Cтраница 2
Зависимость е ( Г СВЧ-дн-электриков. [16] |
Как видно из рис. 3.13, для разных кристаллов величина еи может находиться в пределах 1 - 104 при достаточно низких диэлектрических потерях. [17]
В строительстве применяют поликристаллические каменные материалы, в которых разные кристаллы ориентированы беспорядочно. Подобные материалы рассматриваются как изотропные по своим строительно-техническим свойствам. [18]
Схема метода Брэггов. [19] |
Величина d имеет, конечно, различные значения для разных кристаллов и для разных граней одного и того же кристалла. [20]
Следует отметить, что величина угла между оптическими осями у разных кристаллов различна. [21]
Для повышения точности данных проводится до 20 параллельных определений на разных кристаллах. [22]
Структура зон с учетом зависимости энергии от импульса ( волнового вектора. [23] |
Усложняется вид кривых и за счет того, что в разных кристаллах разрешенные зоны образуются расщеплением различных уровней. [24]
Схема метода Лауэ. [25] |
Этот угол должен быть разным для разных длин волн К, для разных кристаллов и даже для разных граней одного и того же кристалла, которым соответствуют разные расстояния. [26]
Процесс диффузии протекает медленно, поэтому в реальных условиях охлаждения состав в пределах каждого кристалла и разных кристаллов не успевает выравниваться, и он будет неодинаковым. [27]
Процесс диффузии протекает медленно, поэтому в реальных условиях охлаждении состав в пределах каждого кристалла и разных кристаллов не успевает выравниваться, и он будет неодинаковым. [28]
Процесс диффузии протекает медленно, поэтому в реальных условиях охлаждения состав в пределах каждого кристалла и разных кристаллов не успевает выравниваться, и он будет неодинаковым. [29]
Процесс диффузии протекает медленно, поэтому в реальных условиях охлаждения состав в пределах каждого кристалла и разных кристаллов не успевает выравниваться и будет неодинаковым. [30]