Кристалл - вольфрам
Cтраница 3
Как известно, высокая температура плавления свидетельствует о заметном ковалентном вкладе в химическую связь. У d - металлов этот ковалентный вклад обусловлен наличием неспаренных электронов на предвнешней d - оболочке. Можно было бы ожидать, что максимальные температуры плавления должны наблюдаться у элементов подгруппы марганца, которые находятся в середине d - рядов и имеют 5 неспаренных электронов на d - орбиталях. Однако в результате проскока электрона у хрома и молибдена вместо конфигурации d4s2 наблюдается cPs1 с шестью неспаренными электронами, которые и обеспечивают максимальный ковалентный вклад. С этой точки зрения можно предположить, что в кристалле вольфрама также проявляется с - конфигурация, хотя для изолированного атома W в основном состоянии проскок электрона нехарактерен. [31]
Длительное пребывание патрона в горячей зоне печи не допускается, так как при этом наблюдается спекание и рост соприкасающихся частиц восстановленного вольфрама. При получении мелкозернистого вольфрама в исходную шихту вводят небольшой избыток сажи по сравнению с количеством, необходимым по реакции, с целью исключения спекания и роста частиц при таких высоких температурах, как 1500 С. Образование мелкозернистого порошка в таких условиях объясняется наличием мелкодисперсных частиц сажи, являющихся весьма хорошим адсорбентом. Поэтому пары WO3 и других окислов вольфрама, образующихся при высоких температурах, восстанавливаются в первую очередь на поверхностях частиц сажи, а не на поверхностях первичных кристаллов восстановленного вольфрама или его низших окислов. Хотя при температурах порядка 1500 С концентрация СО2 в реакционном пространстве вообще мала, минимальной она будет у частиц сажи; в то же время концентрация СО здесь наибольшая, что также будет способствовать восстановлению паров окислов вольфрама именно на дисперсных частицах сажи. Так как количество частиц сажи очень велико, то кристаллы вольфрама, восстанавливаемые из газообразных окислов, выделяются в большом числе и небольших размеров. [32]
Газ ионизуется на поверхности в степени, определяемой работой выхода поверхности, а возникающие в результате ионы ускоряются радиальным электрическим полем так, чтобы стало возможным их столкновение с экраном. Преимущество данного метода над рассмотренным выше заключается в увеличении разрешающей способности, которая позволяет различать отдельные атомы поверхности. Пример применения метода ионной микроскопии показан на рис. 87; приведенный на рисунке снимок подтверждает, что метод, несомненно, позволяет получить большое количество информации. При изучении адсорбции наблюдают изменения в картине распределения, обусловленные изменением работы выхода при впуске небольшого количества газа независимо от того, в каком месте происходит адсорбция. Как и метод эмиссионной микроскопии, ионная микроскопия позволяет изучать миграцию на поверхности. Комбинируя подобные методы, удалось детально разобраться в природе адсорбции азота на различных гранях кристалла вольфрама при различных температурах. С помощью ионной микроскопии была изучена также адсорбция окиси углерода на вольфраме. [34]
Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем и р - - переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый. Этот процесс сводится к налетанию молекул ( атомов) из газовой фазы. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании; между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависимость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено, что внутреннее строение пленки Ci O определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [35]
Страницы: 1 2 3