Кристалл - память
Cтраница 1
 |
Типичный кристалл ОЗУ 256X8 бит. [1] |
Кристаллы памяти часто имеют более одного вывода для отпирания кристалла, причем на один из них обычно подается инвертированный сигнал, что позволяет более полно дешифрировать адрес без дополнительных внешних схем. На рис. 4.29 показано, как можно одновременно использовать без дешифраторов несколько блоков памяти. [2]
 |
Влияние числа деталей на обьем дефектов. [3] |
Компьютерный кристалл памяти состоит из большого числа транзисторов - по два на каждый бит. Если бы за функции памяти отвечали отдельные транзисторы, то интенсивность отказов была бы такой, что персональный компьютер просто не смог бы работать. [4]
Выходные данные кристалла памяти подаются через буфер на шину данных микро - ЭВМ. [5]
Мбит и 256-кбит кристаллов памяти. [6]
Следовательно, когда один из кристаллов памяти оказывается выбранным, второй не выбран. [7]
 |
План кристалла НС памяти емкостью 65 К. [8] |
На рис. 6.24 приводится план кристалла ИС памяти емкостью 65 Кбит, в которой накопитель размещается в виде восьми секций, по 8 92 бит в каждой. [9]
Декодирование адреса слова осуществляется в самих кристаллах памяти. [10]
 |
Выбор страницы с кристаллами, имеющими несколько линий отпирания. [11] |
Аналогичная схема показана на рис. 4.30. Если кристаллы памяти имеют только один вывод для выбора кристалла, то для построения системы требуются более сложные технические средства. [12]
 |
Ячейки динамической памяти. [13] |
Типичное устройство статической памяти показано на рис. 4.28. Кристалл памяти имеет 8 линий ввода / вывода данных, 8 входных адресных линий ( так как ОЗУ имеет структуру 256 - 8 бит), две линии отпирания кристалла и линию управления записью. Линия ЗАПИСЬ используется процессором для указания режима работы с памятью: чтение из памяти или запись в память. [14]
 |
Границы областей памяти объемом по 1К каждая в запоминающем устройстве, показанном на Наращивание памяти фрагментами по 1К от ОК до 63К осуществляется с помощью переключателей банков. [15] |
Страницы: 1 2 3