Cтраница 4
Дефекты в структуре графита возникают при внедрении чужеродных атомов в его решетку. [46]
Примесные носители создаются в кристалле полупроводника не только чужеродными атомами, но и собственными атомами в том случае, если они оказываются в междоузлии. Так, переход атома Si в междоузлие вызывает образование двух локальных энергетических уровней: атом в междоузлии действует как донор, а пустой узел - как акцептор. [47]
В результате процесса деления в ядерном горючем возникают чужеродные атомы. Затем они претерпевают еще ряд актов отдачи в результате радиоактивных превращений. Таким образом, наряду с дефектами, связанными с образованием ( внедрением) постороннего атома, возникают дополнительные, обусловленные разрыхлением решетки в окрестностях осколка. В связи с этим изменяются свойства горючего: прочность урана уменьшается, теплопроводность падает. Именно поэтому в настоящее время в исследовательских реакторах применяется суспензия обогащенного урана в алюминии, что в значительной степени позволяет избежать нежелательных изменений свойств горючего. [48]
Здесьтфтгдиетаточновысокой темперттуре вполне вербЯтен процесс, при котором чужеродный атом и атом основного вещества меняются местами, что и приводит к перемещению чужеродного атома по кристаллу. [49]
В общем случае вероятность процесса, при котором чужеродные атомы перемещаются на малое расстояние, выше вероятности процесса, когда эти атомы перемещаются на большое расстояние. [50]
Дефектом, удовлетворяющим этому условию, может быть чужеродный атом, находящийся в узле решетки вместо собственного атома, вакансия, атом внедрения или комбинация дефектов перечисленных типов. Рассеяние в таком случае обусловлено различием в массе и в величине связи между атомами. Кроме того, могут быть существенны искажения решетки вокруг примесей, вызываемые разными объемами собственного и чужого атомов. [51]
Сила, необходимая для удаления дислокации от атмосферы чужеродных атомов, зависит от изменения распределения напряжений, обусловленных присутствием этой атмосферы в зоне дислокации. Предельным случаем является добавление ряда атомов вдоль краевой дислокации вместо недостающих атомов кристаллической решетки. [52]