Cтраница 2
Возможность беспрепятственного перемещения атомов по поверхности на большие расстояния иллюстрируется также полученными нами3 электронно-микроскопическими снимками, показавшими, что при напылении металлов из молекулярного пучка в вакууме на нити асбеста или на кристаллы окиси цинка получаются ясно очерченные довольно крупные отдельные кристаллики. На снимке с увеличением в 50000 раз хорошо видны паралле-лепипедообразные кристаллики серебра на тонкой игле окиси цинка. [16]
В этой же работе [38] авторы рассмотрели случай, когда сдвиговая волна возбуждается заданным на электроде потенциалом, расположенным на свободной границе, и привели ряд численных расчетов для полосы из пьезокерамики ЦТС - 19 и кристалла окиси цинка при различных соотношениях ширины электрода и длины волны. Следует отметить, что авторы не учитывали влияния внешней диэлектрической среды, контактирующей со слоем пьезоэлектрика. [17]
При больших плотностях разрядного гока около цинкового электрода возможно повышение концентрации цинката калия и выпадение окиси цинка на электроде. При медленных и прерывистых разрядах за счет диффузии концентрация раствора остается почти одинаковой во всем элементе. Поэтому кристаллы окиси цинка могут выпадать в любом месте, в том числе внутри пор диафрагм. Известно, что в ряде случаев окись цинка обладает некоторой электронной проводимостью. Это является причиной возникновения внутренних замыканий в элементе при длительном режиме разряда. [18]
Во-первых, примем, что для окисла с большой плотностью донор-ных центров потенциальный барьер, который появляется в процессе хемосорбции кислорода ( раздел IV, Б), достаточно высок, чтобы воспрепятствовать достижению электростатического адсорбционного равновесия. Кванты, поглощенные в поверхностных слоях кристаллов окиси цинка, будут вызывать появление в них электронов, обладающих гораздо большей способностью реагировать с физически адсорбированным кислородом, чем термические электроны, которым необходимо пройти через всю толщу граничного слоя. [19]
Нитевидные кристаллы окиси цинка Кубо ( Kubo, 1961) получал при нагревании в атмосфере воздуха порошка ZnF2, находившегося в платиновом тигле. Гексагональные желтоватые, прозрачные, в виде игл кристаллы окиси цинка получались в верхней части тигля, где температура была около 950 С. [20]
Наиболее резкое увеличение каталитической активности происходит при температуре прокалкн, на 100 более низкой по сравнению с температурой, при которой происходит быстрое образование шпинели. К моменту завершения шшшелеобразования активность препарата резко падает. Мы думаем, что повышенная активность прокаленного при 300 препарата обусловлена начинающимся по границам соприкасающихся кристаллов окиси цинка и окиси хрома шпипелеобразованием. Шпинелеобразование при 300 идет очень неглубоко, быстро останавливаясь из-за медленности диффузии окиси цинка сквозь образовавшуюся шпинель. Начавшийся процесс вызывает появление изъянов в решетке кристаллов окиси цинка и окиси хрома; эти изъяны ( Lockerstellen) стабилизируются в сросшихся кристалликах окислов со шпинелью. Повышение температуры увеличивает коэффициенты диффузии и приводит к полному шпинелеобразованию, по завершении которого не остается факторов, стабилизирующих неправильности решетки. Подобный процесс ступенчатого шпинелеобразо-вания наблюдался в работе Гильда [17], изучавшего шпинелеобразова-ние в системе окись цинка - окись алюминия, наблюдая изменение структуры под микроскопом и измеряя теплоотдачу накаленных смесей. [21]
Начало победному шествию полупроводников было положено в нашей стране в первые годы Советской власти. И, Ленина, обратил внимание на удивительное явление. Он обнаружил, что кристалл окиси цинка - цинкит, включенный особым образом в схему приемника, усиливает радиоволны. [22]
Лосев установил, что если в колебательный контур определенным образом включен кристалл окиси цинка, то последний будет усиливать колебания высокой частоты и даже возбуждать незатухающие колебания. В наши веселые транзисторные дни такое событие прошло бы почти незамеченным, но в 1924 году изобретение Лосева представлялось революционным. Вот что говорилось в редакционной статье американского журнала Radio - News, целиком посвященной работе нижегородского изобретателя: Изобретение О. В. Лосева из Государственной радиоэлектрической лаборатории в России делает эпоху, и теперь кристалл заменит лампу. Автор статьи оказался провидцем: кристалл действительно заменил лампу; правда, это не лосевский кристалл окиси цинка, а кристаллы других веществ. [23]
