Быстрый атом

Cтраница 1

Быстрые атомы обычно получаются посредством перезарядки соответствующих ионов при столкновении их с молекулами газа или с твердой поверхностью. Имеющиеся экспериментальные данные показывают, что возбуждение одного атома в столкновении о другим происходит при относительных энергиях, значительно превышающих порог возбуждения. Это объясняется малой эффективностью передачи энергии относительного движения атомов возбуждаемому электрону вследствие большого различия масс атомов и электрона. [1]

Магнитный сектор спектрометра с углом 90 ( а и 180 ( б. В каждом случае источник аналогичен показанному на 22 - 3. [2]

Воздействие быстрых атомов на молекулярные мишени не слишком отличается от того, что происходит при облучении ионами в методе масс-спек-трометрии вторичных ионов. [3]

Магнитный сектор спектрометра с углом 90 ( а и 180 ( б. В каждом случае источник аналогичен показанному на 22 - 3. [4]

Метод бомбардировки быстрыми атомами весьма успешно применяется при изучении сложных молекул, соединений, участвующих в биохимических процессах, и лекарственных средств. [5]

Если бомбардировать фотографическую пластинку быстрыми атомами водорода или гелия, то каждая частица оставляет крошечный след в светочувствительном слое. [6]

Схема амбиполярной ловушки ТМХ. J - аксиально-несимметричная обмотка концевого пробкотрона, обеспечивающая минимум магнитного поля К на оси. г - обмотки центрального соленоида. 3 - переходные обмотни. 4 - плазма. 5 - инжекторы нейтральных атомов. Характерная веерная форма плазмы вблизи концов установки обусловлена свойствами магнитного поля установки. В центральном соленоиде сечение плазмы круглое. [7]

Пробкотроны заполняют горячей плазмой, инжектируя быстрые атомы водорода. Проникая поперек магн, поля в плазму, они захватываются там вследствие ионизации и перезарядки и обеспечивают поддержание материального и энергетич. [8]

Процесс каналирования заключается в том, что быстрый атом или ион двигается между соседними атомными плоскостями кристалла, отражаясь от каждой из них, как при полном внутреннем отражении оптического луча. [9]

Схема установки для изучения газового разряда.| Зависимость силы тока от напряжения при газовом разряде. [10]

Схема установки для изучения газового разряда.| Зависимость силы тока от напряжения при газовом разряде. [12]

Ионизирующая способность электронов значительно выше, чем ионов и быстрых атомов. Электронные удары эффективны при минимальной кинетической энергии, равной энергии ионизации, а ионные удары эффективны, если кинетическая энергия иона превышает энергию ионизации не менее чем в два раза. Характерной общей особенностью ионизации нейтральных частиц электронами и ионами является наличие некоторого порога энергии, ниже которой ионизация не происходит. С увеличением кинетической энергии электронов и ионов в обоих случаях эффективность ионизации увеличивается, достигает максимума при некоторых экстремальных ее значениях и затем снижается при дальнейшем увеличении энергии. [13]

В области катодного падения наряду с молекулярными положительными ионами образуются быстрые атомы с энергией, приблизительно равной энергии ионов, из которых они образованы. Хотя в литературе практически отсутствуют данные об эффективности катодного распыления под действием атомов, нет оснований ожидать, что оно заметно отличается от эффективности распыления ионами той же энергии. Существует, однако, одна особенность распыления под действием атомов. Не имея заряда, атомы могут попадать на такие поверхности, на которые ионы не могут попадать из-за наличия задерживающего поля. [14]

Было показано, что нагрев малой добавки сходен с инжекцией быстрых атомов, так что физические явления при этом также близки между собой. Исследуется также нагрев плазмы в области более высоких частот - в диапазоне электронного циклотронного и гибридного ( промежуточного между электронной и ионной циклотронной частотами) резонансов. [15]

Страницы: 1 2 3 4