Cтраница 2
С позиций современной химии этот факт легко объясним: электронное строение атомов редкоземельных элементов - а к ним относятся скандий, иттрий, лантан и 14 лантаноидов - очень сходно. Химические свойства их, в том числе свойства, определяющие поведение элемента в земной коре, трудноразличимы. Очень близки размеры их ионов. В частности, у иттрия и тяжелых элементов семейства лантаноидов - гадолиния, тербия, диспрозия, гольмия, эрбия, тулия - размеры трехвалентного иона практически одинаковы, разница в сотые доли ангстрема. [16]
![]() |
Схема элементарной ячейки со структурой типа перовскита. [17] |
Общая формула феррита данного типа Мг - Оз X X Fe2O3 или M FeO3, где М - атом редкоземельного элемента. Обычно радиус иона М находится в пределах 1 0 - 1 2 А, а радиус иона Fe равен 0 67 А. Однако радиус аниона О - - равен 1 40 А, следовательно, анионы О - - составляют основную часть строения данной решетки. [18]
Однако следует заметить, что Хевеши сразу же пытается найти подтверждение своей мысли, рассматривая распределение электронов по оболочкам в атомах редкоземельных элементов. Стонер заключил, что 4 / - электроны образуют две подгруппы, содержащие 6 и 8 электронов, и, таким образом, распределение лантаноидов на две группы - от церия до европия и от гадолиния до лютеция - получает обоснование с точки зрения электронной теории. Далее Хевеши ищет подтверждения своей гипотезе, используя данные магнитных измерений, проведенных с ионами редкоземельных элементов. [19]
В настоящее время в США и других странах проводится много работ по использованию в качестве активного материала лазеров стекловидных органических веществ, полупроводников, органических веществ с атомами редкоземельных элементов и множества других веществ. [20]
Во второй главе описываются спектроскопические исследования кинетики испарения всех редкоземельных окислов и процессов, сопровождающих испарение из кратера угольного электрода, с привлечением [ термодинамических расчетов, а также параметров, влияющих на возбуждения атомов редкоземельных элементов. [21]
Если связь орбитального момента с осью мала по сравнению со связью спин - орбита, то говорят о случае с. Он осуществляется в молекулах, содержащих атом редкоземельного элемента. [22]
Если связь орбитального момента с осью мала по сравнению со связью спин-орбита, то говорят о случае с. Он осуществляется в молекулах, содержащих атом редкоземельного элемента. Эти атомы характеризуются наличием / - электронов с некомпенсированными моментами; их взаимодействие с осью молекулы ослаблено в связи с глубоким расположением / - электронов в атоме. Промежуточные между а и с типы связи встречаются в молекулах, состоящих из тяжелых атомов. [23]
Картина заполнения 4s -, 3d - и 4р - электронов повторяется для случая 5s -, 4d - и 5р - подоболочек, и создаются электронные конфигурации переходных металлов второго ряда. Затем после заполнения электронами 65-орбитали начинается заполнение 4 / - орбиталей, и образуется последовательность атомов редкоземельных элементов. Аналогичным образом в конце периодической таблицы при заполнении Sf-орбиталей происходит образование актиноидов. Элементы, следующие за ураном ( порядковый номер 92), были получены бомбардировкой атомов тяжелых элементов нейтронами; они являются в основном ко-роткоживущими. [24]
Картина заполнения 4s -, 3d - и 4р - электронов повторяется для случая 5s -, 4d - и 5р - подоболочек, и создаются электронные конфигурации переходных металлов второго ряда. Затем после заполнения электронами бз-орбитали начинается заполнение 4 / - орбиталей, и образуется последовательность атомов редкоземельных элементов. Аналогичным образом в конце периодической таблицы при заполнении Sf-орбиталей происходит образование актиноидов. Элементы, следующие за ураном ( порядковый номер 92), были получены бомбардировкой атомов тяжелых элементов нейтронами; они являются в основном ко-роткоживущими. [25]
В полупроводниках может существовать большое разнообразие электронных возбуждений, и многие из них можно изучать методом комбинационного рассеяния света, что и является темой данной главы. Из рассмотрения исключен класс электронных переходов с глубоких уровней, связанных с переходными металлами или атомами редкоземельных элементов в полупроводниках и окислах. Рассматриваются почти все возбуждения, обусловленные мелкими уровнями в полупроводниках, которые наблюдались экспериментально или предполагались теоретически, за исключением имеющих важное значение возбуждений, наблюдаемых в магнитном поле. Таким образом, возбуждения, связанные с переворотом спина в магнитном поле, не будут обсуждаться, если не считать нескольких замечаний в конце разд. [26]
Однако это условие является необходимым, но не достаточным. Например, ряд атомов элементов переходной группы ( Cr, Mn, Pt и др.) и атомы редкоземельных элементов имеют недостроенные внутренние оболочки, но эти вещества являются парамагнетиками. [27]
В смысле комплексообразования элементы этой группы существенно отличаются от других тяжелых элементов. С большинством обычных координационных заместителей, даже таких энергичных, как 52ОГ, I, CN - NO T, NH3 и др., атомы редкоземельных элементов не вступают в неионогенную связь. Лучше всего координационная связь металлов этой группы осуществляется с остатками органических и неорганических кислот при посредстве атомов кислорода. [28]
Характерной особенностью атомов серы является стремление к 52 / 6-конфигурации. Указанные особенности позволяют считать, что в рассматриваемых газообразных молекулах прочность и тип химической связи определяются двумя процессами: стремлением атомов серы к образованию - конфигураций, а атомов редкоземельных элементов - / 7-и / - конфигураций, образование которых происходит за счет 6 s - электронов лантаноидов. [29]
Концентрацию веществ определяют, пользуясь тем, что между ней и величиной исходящих от вещества ( или поглощаемых им) сигналов всегда существует зависимость. Например, по зависимости интенсивности излучения атомов щелочных, щелочноземельных и редкоземельных элементов в пламени газовой горелки от концентрации их в растворе, распыляемом в этом пламени, определяют содержание данных элементов в растворе. [30]