Избыточный атом

Cтраница 1

Избыточные атомы металла могут размещаться в местах, покинутых атомами кислорода; решетка замещения. [1]

Избыточные атомы компонента В могут размещаться в местах, покинутых атомами компонента X, - замещение. [2]

Внедрение избыточного атома в междоузлие кристаллической решетки, например, путем термической обработки кристалла хлорида калия в парах калия тоже приводит к образованию дефектов. [3]

Основная часть избыточных атомов азота, а также примесных атомов кислорода и углерода находится в виде метастабильно-го твердого раствора. В покрытии TiN наряду с титаном и азотом могут содержаться элементы подложки ( сталь Р6М5К5) - V, Мо, W, Fe, Si, что свидетельствует о развитии процесса ионного перемешивания материала подложки с материалом покрытия в процессе напыления. [4]

Энергия ионизации избыточных атомов РЬ или S в PbS равна нулю, так как вызванная ими электропроводность сохраняется практически неизменной еще при температуре 2 абс. Такой сернистый свинец следует поэтому считать примесным металлом. Однако с повышением температуры освобождаются электроны и дырки, создаваемые основной зоной полупроводника. [5]

Энергия ионизации избыточных атомов РЬ или S в PbS равны нулю, так как концентрация свободных зарядов сохраняется практически неизменной еще при температуре 2 К. Такой сернистый свинец следует поэтому считать примесным металлом. Однако с повышением температуры освобождаются электроны и дырки, создаваемые основной зоной полупроводника. [6]

Здесь Zn - избыточные атомы цинка, ответственные за темповую проводимость; Zn - катионы цинка, ответственные за фотопроводимость и фотолюминесценцию. [7]

Схема электронных переходов в ZnO при адсорбции на его поверхности кислорода. [8]

Здесь Zn - избыточные атомы цинка, ответственные за темновую проводимость; Zn - катионы цинка, ответственные за фотопроводимость и фотолюминесценцию. [9]

Предположим, что избыточные атомы Na занимают нормальные положения в узлах решетки. Эти узлы они занимают в виде ионов Na, поэтому каждый избыточный атом Na отдает по одному избыточному электрону. [10]

Заряд, образованный избыточными атомами кремния в окисле вблизи границы с кристаллом. Механизм окисления кремния таков, что кислород должен сначала проникнуть сквозь созданную пленку и образовать свежий окисел на границе с кристаллом. Следовательно, в этой реакции атомы кремния находятся в избытке. Они и создают положительный заряд, величина которого зависит от условий и способа выращивания окисла. При нормальной температуре заряд можно считать практически неподвижным. [11]

Принято считать, что избыточные атомы щелочного металла располагаются в кристалле галогенида щелочного металла в нормальных, естественных для щелочного иона положениях в решетке. Отрицательные ионные вакансии в решетке, которая, если не считать наличия этих вакансий, является, идеально периодической, ведут себя электростатически, подобно положительным зарядам, так что электрон, - движущийся вокруг отрицательной ионной вакансии, можно качественно уподобить водородному атому. [12]

Если считать, что каждый избыточный атом дает в зону проводимости по одному электрону, то в таком образце окажется около 3 - Ю18 см 3 избыточных электронов. [13]

Различные структурные дефекты решетки: избыточные атомы в междоузлиях, вакансии, дислокации, границы кристалла, оказывают значительное влияние на структурно-чувствительные свойства полупроводников. Многие полупроводниковые соединения являются фазами переменного состава с более или менее широкой областью существования. Свойства таких соединений определяются главным образом природой и концентрацией точечных дефектов. Управление структурно-чувствительными свойствами материалов сводится к выбору методов и установлению условий, обеспечивающих возможность контролируемого введения дефектов определенного типа в решетку кристалла либо в процессе его выращивания, либо при его последующих обработках. Однако для этого необходимо предварительно установить характер и степень изменения физических свойств при введении в решетку кристалла дефектов определенного типа ( например, примесей) в зависимости от их концентрации. [14]

В этом - случае каждый избыточный атом серы должен был бы освободить положительную дырку. Однако на опыте не всегда удается обнаружить FJ - и FJ-центры. BCdS, например, избыточные атомы Cd освобождают при комнатных температурах свободные электроны, тогда как избыточная сера не дает свободных дырок. Это означает, что акцепторный уровень, соответствующий Fj-центру, расположен слишком далеко от потолка валентной зоны, чтобы Fc-центр мог ионизироваться при комнатных температурах. Чужеродные ионы с валентностью, отличной от валентности основных атомов, также порождают донорные или акцепторные уровни примеси в спектре энергии полярных полупроводников. Предполагается, например, что атомы Bi образуют в PbS примесь замещения в виде ионов В. При этом возникнет примесный центр Bi3 с эффективным зарядом е относительно потенциала идеального кристалла. Возможно также замещение аниона чужеродным атомом. [15]

Страницы: 1 2 3 4