Cтраница 3
Энергии химической связи между элементами ША ( TV, V - VIA. [31] |
В основу расчета положено представление о структуре стекла, состоящей из десяти тетраэдров ( на 100 атомов сплава) СеТе4 / а соединенных между собой атомами теллура. [32]
Температуры плавления халькогенидов галлия и индия, С. [33] |
В работе [367] предлагается схема образования химической связи в 1п2Те3 ( и других соединениях типа А2Вз) с помощью представлений о гибридизации электронов и резонансе состояний атомов теллура. Считается, что свободные пары электронов атомов теллура, окружающих вакантное место, образуют связь с этим пустым узлом, что приводит к выигрышу энергии. [34]
По кинетическим кривым вычислены скорости перехода в раствор золота и теллурида: 2 09 - Ю 10 и 8 7 - 10 - 10 г-атом / ( см2 - с), т.е. переход компонентов в раствор не эквивалентен: на 1 атом золота приходится не 2, а 4 15 атома теллура. [35]
Теллур расположен в VI группе периодической системы. Атом теллура содержит 52 электрона. [36]
Комплексный ион [ ТеМо6О24 ] 6 - имеет плоское строение; он построен из шести Мо - и одного Те-кис-лородных октаэдров, сопряженных по общим ребрам. Атом теллура находится в центре инверсии, атомы Мо размещаются по вершинам ромбоэдра. [37]
Образование энергетических зон у хлористого натрия.| Образование энергетических зон у бериллия. [38] |
Рассмотрим в качестве примера еще один полупроводник - теллур. У атома теллура последним заполненным энергетическим состоянием является уровень 5р, в котором находятся четыре электрона. [39]
Элементарная ячейка структур. а СоТе ( структура. [40] |
Как изображено на рис. 112, структура CdI2 очень просто связана со структурой NiAs, которую имеет СоТе. В обеих структурах атомы теллура расположены в гексагональной плотной упакопке. Когда состав соответствует формуле СоТе, то все октаэдрические пустоты заняты атомами кобальта. [41]
Брэди [16, 17] исследовал методом дифракции рентгеновских лучей стеклообразный теллурит лития, содержащий 9 мол. Результаты исследования показывают, что атомы теллура окружены шестью атомами кислорода. [42]
А, в то время как каждый атом Л окружен четырьмя атомами В. При образовании кристалла 1п2гГе3 два атома теллура отдают по одному электрону двум атомам индия, таким образом, у каждого атома индия становится по четыре электрона, которые могут находиться в состоянии х / 3-гибридизации и образовывать связи с неспаренными электронами теллура. Все электроны теллура, и спаренные и неспаренные, также находятся в состоянии я - гибридизации. Ввиду того, что в подрешетке индия имеется треть свободных мест, атомы теллура, окружающие пустой узел и имеющие четыре свободные пары электронов, образуют связь с этим пустым катионным узлом, в результате чего в IiioTe, каждый входящий в его состав атом образует четыре тет-раэдрлческпе направленные связи. [43]
Теллур ( Те) - элемент, плеяда которого состоит из 8 устойчивых изотопов. Среди них преобладают относительно тяжелые разновидности атомов теллура. [44]
В работе [367] предлагается схема образования химической связи в 1п2Те3 ( и других соединениях типа А2Вз) с помощью представлений о гибридизации электронов и резонансе состояний атомов теллура. Считается, что свободные пары электронов атомов теллура, окружающих вакантное место, образуют связь с этим пустым узлом, что приводит к выигрышу энергии. [45]