Кристалл - галогенид - щелочной металл
Cтраница 3
Движение ионов в твердом теле определяет электропроводность ионных кристаллов, таких, как кристаллы галогенидов щелочных металлов, где концентрацией свободных электронов можно пренебречь. Из соотношения Эйнштейна (6.13) и уравнения электропроводности, которое определяется выражением a Nqy. [31]
Приведенная трактовка иона аммония в предельных случаях, как, например, для кристаллов галогенидов щелочных металлов, может быть заменена другой. [32]
 |
Электронная микрофотография центра кристалла полиэтилена, выросшего на собственном зародыше. Кристалл оттенен Pd / Аи, угол напыления около 22 к поверхности. [33] |
Они обнаружили, что эпитаксиальный рост кристаллов полиэтилена из раствора в ксилоле на поверхности кристаллов галогенидов щелочных металлов резко уменьшается в области повышенных температур между температурой просветления суспензии кристаллов ( 97 С) и максимальной температурой эпитак-сиального роста ( 109 С), до которой большие молекулы могут кристаллизоваться в определенной степени на поверхности соли ( см. разд. В указанной области температур практически весь высокомолекулярный полимер не кристаллизовался эпитак-сиально, а участвовал в образовании зародышей кристаллизации. [34]
Оптическое поглощение может быть также связано с наличием дефектов, например центров окраски в кристаллах галогенидов щелочных металлов ( см. гл. Совершенные кристаллы галогенидов щелочных металлов прозрачны во всем видимом диапазоне; присутствие дефектов приводит к окрашиванию, обусловленному поглощением света в видимой области. [35]
С давних пор по традиции физики занимаются получением электронно-избыточных или электронно-недостаточных дефектных центров в кристаллах галогенидов щелочных металлов ( F - или V-центры), вводя ионы, которые могут действовать как источники или как ловушки электронов. При радиолизе кристалла вторичные электроны захватываются такими ловушками, в результате чего усиливается образование электронно-дефектных центров. Если примесный ион служит источником электронов, а дырки способны мигрировать по всему кристаллу, то последние могут исчезать при рекомбинации с электронами или за счет процесса переноса электрона. [36]
Очевидно, что ионная модель Берна адекватно передает состояние атомов, по крайней мере в кристаллах галогенидов щелочных металлов, и энергию их взаимодействия в кристаллической решетке. [37]
Однако недавно было показано, что некоторые новые классы лазеров на центрах окраски ( например, кристаллы галогенидов щелочных металлов, активированные ионами Т1) являются стабильными как по отношению к оптическому излучению, так и к температуре. LiF удается застабилизировать путем введения специальных примесей в кристалл. Стабильными получаются также ( / д-центры, например, в кристалле NaF. Fj) - это Fj-центр, Расположенный вблизи дефекта. Особо следует отметить Р - центры в кристалле LiF, которые обеспечивают эффективную генерацию при комнатной температуре и являются стабильными как по отношению к оптическому излучению, так и к температуре. [38]
Однако результаты, полученные для кристаллов инертных газов, нельзя без некоторых существенных изменений применить к кристаллам галогенидов щелочных металлов. Прежде всего анион и катион одного галогенида имеют неодинаковые размеры, так что их гауссовские параметры В также различны. Параметры В нельзя определить по виду потенциальных функций, так как мы не располагаем достаточно точной информацией о функциях парных взаимодействий в рассматриваемом случае. Можно ожидать, что значения В для каждого катиона должны быть несколько больше, а значения В для каждого аниона должны быть несколько меньше значений В соответствующих изозлектрон-ных атомов инертных газов. [39]
Однако результаты, полученные для кристаллов инертных газов, нельзя без некоторых существенных изменений применить к кристаллам галогенидов щелочных металлов. Прежде всего анион и катион одного галогенида имеют неодинаковые размеры, так что их гауссовские параметры Р также различны. Параметры р нельзя определить по виду потенциальных функций, так как мы не располагаем достаточно точной информацией о функциях парных взаимодействий в рассматриваемом случае. Можно ожидать, что значения р для каждого катиона должны быть несколько больше, а значения Р для каждого аниона должны быть несколько меньше значений р соответствующих изоэлектрон-ных атомов инертных газов. [40]
Из табл. 18 непосредственно следует, что в приближении трехчастичных обменных взаимодействий между ионами решетки проблема стабильности кристаллов галогенидов щелочных металлов получает в основном количественное обоснование. В частности, указанная теория позволяет объяснить стабильность решеток типа GsGl в кристаллах хлорида, бромида и иодида цезия. [41]
Из табл. 18 непосредственно следует, что в приближении трехчастичных обменных взаимодействий между ионами решетки проблема стабильности кристаллов галогенидов щелочных металлов получает в основном количественное обоснование. В частности, указанная теория позволяет объяснить стабильность решеток типа CsCl в кристаллах хлорида, бромида и иодида цезия. [42]
Эти авторы исходят из теории полярона Ландау ( 48 ], которая первоначально была развита для F-центров в кристаллах галогенидов щелочных металлов. Электрон взаимодействует с поляризованной им самим диэлектрической средой, причем понятие об особой полости, в которую он заключен, здесь не привлекается. Поэтому ясно, что подобный подход не годится для F-центров. Предполагается, что для полярных жидкостей истинное значение энергии связи лежит в пределах 1 - 2 эв. При этом вследствие поляризации среды электроном может происходить частичная ориентация дипольных молекул растворителя, которая будет углублять потенциальную яму и тем самым способствовать локализации в ней электрона. [43]
Рассмотрены также магнитные свойства соединений урана, структура и свойства полупроводников типа А11 - Bv, катализаторов и окрашенных центров кристаллов галогенидов щелочных металлов. Приведены методы определения и расчета термодинамических функций для сплавов металлов и расплавов солей и метод математической обработки структурных исследований с помощью вычислительных машин. [44]
В сцинтилляционных счетчиках для ( 3-частиц и Y л У ч е и применяют фосфоры ( люминесцирующие вещества) в форме кристаллов галогенидов щелочных металлов, активированных добавкой бромида или йодида таллия. [45]
Страницы: 1 2 3 4