Cтраница 3
Модуль содержит оперативную память объемом 128 16-разрядных слов. Память разбита на две строки по 64 слова. Адрес нужной ячейки памяти определяется кодовой комбинацией, подаваемой со счетчика адреса на адресные входы и вход выбор кристалла микросхемы. Модуль работает в двух режимах: запись и считывание данных через магистраль; запись и считывание данных через разъемы на передней панели. [31]
![]() |
Условное обозначение микросхем. [32] |
Этот элемент может состоять из одной или нескольких цифр. Пример основного условного обозначения интегрального полупроводникового операционного усилителя с порядковым номером разработки серии 40 и порядковым номером разработки данной схемы в серии по функциональному признаку 11 приведен на рис. 134, а. Если после буквы К перед номером серии стоит буква М ( например, КМ155ЛА1), это означает, что вся данная серия выпускается в керамическом корпусе, если же после буквы К ставится буква Б ( например, КБ524РША - 4), то серия выпускается в бескорпусном варианте, без присоединения выводов к кристаллу микросхемы. [33]
![]() |
Регистр ИР23 ( о и его цоколевка ( б [ TABLE ] Состояния регистра ИР23. [34] |
Данные можно сдвигать как вправо, так и влево. Выгодные буферные элементы регистра имеют третье Z-состоякие. Восемь выводов микросхемы ( от 4 до 7 и от 13 до 16) образуют лорт данных, провода в котором по команде служат то входами данных, то выходами для ни. Таким образом сокращают в 2 раза число выводов от кристалла микросхемы. [35]
![]() |
Выходные токи инвертора КМОП ( а и б, нагрузка инвертора ( в. [36] |
Условие RKR выполняют для специально конструируемых мощных инверторов КМОП, работающих на выходах микросхем. Нэпом-ним, что малое сопротивление какала RK равноценно повышенной крутизне усиления S полевого транзистора. Пределы ij и 1ВЫХ для оконечных буферных инверторов обычно оговариваются. Если их превысить, структура может разр шиться. Оконечные транзисторы с большой крутизной занимают значительную часть площади кристалла микросхемы. [37]
Фотошаблоны для контактной печати представляют собой точное отображение рисунка, который необходимо получить травлением. Из-за малых размеров рисунка, необходимого к воспроизведению, первоначально он изготавливается в значительно увеличенном масштабе. Затем он уменьшается до конечных размеров в одну или несколько операций фотографическими методами. Почти во всех случаях размеры подложки значительно больше конечных размеров изображения схем. Поэтому самым экономичным является воспроизведение оригинала изображения несколько раз с целью образования матрицы рисунков, и тогда большое количество кристаллов микросхем или модулей идентичной конфигурации можно изготовить на одной подложке всего за одну операцию контактной печати. [38]