Кристалл - микросхема
Cтраница 2
Мультипликация производится в фотоповторителях ( фотоштампах), где в промежутках между экспонированием каждого участка перемещают пластину эталонного фотошаблона с шагом, соответствующим размеру кристалла микросхемы. Существуют также многопозиционные фотоштампы с многолинзовыми объективами, дающие одновременно большое число изображений, что ускоряет процесс. С эталонного шаблона методом контактной печати изготовляют рабочие шаблоны, которые и используют в процессе фотолитографии. При наложении шаблона на полупроводниковые пластины его поверхность повреждается и шаблон изнашивается. [16]
Когда сильноточная нагрузка питается непосредственно от логических элементов, следует уделять особое внимание шине земли, так как ток нагрузки возвращается к нулевой шине источника через кристалл микросхемы. В некоторых случаях нужно использовать отдельный земляной провод. [17]
 |
Монтаж интегральных схем. [18] |
Корпуса интегральных микросхем изготовляют из металлических сплавов, стекла, керамики и различных пластмасс, обладающих механической и электрической прочностью, коррозионной стойкостью и не вызывающих химического загрязнения кристалла микросхемы. [19]
Основная номенклатура применяемых сейчас микросхем ТТЛ имеет средний уровень интеграции. На кристалле микросхемы такой сложности располагается 1000 и более транзисторов. [20]
Телевизионные датчики входят в состав блока технического зрения, оптическая схема которого представляет собой двухканальную систему. Первый канал предназначается для определения координатных площадок кристалла микросхем, а второй - для нахождения координат контактных площадок корпуса. [21]
В настоящее время стандартизированы количественные и качественные меры определения сложности микросхем. Количественный фактор соответствует порядку числа элементов на кристалле микросхемы или в ее корпусе. [22]
 |
Микросхема ФАП К564ГП. [23] |
Микросхема К564ГГ1 ( рис. 2.73) содержит следующие внутренние узлы: генератор, управляемый напряжением ( ГУН), два фазовых компаратора ( ФК. ИЛИ или ФК2 - триггерная схема), формирователь-усилитель Ф входного сигнала, выходной истоковый повторитель ИП Для удобства применения на кристалле микросхемы изготовлен источник опорного напряжения - стабилитрон с напряжением 5 2 В. На рис. 2.73, а показана полная схема так называемой петли ФАП. [24]
Важно отметить, что и технологические методы, и оборудование в микроэлектронике совершенствуются довольно быстро. Об этом говорит тот факт, что за последнее десятилетие число элементов в микросхемах на биполярных транзисторах увеличилось в среднем в 10 - 20 раз, при этом площадь кристалла микросхемы уменьшилась примерно в 1 5 - 2 раза. [25]
Интегральная микросхема - это функционально законченный блок, эквивалентный по своим логическим возможностям достаточно сложной транзисторной схеме. Важным параметром, определяющим уровень сложности интегральных микросхем, является степень интеграции, которая представляется величиной К logAf, где - N - общее количество компонентов ( транзисторов, диодов, резисторов), расположенных на кристалле микросхемы и неразборно соединенных между собой. Однако при этом габаритные размеры и надежность ИС примерно равны габаритным размерам и надежности отдельного транзистора в обычном исполнении. По величине К цифровые микросхемы подразделяют на малые ИС ( К 1), средние СИС ( К 2), большие БИС ( К 3) и сверхбольшие СБИС ( К 3) интегральные схемы. [26]
 |
СППЗУ типа 2716 и 2732. ( В процессе нормальной работы программирующий вход не используется. Он предусмотрен для работы со специальным программатором СППЗУ. [27] |
Обе эти интегральные схемы памяти имеют байтовую организацию. Внешний вывод 20 микросхемы типа 2732 используется для передачи двух управляющих сигналов, тем самым высвобождается вывод 21, который отводится в микросхеме этого типа для подключения адресной линии АН. Использование для двух сигналов еще одного внешнего вывода позволяет разместить на кристалле микросхемы ППЗУ с возможностью стирания ультрафиолетовым излучением объемом 64К бит. [28]
В эпитаксиалЬно - планарном транзисторе боковые поверхности / / изолирующего р-п перехода являются границей коллекторной области 2 n - типа и изолирующей области 4 р - типа, а нижняя поверхность 12 - - границей области 2 и скрытого слоя 3 с подложкой. При использовании микросхемы на этот контакт подают напряжение, при котором изолирующий переход всегда смещен в обратном направлении. Поскольку обратный ток изолирующего перехода мал, обеспечивается удовлетворительная изоляция транзистора от подложки и других элементов кристалла микросхемы. Области, окруженные со всех сторон изолирующим переходом, называют карманами. В них размещают не только биполярные транзисторы, но и другие элементы микросхемы. Обычно в каждом кармане формируют один элемент, но в некоторых случаях размещают несколько например, биполярных транзисторов, у которых согласно принципиальной электрической схеме соединены коллекторы. [29]
Некоторые дефекты, например точечные отверстия в изолирующих пленках, не удается выявить с помощью только оптических средств. В этих случаях применяют различные химические методы в сочетании с последующим оптическим контролем. Так, для обнаружения точечных дефектов в двуокиси кремния может быть применен электролиз в ванне из метилового спирта с использованием в качестве анода ( или катода) различных участков ( или токопроводящих поверхностей) кристалла дефектной микросхемы. [30]
Страницы: 1 2 3