Избыточный атом
Cтраница 3
Возрастание фототока в интервале 6500 - 5000 А, быть может, связано с фотоэффектом с уровней избыточных атомов цезия, хотя с тем же успехом этот рост можно трактовать и как начало фотоэмиссии из заполненной зоны. [31]
Растворимость РЬ и Se в PbSe максимальна при повышенных температурах и составляет 1 4 - Ю1 см-3 избыточных атомов РЬ и Se при температуре около 600 С. Для достижения оптимальной концентрации производят легирование PbCl2 - f - Pb. Акцепторными примесями являются мышьяк, теллур. [33]
При этом атомы Y, La или U замещают атомы Са, Sr или Се, в то время как избыточные атомы F или О размещаются в позициях, которые на рис. 14.1 обозначены крестиками. [34]
Активирование оксидного катода, или создание в его покрытии концентрации доноров можно формально считать связанным с созданием возможно большего количества избыточных атомов металлического бария в покрытии и в диффузии этого бария внутрь кристаллов и на внешнюю поверхность катода. [35]
Освобожденные светом электроны через короткое время снова возвращаются на одно из мест, оставленных другими электронами, или присоединяются к избыточным атомам примеси. В результате устанавливается подвижное равновесие между числом электронов, срываемых светом, и возвращающихся обратно. Это равновесие отличается от теплового тем, что концентрация свободных электронов или дырок оказывается повышенной, а так как подвижность носителей тока остается неизменной, то электропроводность при освещении светом достаточной частоты увеличивается. [36]
Освобожденные светом электроны через короткое время снова возвращаются на одно из мест, оставленных другими электронами, или присоединяются к избыточным атомам примеси. В результате устанавливается подвижное равновесие между числом электронов, срываемых светом и возвращающихся обратно. Это равновесие отличается от теплового тем. [37]
Этот результат может быть понят, если предположить, что на поверхности образца и в приповерхностном слое, обогащенном литием, избыточные атомы лития размещаются в междоузлиях и выполняют, таким образом ( см. § 9 6), функции доноров. [38]
При отжиге пленок иодида меди в вакууме происходит испарение иода и, как показали электронографические исследования Р. Н. Курдюмовой и С. А. Семилетова [267], избыточные атомы меди располагаются при этом в октаэдрических пустотах, образуя твердый раствор внедрения. Растворимость избыточной меди в иодиде меди доходит до нескольких процентов. [39]
Согласно этой теории кристаллизация представляет собой гетерогенный процесс, складывающийся из обмена атомами ( молекулами) на межфазовой границе и переноса избыточных атомов второго компонента ( при / Со1) или основного компонента ( при / Со1) по объему жидкой фазы. [40]
Диффузионная природа последействия может осуществляться не только в железе, но и в других металлических и полупроводниковых ферромагнетиках, за счет посторонних или избыточных атомов или вакансий. [41]
 |
Ход спектральной характеристики сложных катодов с различными щелочными металлами. По оси абсцисс отложена длина волны падающего света. по оси ординат - сила фототока в условных единицах. [42] |
Электропроводность слоя в свою очередь зависит от состояния этого слоя и, как и в случае любого полупроводника, от наличия в нем посторонних и избыточных атомов. Этим объясняется влияние свойств промежуточного слоя на чувствительность и на спектральную характеристику катода. Кроме того, предполагается, что свет достаточно короткой длины волны, проникая в промежуточный слой оксида, освобождает электроны из вкрапленных в этот слой частиц металла, что тоже отзывается на спектральной характеристике. [43]
АВ могут быть незаняты узлы решетки, отвечающие атому ( иону) А или В; кроме того, в междоузлиях решетки могут располагаться избыточные атомы ( ионы) А или В. Например, кристаллическая решетка карбида титана TiC сохраняется, если в ней недостает даже 40 % атомов углерода. Поэтому еостав карбида титана может изменяться от TiCo. TiC и зависит от условий синтеза. [44]
АВ могут быть незаняты узлы решетки, отвечающие атому ( иону) А или В; кроме того, в междоузлиях решетки могут располагаться избыточные атомы ( ионы) А или В. Например, кристаллическая решетка карбида титана TiC сохраняется, если в ней недостает даже 40 % атомов углерода. Поэтому еостав карбида титана может изменяться от Т1С0 е до TiC и зависит от условий синтеза. [45]
Страницы: 1 2 3 4