Межузельный атом

Cтраница 4

К линейным дефектам относятся цепочки вакансий, межузельных атомов и дислокации. Дислокации являются особым видом несовершенств в кристаллической решетке. С позиции теории дислокаций рассматривается прочность, фазовые и структурные превращения. [46]

К линейным дефектам относятся цепочки вакансий, межузельных атомов и дислокации. Дислокации являются особым видом несовершенств в кристаллической решетке. С позиции теории дислокаций рассматриваются прочность, фазовые и структурные превращения. [47]

Именно этим, по-видимому, объясняется тенденция межузельных атомов углерода в решетке о-железа занимать окгаэяржческкемвж о узл я. В структуре мартенсита, где атомы углерода внедряются в октаэдрические пустоты, расположенные только на ребрах, параллельных оси с, и в центрах граней, перпендикулярных указанной оси, это приводит к тетрагональному искажению исходной решетки а-железа. [48]

Возможен и такой механизм образования вакансий, когда межузельные атомы не появляются. Атом в поверхностном слое может вырваться из этого слоя и взобраться на самую поверхность, положив таким образом начало новому слою. Тогда образуется не закрытая с одной стороны дырка. В эту дырку может перейти атом из следующего, глубже лежащего слоя. Тогда получится вполне оформившаяся дырка, способная перемещаться дальше внутрь кристалла. Тогда почти единственным механизмом образования вакансий в кристалле является их возникновение в поверхностном слое и дальнейшее перемещение внутрь кристалла. [49]

В реальных условиях атомы, окружающие вакансию или межузельный атом, отклоняются от своих идеальных положений в решетке. [50]

К точечным дефектам кристаллической решетки относятся вакансии и межузельные атомы. [51]

При этом решетка несколько деформируется в местах нахождения межузельного атома и вакансии. Величина смещения атома может быть сравнимой с межатомным расстоянием или больше его. [52]

При выращивании кристаллов межузельного типа кристаллическая матрица пересыщена межузельными атомами, что препятствует дополнительной эмиссии Si ( - оксидными выделениями и делает термодинамически невыгодным образование последних. В результате растворимость кислорода в кристаллической решетке возрастает. В этом случае первичные ростовые микродефекты представляют собой агрегаты атомов Si, происходит формирование микродефектов А - и 5-типа. В связи с неравномерным распределением межузельных атомов в поперечном сечении кристалла в областях с максимальной концентрацией Si - образуются преимущественно микродефекты Л - типа, а в областях с пониженной их концентрацией - микродефекты 5-типа. [53]

При повышении температуры кристалла возрастают равновесные концентрации вакансий и межузельных атомов, а при понижении температуры часть дефектов исчезает на стоках. Роль таких стоков могут играть другие дефекты решетки, в частности дислокации. [54]

Рассмотрим вакансии в чистом металле, образующиеся независимо от межузельных атомов этого металла путем перехода атомов из узлов, лежащих в объеме кристалла, па его поверхность. [55]

В чистых металлах прирост электросопротивления происходит под влиянием вакансий, межузельных атомов, границ зерен, дислокаций. [56]

Геликоидальные дислокации, образовавшиеся при взаимодействии с вакансией и с межузельным атомом. [57]

Для вакансий геликоид направлен по часовой стрелке, а для межузельных атомов - против часовой стрелки. [58]

С, и С0 - установившиеся в процессе облучения концентрации межузельных атомов и вакансий вдали от петли ( определяются из уравнений баланса возникающих и исчезающих на стоках в процессе облучения точечных дефектов); Се0 - концентрация вакансий вблизи петли; Fet - поле упругих напряжений вокруг петли; z и г0 - параметры, характеризующие эффективность взаимодействия межузельных атомов и вакансий с полем напряжения краевых дислокаций; VSF - энергия дефектов упаковки. [59]

Особыми случаями возникновения точечных дефектов является независимое появление вакансий и межузельных атомов того же металла, который образует матрицу. Особенность этих случаев заключается в том, что возникновение вакансии сопровождается переходом атома из узла внутри тела па его поверхность, а межузельпого атома - уходом атома с поверхности в междоузлие, находящееся внутри кристалла. Эти переходы сопровождаются изменением числа узлов кристалла и, следовательно, соответствующими дополнительными изменениями объема тела. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5