Cтраница 1
Чужеродные атомы и вещества ведут себя по-разному. Одни из них, называемые донорами, приносят с собой дополнительные электроны, другие - акцепторы - отбирают их, а образующиеся на месте электронов дырки ведут себя в электрическом поле как положительно заряженные частицы. Существуют полупроводники двух типов проводимости - электронные и дырочные. Если с одного конца образца ввести доноры, а с другого - акцепторы, то первый будет обладать электронной проводимостью, а второй - дырочной. Между ними образуется так называемая область электронно-дырочного перехода толщиной примерно в одну десятитысячную долю миллиметра. [1]
Чужеродные атомы, находящиеся вблизи дислокации, перемещаются по направлению к последней, так как при таком перемещении потенциальная энергия системы уменьшается. [2]
Чужеродные атомы локально искажают кристаллическую решетку. Искажения оказывают существенное сопротивление перемещению дислокаций. Да и сами дислокации, образующиеся при ковке или прокатке, препятствуют такому перемещению при пластической деформации. [3]
Чужеродные атомы внедряются между слоями. При этом происходят явления сдвига решеток. [4]
Если чужеродный атом имеет небольшой размер, то он может перемещаться по решетке и без обмена местом. Дождавшись благоприятных условий, такой атом может проскользнуть из одной пустоты плотной шаровой упаковки в соседнюю. [5]
![]() |
Равновесие между MX и паром М - при высокой температуре. [6] |
Если чужеродные атомы внедрены в решетку, то нам потребуются более сложные модели, например Ga в CdS ( донор) и Bi ( донор) или Ag ( акцептор) в PbS. Эквивалентная точка, в которой Р N переносится ( в случае доноров) в область наивысших давлений серы и ( в случае акцепторов) в область наинизших давлений. [7]
Если чужеродный атом имеет небольшой размер, то он может перемещаться по решетке и без обмена местом. Дождавшись благоприятных условий, такой атом может проскользнуть из одной пустоты плотной шаровой упаковки в соседнюю. [8]
Наличие чужеродных атомов в решетке основного вещества ( примеси, твердые растворы замещения или внедрения) всегда приводит к локальному ослаблению межатомных связей в этом веществе и способствует образованию значительных флуктуации плотности при более низких температурах. [9]
Примеси чужеродных атомов, размещенные в кристаллической решетке основного металла, оказывают громадное влияние на свойства металла. [10]
Диффузия чужеродных атомов в твердое тело уже давно известна техникам. [11]
Наличие чужеродных атомов в решетке основного вещества ( примеси, твердые р-ры замещения или внедрения) всегда приводит к локальному ослаблению межатомных связей в этом веществе и способствует образованию значительных флюктуации плотности при более низких темп - pax. [12]
Диффузия чужеродных атомов в твердое тело уже давно известна техникам. [13]
При перегруппировке чужеродных атомов и точечных дефектов решетки в процессе диффузии вдоль пути дислокации перемещение последней в кристаллической решетке значительно облегчается по сравнению со случаем, когда атмосфера этих атомов перемещается в решетке вместе с дислокацией. [14]
Увеличение числа чужеродных атомов в металле весьма существенно затрудняет движение дислокаций и увеличивает критическое сопротивление сдвигу. Это обстоятельство является одной из причин повышения прочности металлов при их легировании элементами, образующими твердый раствор, например углеродом. [15]