Кристалл - галогенид - щелочной металл
Cтраница 2
Так, ассоциация дефектов характерна для кристаллов галогенидов щелочных металлов и для соединений элементов II-VI групп. В следующем разделе мы обсудим взаимодействие дефектов в связи с люминесценцией этих соединений. [16]
Так, изучение - центров в кристаллах галогенидов щелочных металлов методом ЭПР показывает, что их электронная волновая функция является линейной комбинацией s - и р-орбиталей электронов иона натрия при некотором перекрывании с волновой функцией иона галогена. Подобные исследования были проведены на простых полупроводниках при изучении различных дефектов, в частности кластеров, образующихся при взаимодействии дефектов ( см. гл. Было показано, что ЭПР - это уникальный метод идентификации структуры сложных дефектных центров. Например, при облучении кремния частицами с высокой энергией образуются дефекты, одним из которых, как показал анализ спектров ЭПР, оказался атом примеси кислорода, расположенный рядом с вакансией. Метод ЭПР применяется для детального исследования электронной структуры центров, например парамагнитного иона Мп4 в инертной матрице А12О3, и позволяет объяснить некоторые важные оптические и магнитные свойства твердого тела. [17]
 |
Экспериментальные и расчетные значения положения и интенсивности линий люминесцентного спектра GaP. [18] |
Сложные комплексы из нескольких дефектов обнаружены в кристаллах галогенидов щелочных металлов. [19]
Исследование ионной электропроводности представляет удобный метод исследования дефектности кристаллов галогенидов щелочных металлов, так как их электропроводность непосредственно зависит от присутствия дефектов в кристаллах. [20]
Расстояние же между соседними атомами щелочных металлов в кристаллах галогенидов щелочных металлов ( гмм) обычно больше и поэтому энергия образования связи пар вакансий может быть соответственно меньше. [21]
Удовлетворительное объяснение относительно высокой стабильности решетки типа CsCl для кристаллов галогенидов щелочных металлов в рамках теории Борна - Мейера не было найдено. Иен-сена [4], помимо электростатического взаимодействия между ионами и близкодействующего отталкивания, важную роль играют трехчастич-ные взаимодействия, сопровождающиеся обменом электронами между ионами. При б S 120 имеет место притяжение, при 6120 - отталкивание. [22]
 |
Радиальное распределение. [23] |
На рис. 71 сопоставлено расположение ионов вокруг аниона в кристаллах галогенидов щелочных металлов, обладающих решеткой типа NaCl. [24]
Кука [41] 1 Очевидная нечувствительность ширины запрещенной зоны к структуре кристаллов галогенидов щелочных металлов вселяет надежду, что данные табл. 14.2 окажутся полезными и для изучения других структур. Ширины запрещенных зон для кристаллов со структурой флюорита ( табл. 14.3) не поддаются такой простой систематике, хотя для халькогенидов щелочных металлов они могут быть предсказаны с точностью до 20 % при v - g 2S. [25]
Зависимость ( 20) приближенно выполняется для межатомных расстояний в кристаллах галогенидов щелочных металлов и в мономерных и димерных молекулах этих соединений. [26]
В настоящее время большое число различных типов центров окраски в кристаллах галогенидов щелочных металлов используется для создания эффективных оптически накачиваемых лазеров, перестраиваемых в широкой полосе в ближнем ИК-диа-пазоне. Лазеры на центрах окраски позволяют получать генерацию в диапазоне длин волн 0 8 - 3 3 мкм и, следовательно, представляют интерес с точки зрения расширения диапазона в область увеличения длин волн, в которой лазеры на растворах органических красителей не работают. [27]
Канциг и Коэн [25] предположили, что Ог образуется в кристаллах галогенидов щелочных металлов при нагревании в атмосфере кислорода. [28]
Навык выполнения таких операций, как раскалывание, сверление и резка кристаллов галогенидов щелочных металлов, приобретается опытным путем. [29]
Неоднократно сообщалось об интенсивном исследовании ИК-спектров поглощения гидроксил - и цианид-ионов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. В кристалле NaCl гид-роксил-ион дает в спектре КР интенсивный и очень характерный пик при - 3650 см 1, который при охлаждении образца до температуры жидкого гелия смещается в область высоких частот и слегка сужается. Этим спектр КР заметно отличается от ИК-спектра поглощения, в котором при комнатной температуре наблюдается широкая, с трудом обнаруживаемая полоса. Ион OD в NaCl дает интенсивную линию КР при 2690 см -, которая даже не наблюдается в ИК-спектре. Пик в спектре КР примерно при 300 см - обусловлен либрационным движением гидро-ксил-иона. [30]
Страницы: 1 2 3 4