Инородный атом

Cтраница 2

Для поверхностных состояний, образованных инородными атомами и молекулами, положение энергетических уровней зависит от типа их химической связи с поверхностью. [16]

Модель для двух хемосорбированных атомов. [17]

Возможно, однако, что адсорбированный инородный атом расположен над атомом кристалла, находящимся под поверхностью, например, в центре грани на поверхности ( 100) объемноцентрированного кубического кристалла. В этом случае возмущение должно распространиться на четыре или даже на пять атомов кристалла и классификация табл. 1 уже не подходит. При распространении подобного возмущения общий эффект состоит в том, что почти любая зона кристалла находится в прямом взаимодействии с орбитой инородного атома. [18]

Проводимость может быть связана с введением инородных атомов другой валентности, подобно тому как это было в примере с кремнием, но для нас сейчас интереснее кристаллы, проводимость которых связана с дефектами решетки. Дефекты в решетке могут возникнуть по различным причинам. [19]

Таким образом, здесь на каждый адсорбированный инородный атом имеется свободная положительная дырка. Чтобы доказать наличие на поверхности аниона, отметим следующее. Если бы каждый уровень был занят двумя электронами, поверхностные частицы были бы анионами. Но фактически один электрон из нелокализованного состояния удален. [20]

Согласно обычным представлениям, при анионной хемосорб-ции инородный атом принимает электрон от примесного уровня. Следовательно, эта хемосорбция истощающая ( деплетивная), так как покрытие поверхности зависит от концентрации примесных уровней в твердом теле. Электропроводность, конечно, в данном случае уменьшается. Мы считаем, что взаимодействие здесь осуществляется между орбитой инородного атома и зоной проводимости твердого тела. Такое положение обнаруживается в областях А и А СУ1 на рис. 7 при условии, что уровень ty лежит ниже примесных уровней. На каждый адсорбированный атом с примесного уровня удаляется по одному электрону, и если уровень У анионный, то инородный атом превращается на поверхности в анион. [21]

Обычно катионная хемосорбция протекает так, что инородный атом отдает электрон в зону проводимости твердого тела. Она носит кумулятивный характер, и электропроводность твердого тела повышается. Избыточный электрон, который вносится в систему инородным атомом, не локализован, амплитуда его волновой функции на инородном атоме крайне мала и распределение заряда соответствует присутствию катиона на поверхности. [22]

Сущность процесса диффузии заключается в упорядоченном перемещении инородных атомов, попадающих в объем вещества. Это движение направлено так, чтобы усреднить концентрацию примеси во всем объеме. Причиной диффузии является тепловое движение атомов, поэтому наблюдается сильная зависимость интенсивности процесса диффузии от температуры. [23]

Однако такая структура может содержать значительное количество инородных атомов. Подобные полимеры при сильном нагревании обычно не плавятся, а обугливаются. [24]

Атомы, строящие решетку, могут замещаться инородными атомами. [25]

Пусть е представляет энергию валентного электрона в изолированном инородном атоме. [26]

Это состояние, очевидно, четко локализовано на инородном атоме. Отметим, что приведенные два примера являются предельными случаями. На гомеополярной линии между областями Aty и Cty существует гомеополярная связь между инородным атомом и кристаллом. В этом случае порядок заряда на инородном атоме составляется в равной мере двумя электронами, образующими эту связь, и электронами в нелокализованных состояниях системы. Наконец, укажем, что дискретные примесные уровни не играют роли в процессе хемосорбции и, следовательно, теория - применима также к изоляторам. [27]

Схема образования вакансий и смещений. [28]

Любой металл, даже химически чистый, содержит примеси инородных атомов. Размеры и свойства атома примеси отличаются от размеров и свойств основного металла. Поэтому инородные атомы вызывают искажения кристаллической решетки. [29]

В металле, даже химически чистом, содержатся примеси инородных атомов. [30]

Страницы: 1 2 3 4