Избыточный атом - кислород
Cтраница 1
 |
Схема затвердевания при направленной кристаллизации. [1] |
Избыточные атомы кислорода создают дырочную проводимость. Возможны и такие окислы, в которых имеется избыток металла, например Ва в ВаО; их проводимость электронная. [2]
Если в молекуле содержится большее число атомов кислорода, чем водорода, то избыточные атомы кислорода соединяются непосредственно с центральным ато мом, который расходует при этом две единицы валентности на каждый атом кислорода. [3]
 |
Зависимость электропроводности закиси меди с различным содержанием избыточного кислорода ( возрастает с увеличением номера кривой от температуры. [4] |
Поэтому с ростом концентрации примесей ( в случае закиси меди роль примеси играют избыточные атомы кислорода) прямая / / на рис. 26 перемещается вверх, сохраняя приблизительно тот же наклон. [5]
Если в молекуле содержится большее число атомов кислорода, чем водорода, то избыточные атомы кислорода соединяются непосредственно с центральным атомом, который расходует при этом две единицы валентности на каждый атом кислорода. [6]
Если в молекуле содержится большее число атомов кислорода, чем водорода, то избыточные атомы кислорода соединяются непосредственно с центральным атомом, который расходует при этом, две. [7]
Другие считают, что он состоит из обособленных тетраэдров [ SiO4 ] 4 - и расположенных между ними избыточных атомов кислорода. [8]
Согласно предположению Даудена [17], активность алюмохромовых катализаторов увеличивается за счет дефектов в решетке, возникающих в результате наличия избыточных атомов кислорода. Однако экспериментальных данных, подтверждающих это предположение, Дауден не приводит. Если восстановление алюмохромовых катализаторов понижает их активность, то можно ожидать, что окисление должно повысить ее. [9]
Величина первой константы диссоциации определяется, значением т в формуле XOm ( OH) n: если т 0 [ отсутствуют избыточные атомы кислорода по отношению к атомам водорода, как в случае В ( ОН) 31, то кислота очень слабая с А. А Ю 2; при т 2 ( A t: 103) или при то3 ( А Ю8) - кислота сильная. [10]
Таким образом, кристаллическая решетка имеет вакансии ( незанятые места) в узлах расположения атомов кислорода, а в кристаллической решетке TiOi oc избыточные атомы кислорода внедрены в междоузлия решетки. Благодаря наличию пустот или избыточных внедренных атомов в кристаллических решетках некоторые материалы проявляют много новых интересных свойств, например полупроводниковые. [11]
 |
Кристаллическая решетка TIO. [12] |
Таким образом, кристаллическая решетка TiOi имеет вакансии ( незанятые места) в узлах расположения атомов кислорода, а в кристаллической решетке TiOi j, избыточные атомы кислорода внедрены в междоузлия решетки. Благодаря наличию пустот или избыточных внедренных атомов в кристаллических решешах некоторые материалы проявляют много новых интересных свойств, например полупроводниковые. [13]
 |
Кристаллическая решетка TiO. [14] |
Таким образом, кристаллическая решетка TiOi x имеет вакансии ( незанятые места) в узлах расположения атомов кислорода, а в кристаллической решетке TiOi x избыточные атомы кислорода внедрены в междоузлия решетки. [15]
Страницы: 1 2 3