Межузельный атом
Cтраница 2
 |
Схема полигонизации. [16] |
Избыточные вакансии и межузельные атомы поглощаются дислокациями при перераспределении последних при нагреве. Кроме того, происходит сток вакансий к границам зерен, что определяет уменьшение их концентрации. Далее вакансия и межузельные атомы при встрече взаимодействуют с уменьшением энергии. [17]
Избыточные вакансии и межузельные атомы поглощаются дислокациями при перераспределении последних при нагреве. Кроме того, происходит сток вакансий к границам зерен, что определяет уменьшение их концентрации. Далее вакансии и межузельные атомы при встрече взаимно погашаются. В процессе отдыха частично устраняются и дислокации. Дислокации противоположных знаков притягиваются и аннигилируют. [18]
 |
Схема процесса полигонизации. [19] |
Избыточные вакансии и межузельные атомы поглощаются дислокациями при перераспределении последених при нагреве. Кроме того, происходит сток вакансий к границам зерен, что определяет уменьшение их концентрации. Далее вакансии и межузельные атомы при встрече взаимно погашаются. В процессе отдыха частично устраняются и дислокации. Дислокации противоположных знаков притягиваются и аннигилируют. [20]
 |
Схема полигонизацни. [21] |
Избыточные вакансии и межузельные атомы поглощаются дислокациями при перераспределении последних при нагреве. Кроме того, происходит сток вакансий к границам зерен, что определяет уменьшение их концентрации. Далее вакансия и межузельные атомы при встрече взаимодействуют с уменьшением энергии. [22]
Избыточные вакансии и межузельные атомы поглощаются дислокациями при перераспределении последних при нагреве. Кроме того, происходит сток вакансий к границам зерен, что определяет уменьшение их концентрации. Далее вакансия и межузельные атомы при встрече взаимодействуют g уменьшением энергии. [23]
Возможным путем появления межузельных атомов того же металла является и тепловое возбуждение, но концентрация возникших таким путем межузельных атомов в металлах оказывается ничтожно малой. При облучении ионными пучками могут попасть в межузельные положения и атомы других элементов. [24]
При этом скопления межузельных атомов влияют непосредственно на характеристики транзисторов, увеличивая токи утечки через / ь - переход, а вакансионные поры ухудшают, в первую очередь, качество тонкого слоя подзатворного диэлектрика. [25]
Сравнительно легко вакансии и межузельные атомы появляются в кристаллах, состоящих из атомов двух типов, значительно отличающихся по размерам. В кристаллах же, состоящих из плотно упакованных атомов одного сорта, такой механизм рождения атома пустоты практически не может иметь места, так как для этого нужно слишком много энергии. Так, в золоте, меди, никеле, имеющих кубическую гранецентрированную структуру ( ГЦК), которая считается плотноупакованной ( число возможных кристаллических решеток ограничено четырнадцатью типами), есть объем свободного пространства между узлами, во много раз меньший объема атома. [26]
При этом образуется пара межузельный атом - вакансия. [27]
 |
Анигиляция вакансий на краевой дислокации. [28] |
Упругое поведение вакансий и межузельных атомов соответствует появлению в кристаллах центров сжатия и расширения; поэтому точечные дефекты также притягиваются к краевым дислокациям. В результате таких взаимодействий точечный дефект перемещается к дислокации и может быть поглощен ею, так что полностью анигилирует на ней. Механизм этого процесса показан на рис. 4.22. На этом рисунке представлена краевая дислокация, ось которой переходит с одной плоскости скольжения на другую, расположенную на одно межатомное расстояние ( ступенька) выше. Когда вакансия подходит к ступеньке, эта последняя смещается на одно межатомное расстояние, а сама вакансия исчезает. Также поглощаются межузельные атомы, но ступенька смещается в направлении, противоположном смещению при захвате вакансии. Таким образом, ступеньки на дислокации являются местом стока для точечных дефектов. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5