Кристалл - окись - цинк
Cтраница 1
Кристаллы окиси цинка относятся к планальному виду гексагональной сингонии. [1]
 |
Схема установки для получения монокристаллов окиси цинка.| Схема получения монокристаллов окиси цинка методом Фрича. [2] |
На основе кристаллов окиси цинка созданы выпрямители, канальные триоды, преобразователи и усилители ультразвуковых колебаний, термосопротивления. [3]
Рассмотрим снова поверхность кристалла окиси цинка, но предположим теперь, что образец содержит стехиометрический избыток цинка, причем лишние атомы его расположены в междуузлиях решетки. Часть этих дефектов ионизирована, и соответствующие валентные электроны свободно движутся по кристаллу. При адсорбции молекул типа, например, закиси азота эти свободные валентности могут быть использованы для упрочения связи молекулы с ионом цинка. [4]
Рассматриваются двойники в кристаллах окиси цинка, выращиваемые методом парофазного гидролиза хлористого цинка. [5]
Известно, например, что кристалл окиси цинка содержит избыток цинка в форме внедренных атомов. Можно ожидать, что избыточные атомы цинка, встраиваясь в решетку, стремятся иметь ту же электронную конфигурацию, что и нормальные составляющие решетки. Поскольку такими составляющими являются ионы Zn2, то внедренные атомы цинка - доноры свободных электронов. [6]
Проведено теоретическое и экспериментальное изучение двойников в кристаллах окиси цинка, выращиваемых методом парофазного гидролиза хлористого цинка. Вычерчены ожидаемые идеальныз формы, отвечающие выведенным двойниковым законам. [7]
Лосев установил, что если в колебательный контур определенным образом включен кристалл окиси цинка, то последний будет усиливать колебания высокой частоты и даже возбуждать незатухающие колебания. В наши веселые транзисторные дни такое событие прошло бы почти незамеченным, но в 1924 году изобретение Лосева представлялось революционным. Вот что говорилось в редакционной статье американского журнала Radio - News, целиком посвященной работе нижегородского изобретателя: Изобретение О. В. Лосева из Государственной радиоэлектрической лаборатории в России делает эпоху, и теперь кристалл заменит лампу. Автор статьи оказался провидцем: кристалл действительно заменил лампу; правда, это не лосевский кристалл окиси цинка, а кристаллы других веществ. [8]
В рассмотренном выше примере мы намеренно предположили, что исходный материал - кристалл окиси цинка - является идеальным и, в частности, не имеет отклонений от стехиометрического состава. Это было сделано только для того, чтобы показать, как кристалл становится примесным полупроводником в процессе адсорбции; объемные свойства образца не играют при этом никакой роли и рассмотренный механизм адсорбции не зависит от наличия или отсутствия полупроводниковых свойств до контакта с водородом. Если бы так дело обстояло всегда, то изучение влияния полупроводниковых свойств на хемосорбцию и катализ вряд ли имело бы смысл. [9]
Лосев установи ], что если в колебательный контур определенным образом включен кристалл окиси цинка, то последний будет усиливать колебания высокой частоты и даже возбуждать незатухающие колебания. В наши веселые транзисторные дни такое событие прошло бы почти незамеченным, но в 1924 г. изобретение Лосева представлялось революционным. Вот что говорилось в редакционной статье американского / куриала Radio-News, целиком посвященной работе нижегородского изобретателя: Изобретение О. В. Лосева из Государственной радпоолектри-ческой лаборатории в России делает эпоху, и теперь кристалл заменит лампу. [10]
Автор статьи оказался провидцем: кристалл действительно заменил лампу; правда, это не лосевский кристалл окиси цинка, а кристаллы других веществ. [11]
 |
Скорость распада СП3ОН при 450 па различных катализаторах. [12] |
Как видно из табл. 2, препараты, полученные совместным осаждением, состоят из смеси кристаллов окиси цинка и пшинели, гораздо более дисперсной, нежели окись цинка и окись хрома в отдельности. Механическое смешение также препятствует росту кристаллов. [13]
При хранении цинкового электрода, помимо саморастворения, протекают процессы изменения его структуры; укрупняются размеры кристаллов окиси цинка и частично окисляется поверхность отдельных зерен металлического цинка. [14]
Натта [3] в своей работе указывает, что промотирующее действие полуторных окислов по отношению к окиси цинка основано на том, что эти окислы, препятствуя росту кристаллов окиси цинка, делают катализатор более активным и устойчивым. [15]
Страницы: 1 2