Cтраница 3
Любой металл, даже химически чистый, содержит примеси инородных атомов. Каждый атом этой примеси имеет размеры и свойства, отличающиеся от размеров и свойств основного металла. Поэтому инородные атомы вызывают искажения кристаллической решетки. Протяженность искажений во всех направлениях мала - порядка одного-двух параметров решетки. Инородные атомы, так же как вакансии и смещения, относятся к точечным дефектам. При рассмотрении строения чистого металла на первый взгляд кажется, что говорить о примесях вряд ли имеет смысл. Ведь содержание инородных атомов по отношению к общему их количеству мало. Например, в химически чистом алюминии содержится 99 999 % алюминия и только 0 001 % примесей. Но если посмотреть; какое же количество инородных атомов находится в 1 см3 такого алюминия, то получится внушительная цифра 3 - 6 - Ю17 атомов. [31]
Под примесями следует понимать не только включения в основной полупроводник инородных атомов, но также избыток одного из атомов, образующих химические соединения, являющиеся полупроводниками ( оксиды, сульфиды, карбиды), и всевозможные дефекты кристаллической решетки. [32]
Начальная ступенька винтовой дислокации может образоваться при кристаллизации под влиянием инородных атомов и посторонних примесей, а также вследствие того, что зародыши кристаллов чаще возникают на готовой подложке ( например, стенки изложницы, твердые частицы, взвешенные в расплаве), форма которой отлична от формы правильного кристалла затвердевающего вещества. [33]
Силовые ноля дислокаций могут взаимодействовать не только с силовыми полями инородных атомов, по и между собой. Так, например, разноименные дислокации ( положительные и отрицательные), расположенные в одной плоскости скольжения, притягиваются ( и при слиянии уничтожаются), а одноименные дислокации отталкиваются. Дислокации, расположенные в пересекающихся плоскостях, также взаимодействуют и стремятся занять положение, соответствующее уменьшению потенциальной энергии кристаллической решетки. Объединившиеся краевые дислокации, лишние плоскости которых пересекаются, требуют для начала движения значительно больших напряжений, чем единичные краевые или винтовые дислокации. [34]
Гексагональная сетка значительно вытягивается и изгибается, чтобы разместить группы инородных атомов. Этот процесс может свести к минимуму искажение, особенно если оно возникло за счет клещевидных дефектов ( фиг. В результате этого подобные инородные атомы или группы будут связаны значительно слабее, чем при нормальной связи таких групп с краевыми атомами плоской ароматической молекулы. [35]
Железокремнистый твердый раствор ь тетке, вызванных наличием в ней инородных атомов кремния, имеет более высокую коэрцитивную силу, чем чистое железо, однако в этом сплаве при нагреве можно получить крупное зерно, которое при охлаждении не измельчается, так как нет у - а-превращения, и Это на практике приводит к тому, что значение коэрцитивной силы получается в таком материале не больше, чем в обычном железе. Более высокое электросопротивление легированного кремнием феррита уменьшает потери на токи Фуко. [36]
В общем случае измененный кулоновский интеграл а должен быть на инородном атоме, измененный резонансный интеграл 3 - между этим атомом и первым атомом кристалла и измененный кулоновский интеграл а - на первом атоме кристалла. Для упрощения предположим, что Р ( 3 и а а. [37]
У разрывов сетки ограниченность пространства мешает насыщению углеродных валентных связей путем присоединения инородных атомов или какой-либо группы. [38]
Все замечания, сделанные раньше относительно влияния разных дефектов в решетке и инородных атомов на первичный акт взаимодействия, тем более справедливы по отношению к последующим стадиям механизма. Существующие в этом отношении противоречия не всегда могут быть разрешены на основании имеющихся сведений, и прежде всего потому, что влияние этих факторов еще недостаточно определено. Достаточно напомнить о большом различии в термической стойкости более мелких органических молекул в зависимости от того, являются ли они ненасыщенными или содержат атомы справа или слева от углерода в периодической системе, чтобы понять, почему некоторые из основных предположений, сделанных относительно последующих стадий окисления углеродов или графита, близкого к совершенному, следует в настоящее время рассматривать как интересные, но не полностью доказанные. Можно также ожидать, что основной механизм будет меняться с изменением температуры; если дефекты изменяют скорость окисления, то косвенно они могут влиять на механизм реакции. [39]
Железокремнистый твердый раствор вследствие искажений в решетке, вызванных наличием в ней инородных атомов кремния, имеет более высокую коэрцитивную силу, чем чистое железо, однако в этом сплаве при нагреве можно получить крупное зерно, которое при охлаждении не измельчается, так как нет у-ха-прев ращения, и это на практике приводит к тому, что значение коэрцитивной силы получается в таком материале не больше, чем в обычном железе. Более высокое электросопротивление легированного кремнием феррита уменьшает потери на TOW Фуко. [40]
В модели, использованной в данном разделе, резонансный интеграл между двумя инородными атомами предполагается равным нулю при любых расстояниях между ними. Интересующее нас взаимодействие происходит через кристалл. Это взаимодействие интенсивно, если первоначальный локализованный уровень для одного атома на поверхности лежит не намного ниже зоны состояний кристалла. [41]
Если параметры взаимодействия попадают в запрещенную область, то при взаимодействии между инородным атомом и кристаллом локализованные состояния не образуются. Это не означает, однако, что прочная связь инородного атома с кристаллом невозможна. Связь может легко возникнуть в результате общего понижения энергии электронов в системе вследствие изменения граничных условий на свободной поверхности, вызванного присутствием инородного атома. Все электроны системы вносят свой вклад в поверхностную связь и, так как это положение характерно для связей в металлах, такая поверхностная связь обычно называется металлоподобной. [42]
Даже субмикронеоднородности в металлах, например, несовершенства кристаллической решетки - дислокации или инородные атомы в решетке основного металла - а также различное энергетическое состоящие атомов основного металла должны рассматриваться как причины, вызывающие электрохимическую гетерогенность металла. [43]
Согласно обычному представлению, при катионной хемо-сорбции на полупроводниках р-типа электрон переходит от инородного атома на примесный уровень твердого тела. Инородный атом превращается в катион, а в твердом теле образуется обедненный слой. Это имеет место в областях АУ1 и C A R ( рис. 7) при условии, что уровень У1 лежит выше примесных уровней. В этом случае уровень АУ1 свободен и водородопо-добный инородный атом существует на поверхности в виде катиона. [44]
Существует очень большое число исследований, посвященных влиянию на электронную эмиссию тонких слоев инородных атомов, нанесенных на поверхность металла. [45]