать не может, а на сытый – не хочет. Законы Мерфи (еще...)

Атом - кристаллическая решетка

Cтраница 3


При очередном соударении электрона с атомом кристаллической решетки электрон отдает кристаллической решетке накопленную на длине свободного пробега энергию, возвращаясь на один из низко лежащих энергетических уровней в разрешенной зоне.  [31]

Бомбардирующая частица при столкновении с атомом кристаллической решетки передает ему кинетическую энергия. От величины этой энергии, а также от энергии сцепления атома с соседями, сгеричес-ких условий упаковки и энергетического типа решетки зависит, окажется ли этот атом смещенным из узла решетки, на какое расстояние и будет ли это смещение необратимым при температуре облучения образца.  [32]

При очередном соударении электрона с атомом кристаллической решетки электрон отдает кристаллической решетке накопленную на длине свободного пробега энергию, возвращаясь на один из низко лежащих энергетических уровней в разрешенной зоне.  [33]

34 Схематическое изображение прибора, использованного Андрю и сотр. [34]

Можно понять и объяснить тепловые движения атомов кристаллической решетки, в которую входят ядра, дающие спектры ЯМР, если мы наряду с измерением формы и положения линии поглощения измерим еще одну характеристику, известную как время спин-решеточной релаксации. Прежде чем уяснить, что скрывается за этим термином, необходимо рассмотреть, что происходит при непрерывном поглощении электромагнитной энергии во время проведения исследований спектров ЯМР. При поглощении будет наблюдаться тенденция, приводящая в конце концов к равной заселенности энергетических уровней, что повышает эффективную температуру ядерного ансамбля и приводит к условиям, известным под термином насыщение. Однако этой тенденции выравнивания противодействуют взаимодействия между атомами кристаллической решетки, испытывающими тепловые движения, и самими резонирующими ядрами. Эти взаимодействия приводят температуру ядерного ансамбля к температуре решетки и поддерживают соответствующую разность в заселенности энергетических уровней. Когда ядерному ансамблю, достигшему насыщения, дают возможность вернуться к равновесию с кристаллической решеткой, этот процесс протекает строго экспоненциально, и временная константа и является по определению временем спин-решеточной релаксации. Практически время релаксации может изменяться от 10 - 3 до 105 сек.  [35]

Повышение температуры металла вызывает усиленные колебания атомов кристаллической решетки. При достижении металлом температуры плавления, амплитуда этих колебаний превосходит допустимую величину, что нарушает взаимосвязи атомов и приводит к их беспорядочному расположению и свободному относительному перемещению.  [36]

Поскольку между молекулами, ионами и атомами кристаллической решетки существуют определенные связи и при этом они находятся в состоянии колебательного теплового движения, любая кристаллическая решетка характеризуется конечными значениями потенциальной и кинетической энергии. Сумма этих значений называется внутренней энергией решетки. Доказано, что любая кристаллическая решетка, представляющая собой плотную упаковку атомов, молекул и ионов вещества, характеризуется минимальной потенциальной энергией системы. Для разных типов кристаллических решеток плотность упаковки структурных элементов, характеризующаяся так называемым координационным числом, различна.  [37]

Столкновения свободных электронов в проводниках с атомами кристаллической решетки тормозят их поступательное ( дрейфовое) движение. Аналогичен механизм сопротивления постоянному току в электролитах и газах.  [38]

Столкновения свободных электронов в проводниках с атомами кристаллической решетки тормозят их поступательное ( дрейфовое) движение. Частота таких столкновений зависит от структуры и свойств материала. Аналогично можно пояснить возникновение механизма сопротивления постоянному току в электролитах и газах.  [39]

Столкновения свободных электронов в проводниках с атомами кристаллической решетки тормозят их поступательное ( дрейфовое) движение. Аналогичен механизм сопротивления постоянному току в электролитах и газах.  [40]

Как мы видели, при повышенных температурах атомы кристаллической решетки и примеси в ней приобретают способность хаотически двигаться по объему решетки подобно молекулам газа. Различие состоит в том, что длина свободного пробега атомов в кристалле практически равна межатомному расстоянию ( К to а), так как перескок атома при диффузии происходит из данного узла ( междоузлия) в соседний. Кроме того, решетка несколько ограничивает характер хаотического движения атомов, вследствие чего в (1.23) коэффициент 1 / 3 должен быть заменен некоторым коэффициентом а, зависящим от геометрии решетки и механизма диффузии.  [41]

42 Структура энергетических зон для металла ( а, полупроводника ( б ]. [42]

При температуре, равной абсолютному нулю, атомы кристаллической решетки полупроводника находятся в состоянии относительного покоя. С возрастанием температуры начинаются тепловые колеба ния атомов решетки и в результате появляются свободные электроны, получившие дополнительную тепловую энергию, достаточную для разрыва ковалентных связей. При этом отдельные электроны могут покинуть ковалентные связи и превратиться в свободные носители заряда. Следовательно, для перевода электрона в свободное состояние необходимо сообщить ему дополнительное количество энергии, которое обозначим AW. Электроны, получившие дополнительную энергию, меньшую AW, не могут перейти в зону проводимости и остаются в валентной зоне.  [43]

Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов кристаллической решетки приводит к превращению этого атома в положительный ион. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон у одного из соседних атомов. Далее, в результате переходов электронов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном.  [44]

Итак, колебания сильно связанных между собой атомов кристаллической решетки мы свели к совокупности слабо связанных волн с волновым вектором k и частотой co ( k, s), распространяющихся во всем объеме кристалла.  [45]



Страницы:      1    2    3    4