Кристалл - вольфрам
Cтраница 2
Из анализа приведенных топограмм следует, что в результате отжига при 2350 С в течение 5 ч в поверхностных слоях кристаллов вольфрама, деформированных изгибом без электрополировки, происходит только первая стадия полигонизации - образование коротких полигональных стенок. Удаление искаженного поверхностного слоя в процессе деформации либо после нее облегчает протекание полигонизации, и в результате отжига наблюдается образование четких, прямолинейных полигональных границ. Следует, однако, отметить, что наблюдается некоторая разница в характере полигональной структуры кристаллов, у которых искаженный поверхностный слой удалялся непрерывно в процессе деформации, и кристаллов, у которых этот слой был удален после изгиба. В первом случае наблюдается более полное протекание полигонизации, приводящее к образованию укрупненных полигональных блоков с большими углами разворота между ними. [16]
Метод термодесорбции [45] заключается в следующем: сначала газу дают возможность хемосорбироваться на поверхности, например СО на грани ( НО) кристалла вольфрама [46], после чего образец подвергается линейному нагреву в вакууме. [17]
Вместо трехокиси вольфрама можно взять вольфрамовую кислоту H2W04 с добавкой 0 8 - 1 2 % двуокиси тория Th02 или нитрата тория Th ( N03) 4, которые препятствуют росту кристаллов вольфрама в процессе кристаллизации. [18]
На рис. 7.2 и 7.3 показано, как выглядит кристалл вольфрама в ионном микроскопе и решетка висмута в туннельном микроскопе. [19]
Недавно на основе идеи Эренберга мы разработали удобный прибор для исследований, и первые же опыты дали результаты даже более интересные, чем мы ожидали. В настоящее время при помощи этой аппаратуры изучаются чистые поверхности кристаллов вольфрама, никеля и кремния и адсорбированные на них слои газов, причем в каждом опыте на поверхности должен находиться газ только одного типа. Надо полагать, что в результате дальнейшей разработки метода окажется возможным изучать два газа, одновременно присутствующих в приборе, и в условиях, когда они реагируют на поверхности кристалла. [20]
Этот агрегат подвешивался с помощью вольфрамовой ленты, плоскость которой была перпендикулярна пластине и которая таким образом представляла вибрирующий электрод. Неподвижная пластина, на которой должны были производиться измерения контактного потенциала, представляла собой кристалл вольфрама, закрепленный в петле из вольфрамовой проволоки; петля закреплялась на массивном вольфрамовом стержне. Этот стержень был закреплен в стакане 2 типа сосуда Дьюара, так что температуру кристалла можно было изменять, подбирая соответствующую нагревательную баню. Коак-сиально с кристаллом располагалась сделанная из платины электронная пушка 4 с ускоряющими пластинами и фокусирующим электродом, так что эффективную очистку можно было производить электронной бомбардировкой. [21]
Мюллер обнаружил, что при более низких температурах скорость миграции на поверхности заметно увеличивается в присутствии адсорбированных молекул воды. Энергия, требуемая для перехода атомов вольфрама с места на место и для их миграции по поверхности кристалла вольфрама в случае адсорбции молекул воды, может быть снижена до / з своей первоначальной величины. [22]
 |
Теплоты адсорбции азота на окисленных кристаллах. [23] |
Это ясно указывает на необходимость точной характеристики изучаемой поверхности даже для физической адсорбции. Исследования, проведенные с электронным проектором, указывают на сильную адсорбцию благородных газов преимущественно на определенных частях кристалла вольфрама, и это вполне может относиться к общему явлению, связанному с различными теплотами адсорбции на различных участках кристалла. Теплота адсорбции аргона на гранях 100) равна 2100 кал / моль, а на гранях ( 111) - 2600 кал / моль. [24]
Имея в виду приведенные выше рассуждения, уместно поставить вопрос: почему сравнивают количество цезия, адсорбированное на 1 ( СМ2 при оптимальной эмиссии, с числом доступных участков на 1 см2 грани ( ПО), а не любой другой грани. Для этого имеются две причины. Грань ( 110) кристалла вольфрама имеет наиболее плотную упаковку атомов, и ее образование на поверхности вероятнее, чем любой другой грани. Кроме того, как показал еще Мартин [5], при наличии на поверхности вольфрама количеств цезия, которые соответствуют примерно оптимальной активности, грань ( ПО) испускает больше электронов, чем любая другая грань. [25]
 |
Авюэлектронная эмиссия монокристалла вольфрама. [26] |
Вольфрамовая проволока из поликристаллической делается монокристаллической, вернее, составленной из немногих крупных монокристаллов. На ее поверхности по различным радиальным направлениям будут выходить разные грани монокристалла вольфрама, и значит, измеряя плотность электронного тока по разным радиальным направлениям, можно исследовать эмиссию из разных граней. Такие измерения были проделаны Никольсом, показавшим, что работа выхода для различных граней кристалла вольфрама может отличаться на 0 3 эв, а по более поздним измерениям Смирнова и Шуппе - даже на 1 эв. [27]
Наиболее полные данные о работах выхода с разных граней получены для вольфрама. В статье Херинга и Никольса [ 7а ] приведен обзор работ, посвященных термоэлектронным измерениям и их теоретической интерпретации. Недавно Дрекслером и Мюллером [ 7в ] методом холодной эмиссии были определены работы выхода для двух различных граней кристалла вольфрама. [28]
Спрессованные штабики обладают открытой пористостью, поэтому водород во время спекания диффундирует в поры штабика и восстанавливает тонкие пленки окислов, образовавшиеся на поверхности кристаллов. Этим создается чисто металлический контакт между кристаллами штабика. Мелкие кристаллы металла, восстановленного из окисных пленок, располагаются межлу крупными ПРПНИЧНЫМ. И кристаллами вольфрама и, обладая большой поверхностной активностью, способствуют спеканию частиц. [29]
Реакционная способность даже простейших двухатомных молекул в значительной степени определяется их расположением на поверхности. Если предположить, что атомная структура поверхности не отличается от структуры объема, то можно сразу сказать, что простейшая реакция на такой поверхности заключается в присоединении атомов того же типа, т.е. в росте кристалла по всей поверхности. На рис. 2.2 показано изменение энергии связи атомов различных переходных металлов при их взаимодействии с некоторыми кристаллографическими плоскостями кристалла вольфрама. Приведенная на рисунке кривая показывает сильную зависимость энергии связи от валентности адсорбируемых атомов. [30]
Страницы: 1 2 3