Cтраница 5
Во время облучения образуются внедренные атомы углерода и вакансии. [61]
![]() |
Зависимость интенсивности прошедшего пучка протонов от угла наклона к плоскостям 111, ПО, 100 для трех пленарных каналов в Si. [62] |
При больших дозах облучения крупные внедренные атомы также мо-тут оставаться в междуузлиях. Устойчивость внедренного атома в между-узлии зависит от его ионного радиуса гм. [63]