Cтраница 1
Атомы остальных элементов имеют в основном состоянии конфигурацию ns2np3nd с тремя неспаренными р-электронами и вакантными d - AO. При изменении п меняется соотношение между энергиями разных АО, что приводит к разнообразию связей и структур даже в простых веществах, которые существуют в разных аллотропных модификациях: молекулярные структуры Э4 для фосфора, мышьяка, сурьмы; полимерные структуры с кова-лентными связями красного фосфора и серого мышьяка; металлические кристаллы сурьмы и висмута. [1]
Атомы остальных элементов могут присоединять недостающие или отдавать лишние электроны, приобретая устойчивую электронную конфигурацию или приближаясь к ней. Атомы металлов более или менее легко отдают некоторое количество своих электронов, превращаясь в положительные ионы различной валентности. К ним относятся атомы, которые во внешнем электронном слое имеют 1, 2, 3, 4 электрона. Атомы металлоидов легко принимают некоторое число электронов, переходя в отрицательные ионы различной валентности. К этим атомам относятся те, которые во внешнем квантовом слое имеют 5, 6, 7 электронов. Однако эти атомы могут также отдавать полностью или частично свои наружные электроны. [2]
Атомы остальных элементов подгруппы имеют на наружном уровне вакантные орбитали d - лодуровня, куда при возбуждении могут переходить s - и р-электроны этого же уровня. [3]
У атомов остальных элементов d - электрон проскакивает с 5й - подуровня на 4 / - подуровень. Атомам этих элементов свойственны два типа электронных конфигураций: 4 / 5d 6s2 - верхние клетки и 4 / 5d16s2 - нижние клетки. [4]
Расставляем коэффициенты для атомов остальных элементов на основании закона сохранения массы: числа одинаковых ионов в правой и левой частях уравнения должны быть одинаковы. [5]
Расставляем коэффициенты для атомов остальных элементов на основании закона сохранения массы: число одноименных ионов в правой и левой частях уравнения должно быть одинаковым. [6]
Строение внешних электронных оболочек атомов остальных элементов этой подгруппы выражается формулой ns2np &. Двухэлектронная конфигурация атома гелия и восьмиэлектронные конфигурации атомов других элементов этой подгруппы очень устойчивы, поэтому благородные газы с большим трудом вступают в химические взаимодействия. [7]
Атомы цинка, кадмия и ртути, как и атомы остальных элементов второй группы, имеют на внешнем электронном слое два электрона; в этом отношении они проявляют структурные сходства с атомами щелочноземельных металлов. Однако у атомов других металлов II группы в предпоследнем электронном слое находится 8 электронов, а у цинка, кадмия и ртути 18 электронов. [8]
В каждой группе периодической системы элементов первый ее член характеризуется наличием у атома только четырех орби-талей, в то время как атомы остальных элементов помимо s - и р-орбиталей могут использовать также с ( - орбитали. Вследствие этого наибольшие различия наблюдаются в химии первого и последующих элементов группы. Кроме того, свойства иода заметно отличаются от свойств брома и хлора, так что между крайними членами группы галогенов фтором и иодом можно обнаружить лишь незначительное химическое сходство. [9]
Гелий отличается от всех элементов VIII группы тем, что на внешнем уровне его атома всего два электрона, тогда как у атомов остальных элементов этой группы по 8 электронов. [10]
В простых веществах только благородных газов, представляющих собой одноатомные молекулы при н.у., валентность элемента равна нулю. Атомы остальных элементов проявляют ненулевую валентность, например, валентность углерода в алмазе равна четырем. Поэтому степень окисления является лишь отображением валентности, но не совпадает с ней. [11]
В свободном виде благородные газы существуют в одноатомном виде. Электронная формула атома гелия Is2, валентный электронный уровень атомов остальных элементов ( Ne-Rn) имеет общую электронную формулу ns2np6 и отличается заметной устойчивостью. [12]
Во внешнем наружном слое атомов более 8 электронов не бывает. Завершенные внешние электронные слои имеют атомы инертных газов; в атоме гелия 2 электрона, а в атомах остальных инертных газов - неона, аргона, криптона, ксенона, родона - по 8 электронов. Атомы остальных элементов имеют незавершенный внешний электронный слой. [13]
Наличие двух неспаренных электронов на наружном уровне указывает на валентность 2 в невозбужденном состоянии. Сравнение строения внешних уровней показывает, что у S, Se, Те и Ро в отличие от кислорода имеются вакантные ячейки - подуровня. Атомы остальных элементов подгруппы имеют на наружном уровне вакантные ячейки - подуровня, куда при возбуждении могут переходить s - и р-электроны этого же уровня. [14]
Электронная теория исходит из принципа, что все химические превращения атомов можно объяснить изменением их внешних электронных оболочек. Абсолютная химическая инертность инертных газов указывает на крайнюю устойчивость электронной конфигурации их атомов. Стремление атомов остальных элементов соединяться друг с другом обусловлено неустойчивостью их электронной конфигурации. За счет химического связывания атомы стремятся изменить свою внешнюю электронную оболочку таким образом, чтобы приобрести конфигурацию инертного газа. [15]