Разный кристалл

Cтраница 3

Схема направленной диффузии активатора в механической смеси двух кристаллических веществ при прокаливании Цифры в кружках означают температуру плавления, С. [31]

Очень интересные с точки зрения аналитической химии данные содержит работа Трофимова [112] по диффузии РЗЭ-активаторов в разных кристаллах. Автор приводит схему ( рис. 25), показывающую направление диффузии РЗЭ от одного кристалла к другому ( являющемуся акцептором) при высокой температуре. Наилучшими акцепторами для РЗЭ, по данным автора, являются ThO2 и СаМоО4, превращающиеся в присутствии РЗЭ в отличные кристаллофос-форы. [32]

Внутренние напряжения 2-го рода существуют в пределах одного кристаллита, постоянны по величине и по направлению в разных кристаллах неодинаковы. Внутренние напряжения 3-го рода приблизительно аналогичны им, но существуют в пределах кристаллической решетки, Непосредственное измерение внутренних напряжений невозможно. Измерению поддаются только их проявления, сказывающиеся на изменении формы, а также физических, химических или технологических свойствах осажденного и основного металлов. [33]

В практике металлофизических исследований часто встречается случай интерференционного контраста, связанный с интерференцией лучей, претерпевших дифракцию на двух разных кристаллах при близких межплоскостных расстояниях или на кристаллах одного и того же вещества, но слегка разориентированных. [34]

При более сильных полях пик располагается ближе к поверхности в области, где все еще сохраняется различие значений ФдНеш для разных кристаллов. [35]

Линейная модель дислокаций. [36]

Эта модель для одномерного случая иллюстрируется схемой, представленной на рис. 1.16. По существу указанная модель предполагает наличие псевдоморфизма на поверхности раздела двух разных кристаллов. [37]

Экспериментальные данные, полученные Брэггами для дифракции рентгеновских лучей кристаллом хлорида натрия. [38]

В течение нескольких месяцев Брэггам удалось установить длины волн рентгеновских лучей с точностью до 1 %, а также определить структуру примерно 20 разных кристаллов. [39]

Все дальнейшее будет понятно лишь в том случае, если у вас под руками будут шарики, на которых вы будете строить модели разных кристаллов. [40]

Таким образом, наличие хрупкого состояния обусловлено тем, что при определенных условиях опыта у данного кристалла или при данных условиях опыта у разных кристаллов поверхностные искажения, как первичные, так и вторичные, становятся опасными. [41]

В общем единственный способ оценить результат динамического взаимодействия большого числа пучков в кристалле - это выполнить большое количество подробных n - волновых вычислений для разных кристаллов, имеющих набор по толщине и ориентаци-ям, и попытаться проанализировать результаты. Существуют, однако, специальные случаи, для которых результат n - волновой дифракции можно понять из сравнения с более простым аналогичным результатом для относительно малого числа пучков. [42]

ЦА-преобразователь с управляемым переключением токов.| Построение источников тока на биполярных транзисторах. [43]

Возможность реализации подобных ключей на стандартных ЭСЛ-элементах иллюстрируется рис. 24.12. Дифференциальный каскад Т3 - Г3 образован из выходных эмиттерных повторителей двух вентилей, расположенных на разных кристаллах. В рассмотренном случае оказывается удобным то обстоятельство, то коллектор выходного эмиттерного повторителя подключен к точке Mt. Ток Ik, протекающий через этот вывод, служит выходным сигналом. [44]

Конкретный вид функции g ( e) или v ( со), так же как и закона дисперсии со ( k), различен у разных кристаллов, поэтому мы можем высказать определенные общие суждения только о поведении; плотности колебаний вблизи некоторых особых точек. [45]

Страницы: 1 2 3 4