Cтраница 2
Заметим, что алмаз, типичный представитель валентных кристаллов, обладает именно этим строением. Отличие состоит лишь в том, что все атомы в кристалле алмаза одного сорта. [16]
По характеру межатомных сил взаимодействия кристаллические твердые тела подразделяются на металлы, ионные, молекулярные и валентные кристаллы. Силы взаимодействия в твердых телах имеют электростатическую природу и классифицируются следующим образом: 1) кулоновы силы, зависящие от структуры решетки; 2) квантовые силы, возникающие при сближении атомов или ионов; 3) силы Ван-дер - Ваальса, обусловленные поляризацией атомов; 4) валентные силы связи; 5) силы связи, обусловленные кинетической энергией свободных электронов. [17]
По характеру межатомных сил взаимодействия кристаллические твердые тела подразделяются на металлы, ионные, молекулярные и валентные кристаллы. Силы взаимодействия в твердых телах имеют электростатическую природу и классифицируются следующим образом: 1) кулоновы силы, зависящие от структуры решетки; 2) квантовые силы, возникающие при сближении атомов или ионов; 3) силы Ваи-дер - Ваальса, обусловленные поляризацией атомов; 4) валентные силы связи; 5) силы связи обусловленные кинетической энергией свободных электронов. [18]
По этой причине для каталитических исследований весьма трудно получить идеально чистую поверхность валентного кристалла. Однако поверхность такого типа, повидимому, будет плохим катализатором, так как слой реагирующих молекул и продуктов реакции прочно с йей связан. [19]
Зейтцу [170], кристаллические твердые тела подразделяются на металлы, ионные кристаллы, валентные кристаллы, полупроводники и молекулярные кристаллы. [20]
Ярко же выраженный ковалентный характер химической связи г, исходных молекулах приводит к низким значениям координационных чисел атомов в молекулярных пли валентных кристаллах. [21]
Из различных типов кристаллов для электроники представляют интерес ионные кристаллы, состоящие из атомов металлов и атомов металлоидов, кристаллические решетки металлов и, наконец, валентные кристаллы, образуемые элементами четвертой группы менделеевской таблицы, такими, как кремний и германий. Природа междуатомной связи в этих кристаллах имеет много общего с природой рассмотренной выше связи в молекулах. [22]
Как в молекулярных, так и в кристаллах с водородными связями в основном состоянии все разрешенные уровни энергии заняты электронами, в этом отношении они не отличаются от ионных и валентных кристаллов и при низких температурах обычно являются изоляторами. [23]
Если проследить за выкладками, выполненными в разделе 6.2 и в данном разделе, нетрудно убедиться в том, что все полученные уравнения остаются формально справедливыми и для нейтральных атомов в случае металлических сплавов или валентных кристаллов, если для них положить заряд qK равным нулю. [24]
Особое место среди твердых тел занимают полупроводники, к которым относятся окись и закись меди, окись цинка, селен, германий и др. По таким свойствам, как твердость, раскалываемость и структура решетки, полупроводники напоминают валентные кристаллы. Особые свойства полупроводников, которые будут подробно рассмотрены во втором томе курса, обеспечили им широкое применение в науке и технике. [25]
Различным типам связи соответствует различная координация атомов и в соответствии с этим - различные типы структуры кристаллов. В валентных кристаллах электроны распределены между соседними атомами на валентных связях. [26]
Валентные кристаллы, прототипом которых является алмаз характеризуются сильно выраженной направленностью валентностей. Атомы в валентном кристалле стремятся занять строго определенные взаимные положения; энергия решетки сильно зависит от угловой ориентации атомов. Силы связи в этих веществах весьма сходны с силами связи между атомами идеальной органической молекулы. Валентные кристаллы обычно образуют элементы, расположенные в малых периодах периодической системы элементов. Поверхностный слой атомов в валентном кристалле является весьма ненасыщенным, поскольку отсутствует прилегающий слой атомов, с которым могли бы быть связаны атомы поверхности. Поверхностный слой такого типа должен быть чрезвычайно реакционноспособным. Этот слой должен образовывать прочные связи с молекулой, приближающейся к поверхности, в частности в случае, когда прочность связей в молекуле меньше, чем в кристалле. [27]
Таким образом, в рассмотренном примере примесь алюминия, имеющего в нейтральной форме больше валентных электронов, чем замещаемый им магний, обладает свойствами донора; примесь лития, имеющего меньше валентных электронов, чем магний - свойствами акцептора в соответствии со сформулированным выше правилом. Оба рассмотренных примера валентного кристалла Ge и ионного кристалла MgO показывают, что, несмотря на существенно различный характер распределения электронной плотности, свойства донорных и акцепторных примесей в них вполне аналогичны. [28]
Каждый атом углерода имеет четырех ближайших соседей, что соответствует валентности углерода. По характеру связей алмаз представляет собой типичный валентный кристалл и в соответствии с этим является диэлектриком и обладает малой теплопроводностью. [29]
Во-первых, низкочастотная диэлектрическая восприимчивость прямо отражает электронный вклад в обычную статическую диэлектрическую проницаемость. В этом можно убедиться, если к ко валентному кристаллу в форме пластины приложить статическое электрическое поле еГо, перпендикулярное кристаллической поверхности, как показано на рис. 4.6. В результате поле § внутри образца будет отличаться от поля о из-за наличия поверхностных зарядов. [30]