Образование окиси цинка в виде отдельной фазы - нерастворимых кристаллов - происходит по мере того, как насыщенный раствор цинката калия пополняется образующейся при разряде окисью цинка. Сначала при разряде окись цинка еще растворяется в электролите, образуя пересыщенный раствор, из которого только после некоторого времени выпадают первые кристаллы окиси. При больших плотностях разрядного тока около цинкового электрода возможно повышение концентрации цинката калия и выпадение окиси цинка на электроде. При медленных и прерывистых разрядах за счет диффузии концентрация раствора остается почти одинаковой во всем элементе. Поэтому кристаллы окиси цинка могут выпадать в любом месте, в том числе внутри пор диафрагм. Известно, что в ряде случаев окись цинка обладает небольшой электронной проводимостью. Это является причиной возникновения внутренних замыканий в элементе при длительном режиме разряда. [24]
Наиболее резкое увеличение каталитической активности происходит при температуре прокалкн, на 100 более низкой по сравнению с температурой, при которой происходит быстрое образование шпинели. К моменту завершения шшшелеобразования активность препарата резко падает. Мы думаем, что повышенная активность прокаленного при 300 препарата обусловлена начинающимся по границам соприкасающихся кристаллов окиси цинка и окиси хрома шпипелеобразованием. Шпинелеобразование при 300 идет очень неглубоко, быстро останавливаясь из-за медленности диффузии окиси цинка сквозь образовавшуюся шпинель. Начавшийся процесс вызывает появление изъянов в решетке кристаллов окиси цинка и окиси хрома; эти изъяны ( Lockerstellen) стабилизируются в сросшихся кристалликах окислов со шпинелью. Повышение температуры увеличивает коэффициенты диффузии и приводит к полному шпинелеобразованию, по завершении которого не остается факторов, стабилизирующих неправильности решетки. Подобный процесс ступенчатого шпинелеобразо-вания наблюдался в работе Гильда [17], изучавшего шпинелеобразова-ние в системе окись цинка - окись алюминия, наблюдая изменение структуры под микроскопом и измеряя теплоотдачу накаленных смесей. [25]
Сохранение неравновесности структуры наблюдается и для кислее. Так, окись цинка - активный катализатор синтеза метанола - быстро теряет активность в результате рекристаллизации. При совместном осаждении гидратов окисей или карбонатов динка и хрома и последующем прогреве при 400 полученный катализатор является аморфным. В результате нагревания до 600 -на рентгенограммах катализатора появляются диффракци-онные линии окиси - цинка и каталитическая активность исчезает. Нагревание окиси цинка при этой температуре в течение 15 часов дает увеличение среднего размера кристаллов от 250 до 350 А, тогда как в присутствии окиси хрома размер кристаллов окиси цинка увеличивается со 130 до 170 А. [26]
Простейший и наиболее широкораспространенный процесс6 состоит в восстановлении нитробензола цинком в водной щелочи. Затем снижают температуру до 110 и продолжают размешивание до тех пор, пока реакция не прекратится. При этом вытек на фильтровальной бумаге должен быть бесцветным. Далее добавляют еще 300 кг сольвент-нафты и 100 л воды для превращения окиси цинка в легче фильтрующуюся гидроокись цинка. Раствор сольвент-нафты сливают с осадка гидроокиси цинка, а последний еще раз экстрагируют сольвент-нафтой. Гидроокись цинка переводят в окись кальцинированием и используют в производстве литопона. Метод отделения окиси цинка от гидразосоединения состоит в промывке продуктов восстановления на фильтрах, отверстия которых меньше кристаллов гидразосоединения, но больше кристаллов окиси цинка. Перегруппировка заканчивается за 8 часов. В одном из процессов, применявшихся IG, реакционную смесь затем подщелачивают концентрированным раствором карбоната натрия, отделяют слой сольвент-нафты, промывают его и охлаждают. При этом бензидин выделяется в виде свободного основания, которое отделяют на вакуум-фильтре и очищают вакуум-перегонкой. Перегнанное основание охлаждают на противнях до кристаллизации и измельчают. [27]