Внедренный атом

Cтраница 2

Схема краевой дислокации в кристаллической решетке. [16]

Вакансии или внедренные атомы искажают электр ическийГ заряд. Электроны, поглощая различное количество тепловой энергии, могут изменять свое движение в решетке, например возникновение в полупроводниках потоков положительных и отрицательных зарядов. [17]

Если образуются внедренные атомы, то Да / а. [18]

Сначала подразделим внедренные атомы в соответствии с энергиями связи на три различные группы, насчитывающие К, 2 / С2 и / Сз частиц. После этого подрешетка будет разделена на три части. Одна содержит узлы, которые являются соседями атомов примеси, располагающимися по узлам основной решетки. Другая - узлы, в которых находятся изолированные внедренные атомы. В узлах третьей расположены пары внедренных атомов. Последние две части можно выделить, если пары размещены по узлам без перекрытия. [19]

Вакансии и внедренные атомы существуют в кристаллах любой структуры и при любой температуре. В условиях равновесия в кристалле стехиометричес-кого состава точечные дефекты возникают в результате теплового движения. Концентрация точечных дефектов равна нулю при температуре абсолютного нуля и быстро растет по мере повышения температуры. [20]

Если имеются избыточные, внедренные атомы цинка в решетке или если некоторые ионы цинка в регулярных местах решетки заменены примесными ионами более высокой валентности ( такими, как ионы алюминия А12), то примесные уровни появляются много ниже зоны проводимости. В первом случае они возникают из 45-уровней внедренных атомов цинка, а во втором - из уровней валентных электронов ионов примеси. Электроны с примесных уровней термически переходят в зону проводимости, что приводит к появлению электропроводности кристалла. Если эти примеси присутствуют в самом наружном слое, они могут создать состояния Тамма. [21]

На диффузию внедренных атомов могут оказывать влияние образующиеся комплексы точечных дефектов ( см. § 5), в состав которых входят эти атомы. Однако роль таких механизмов еще недостаточно выяснена. [22]

Обычно подвижность внедренных атомов С бывает значительно больше подвижности атомов А и В, в связи с чем будем считать, что при изменении порядка в сплаве А - В атомы С успевают достичь равновесного состояния. [23]

Если пары внедренных атомов стабильны, то имеется нарастающая тенденция к восходящей диффузии. При условии W6jW5 1 химический потенциал уменьшает образование сегрегации внедренных атомов. [24]

Процессы упорядочения внедренных атомов и вакансий на междоузлиях были рассмотрены в рамках более общей модели [12], учитывающей возможность замещения узлов атомами двух сортов. [25]

Большое количество внедренных атомов приводит к их ассоциациям и раздвиганию слоев. [26]

Изменение концентрации внедренных атомов иногда приводит к очень резкому изменению свойств кристалла. [27]

Основная роль внедренных атомов примесей заключается в том, что в их присутствии происходит сильное блокирование дислокаций, благоприятствующее образованию дислокационных скоплений и формированию таким образом зародышей трещин. [28]

Взаимодействие между внедренными атомами будет рассмотрено в гл. [29]

При отсутствии напряжения внедренные атомы располагаются в позициях рассмотренного типа в направлениях х, у и z равновероятно. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5