Диаграмма - деформирование
Cтраница 4
Запись диаграмм деформирования осуществляют с помощью двухкоординатного потенциометра, у которого в качестве датчика используют сдвоенный механический диод ( механотрон) с высокой чувствительностью ( к перемещениям 30 мкА / мкм, к усилиям 200 мкА / г), помехоустойчивостью и стабильностью выходных характеристик по времени. [46]
Анализ диаграмм деформирования, приведенных на рис. 2.21, б, показывает, что величина отношения - ед. Теоретическая модель в целом правильно описывает названное явление. Наибольшее расхождение между расчетом и экспериментом наблюдается в местах излома теоретических диаграмм. Это, по-видимому, обусловлено кусочно-линейной аппроксимацией кривых деформирования однонаправленного материала, которая принята при построении модели. Высокая податливость не является только недостатком материалов этого типа. Эффекты псевдопластичности могут быть с успехом использованы при проектировании конструкций. [47]
Параметры диаграммы деформирования т, ЕТ и ат определяют по данным статических испытаний с записью напряжений и деформаций ( продольных или поперечных) в соответствующем масштабе. [48]
 |
Диаграмма деформировашив без учета упругости. [49] |
Построение диаграммы деформирования без учета упругости, Так как при ОМД деформации обычно большие, упругими составляющими деформации часто пренебрегают. [50]
Анализ диаграмм деформирования, приведенных на рис. 2.21, б, показывает, что величина отношения - ед. Теоретическая модель в целом правильно описывает названное явление. Наибольшее расхождение между расчетом и экспериментом наблюдается в местах излома теоретических диаграмм. Это, по-видимому, обусловлено кусочно-линейной аппроксимацией кривых деформирования однонаправленного материала, которая принята при построении модели. Высокая податливость не является только недостатком материалов этого типа. Эффекты псевдопластичности могут быть с успехом использованы при проектировании конструкций. [51]
Исследование диаграмм деформирования при сложном малоцикло вом нагружении, - Изв. [52]
Анализ диаграмм деформирования показал: для материала с минимальным содержанием шементов внедрения, при одних и тех же температурах испытания, характерны более низкие / ровни напряжения. [53]
 |
Диаграммы деформирования при различных условиях иагружения и диаграмма предельных состояний. [54] |
Вид диаграммы деформирования определяется не только структурой решетки металла, но также и рядом внешних условий. [55]
Форма диаграммы деформирования зависит от размеров кристалла. Так как у технических металлов истинная диаграмма деформирования близка по форме к прямой линии ( линейный закон упрочнения), то отсюда следует неизбежный вывод о том, что размеры элементарных зон, которые можно рассматривать как отдельные деформируемые тела, уменьшаются с увеличением пластической деформации, что соответствует уменьшению размера субструктуры. [56]
Форма диаграммы деформирования в области пластической деформации изменяется в соответствии с разницей в сопротивлении деформации границ зерен ( или зоны вдоль границ зерен) и металла внутри зерен. [57]
Изменение диаграмм деформирования при повторных нагру-жениях материала 33 - 18С ( рис. 23) характеризует упругие несовершенства этого пластика и наличие упругого гистерезиса. Аналогичные свойства присущи и другим стеклопластикам, причем стеклопластики на более жестких связующих имеют более узкие петли гистерезиса. Вследствие нелинейной упругости абсолютное значение модуля упругости стеклопластиков уменьшается с ростом деформации и зависит от напряжения. [59]
Пример диаграммы деформирования в относительных координатах приведен на рис. 2.6.1, а. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5