Кристалл - память
Cтраница 2
Содержимое адресованной ячейки памяти поступает на внешние выводы кристалла памяти. [16]
Регенерация ячейки осуществляется путем выполнения операций чтения и записи на кристалле памяти. В системах, имеющих память 8 Кбайт и более, затраты на схемы регенерации для динамической памяти компенсируются более низкой стоимостью, меньшим количеством потребляемой энергии и меньшими размерами этой памяти. [17]
Для перезаписи информации необходимо ее стереть, для чего используется ультрафиолетовое облучение кристалла БИС памяти через окно в корпусе. При этом возникает фототок, вызывающий возвращение электронов из плавающего затвора в подложку кремния. [18]
Тип сигнала: выход Состояние после сброса: высокий уровень ( устанавливается внутренне) Выбор кристалла памяти - сигнал становится активным когда осуществляется обращение к внешней памяти. [19]
 |
Общие характеристики микропроцессоров. [20] |
С реализацией микроЭВМ на основе 16 - и 32-разрядных МП, а также с использованием кристаллов памяти с произвольной выборкой емкостью 64 Кбит широкое распространение получили микроЭВМ с емкостью оперативной памяти до 1 - 2 Мбайт. [21]
При выполнении операции записи в память выполняются следующие действия: точный адрес подается на адресные выводы, кристалл памяти отпирается путем выдачи с выхода дешифратора сигнала низкого уровня, линия ЗАПИСЬ переводится в состояние с низким уровнем сигнала на минимальное время, в течение которого гарантируется правильная передача данных. Линии адреса и данных должны оставаться стабильными до тех пор, пока на линии ЗАПИСЬ действует низкий уровень сигнала. При выполнении операции чтения из шшяти вначале выдается адрес на адресную шину. [22]
 |
Блок ЭВМ планарной конструкции. [23] |
В рассмотренной компоновочной схеме можно выделить следующие уровни коммутации: нулевой - три слоя металлической разводки поверх полупроводниковых структур на кристаллах логических БИС и матричных кристаллах БИС памяти, первый - 33 слоя проводников керамической платы ( см. рис. 2.4), второй - 20 слоев разводки многослойной печатной платы, третий - объемный или шлейфовый монтаж между панелями ЭВМ. [24]
 |
Шеститранзисторная ячейка статической памяти для устройств памяти с линейной выборкой. [25] |
Наиболее часто используемые статические оперативные запоминающие устройства обладают емкостью от 64 бит до 4 Кбит на кристалл. В ближайшее время должны появиться кристаллы памяти емкостью 16 Кбит. Оперативное запоминающее устройство емкостью меньше чем 1 Кбит обычно предназначено для хранения 8-битовых слов и используется в системах сверхоперативной памяти, где для одного блока достаточно 128 бит и меньше. В больших ОЗУ каждый бит адресуется отдельно, поскольку способ выполнения такого типа кристаллов более экономичен. Однако для основной памяти системы необходимо иметь по крайней мере 8 таких кристаллов, чтобы обеспечить хранение однобайтовых слов. [26]
На кристалле размещаются все блоки и отдельные элементы схемы, а также контактные площадки, фигуры совмещения и тестовые структуры. Для примера рассмотрим общий план кристалла ИС памяти с записью и считыванием ( рис. 4.20), функциональная схема которого была приведена на рис. 4.7. Основную часть кристалла занимает накопитель / емкостью 16X16 бит прямоугольной формы, который вместе с блоком усилителей записи и считывания 3 и дешифратором 5 образует фигуру, форма которой близка к квадратной. Остальные блоки и элементы размещаются по периферии так, чтобы избежать пересечений соединений между блоками. Контактные площадки 13 равномерно размещаются по периферии кристалла. [27]
После того как очередной адрес зафиксирован на адресной шине, в 8-разрядном микропроцессоре шина данных ожидает поступления 8 бит. Эти 8 бит могут поступать от одного кристалла памяти, в котором для каждого адреса выводится 8 бит. Можно также использовать 8 кристаллов, каждый из которых будет выдавать 1 бит. Для этого можно присоединить адресные входы каждого кристалла к адресной шине так, что каждый кристалл будет иметь собственный адрес и будет выдавать 1 бит на шину данных. Конечно, можно использовать и два кристалла, каждый из которых будет поставлять 4 бит, или любую комбинацию кристаллов, так чтобы обеспечивалось 8 бит на адрес. [28]
 |
Программируемое логическое устройство ( а. обычная дискретная логика ( б. [29] |
С помощью ПЛИС можно спроектировать одну единственную схему и затем изготавливать несколько различных версий устройства, выпуская платы с различно запрограммированными ПЛИС. Например, вы могли бы иметь компьютер, который содержит кристаллы памяти либо на 256К, либо на 1М, причем изменения касались бы только ПЛИС. [30]
Страницы: 1 2 3