Cтраница 4
В водных средах [8, 165-167] исследования значительно усложняются, поскольку одновременно протекает реакция окисления металла компонентами растворителя. Кривые заряжения [8] и данные, полученные методом треугольных импульсов напряжения [165], указывают на образование большего числа промежуточных частиц, чем в неводном растворителе, гальваностатическая кривая заряжения для которого имеет только одну задержку. [46]
Если концентрации окисленной и восстановленной форм не слишком малы ( 10 - 8 М), то для гладких электродов ( С 10 - 6 - - 10 - 4 Ф - см-2) после начального участка гальваностатической кривой Е, t, на котором подводимое электричество преимущественно либо в заметной степени расходуется на заряжение ДЭС, емкостной ток становится значительно меньше фарадеевского. [47]
В случае чисто диффузионных процессов величина произведения it1 2 ( т - переходное время) не зависит от плотности включаемого тока i ( см. гл. Этот критерий часто используют для установления возможного наличия медленных предшествующих химических реакций. В соответствии с этим было установлено, что катодные и анодные гальваностатические кривые потенциал - время, снятые в свежеприготовленных растворах хлоридных комплексов иридия ( III) и иридия ( IV), хорошо подчиняются уравнениям, отвечающим обратимому протеканию электрохимической реакции. [48]
Для снятия кинетических кривых в гальваностатическом режиме в серии опытов зада ют плотность i ока через ячейку 5, 10, 15, 20 мА / сма Через промежутки времени в 1 мин ( по секундомеру) фиксируют по вольтметру напряжение на электродах. Строят серию кривых в координчтах U - т ( см. рио. Методом цветовых оттенков Ньютона определяют толщину слоя SiO2, полученного при каждой плотности тока На основании кинетических кривых выбирают напряжение, до которого необходимо формировать пленку в комбинированном режиме для получения заданной толщины. При этом ориентировочно полагают, что в основном толщина пленки определяется гальваностатическим этапом комбинированного режима, и, кроме того, на линейном участке гальваностатических кривых толщина пропорциональна напряжению. [49]
При снятии поляризационных кривых наблюдаются колебания потенциала во времени, приводящие иногда к самопроизвольному изменению приложенного тока. Такие колебания потенциала и тока особенно заметны в области предельных токов. Поэтому наряду с обычным методом получения i - е кривых все чаще используют так называемые потенциостатический и гальваностатический методы. При потенциостатическом методе на электрод подают определенное значение потенциала, которое при помощи специальной электрической схемы можно поддерживать неизменным в течение длительного времени. Затем непрерывно вплоть до установления ее постоянства регистрируют силу тока, отвечающую данному потенциалу. Серия таких измерений дает потенциостатическую i - е кривую. При гальваностатическом методе, напротив, поддерживают постоянным ток и наблюдают за изменением потенциала во времени до тех пор, пока он не достигнет постоянного значения. Полученная зависимость i от е называется гальваностатической кривой. Сочетание этих методов позволяет более глубоко изучить поведение электрохимических систем. [50]
При снятии поляризационных кривых наблюдаются колебания потенциала во времени, приводящие иногда к самопроизвольному изменению приложенного тока. Такие колебания потенциала и тока особенно заметны в области предельных токов. Поэтому наряду е обычным методом получения i-е-кривых все чаще используют так называемые потенциостатический и гальваностатический методы. При потенциостатическом методе на электрод подают определенное значение потенциала, которое при помощи специальной электрической схемы можно поддерживать неизменным в течение длительного времени. Затем непрерывно, вплоть до установления ее постоянства, регистрируют силу тока, отвечающую данному потенциалу. Серия таких измерений дает потенциостатическую i-е-кривую. При гальваностатическом методе, наоборот, поддерживают постоянным ток и наблюдают за изменением потенциала во времени до тех пор, пока он не достигнет постоянного значения. Полученная зависимость е от i называется гальваностатической кривой. Сочетание этих методов позволяет более глубоко изучить поведение электрохимических систем. [51]