Чистый кристалл

Cтраница 2

Из чистых кристаллов изготовляют призмы для спектрометров. [16]

Схема различных типов внутриатомных связей. [17]

Электропроводность чистого кристалла ничтожна при низкой температуре, как в случае ионной связи, но повышение температуры приводит к ее быстрому росту и влечет за собой разрыв некоторого количества связей. [18]

К вопросу о механизме электронного и дырочного токов в кристалле. [19]

Электропроводность чистого кристалла определяется не только электронами зоны проводимости. В зону проводимости электроны переходят из заполненной зоны, и появление в ней свободных уровней приводит к возникновению проводимости другого типа - так называемой дырочной проводимости. [20]

Спектр чистого кристалла кремния ( рис. 8.28) имеет два двухфо-нонных пика, обозначаемые ТО ТА и LO TA для того, чтобы отличить их от однофононных колебаний, индуцированных дефектом. Показано, что эти полосы характерны для неагрегированного замещающего бора. [21]

Выделение чистых кристаллов марганцовокислого калия из раствора затруднительно ввиду образования большого количества шлама. [22]

Для более чистых кристаллов германия т может достигать 1000 мксек. В кристаллах с большим числом дефектов ( примесные атомы, микротрещины) т уменьшается и может упасть до 1 мксек. [23]

Под чистым кристаллом подразумевается такой кристалл, в котором не удается обнаружить влияние остаточных примесей на величину исследуемого свойства. [24]

В чистом кристалле число примесей мало. При низких температурах ангармоничность также мала. Поэтому при низких температурах, достаточно далеких от температуры плавления, время жизни фононов оказывается весьма малым и понятие о фононах как о квазичастицах, имеет полный смысл. [25]

В чистых кристаллах подвижность электронов при прово. [26]

В чистых кристаллах фосфоресценция возникает труднее, чем в разбавленных растворах в твердых средах. Вследствие большого времени жизни она особенно чувствительна к процессам тушения, В кристалле, где возможна связь с соседними молекулами, переход из основного состояния на высший уровень и передача избытка энергии колебаниям решетки являются весьма вероятными процессами. Соответственно фосфоресценция проявляется редко, почти исключительно при очень низких температурах, когда каскад столкновений замедляется и может стать той ступенью всего процесса дезактивации, которая и определяет его скорость. [27]

В чистых кристаллах причиной возникновения мелких ловушек ( - 0 3 эВ) является увеличение поляризационной энергии в окружении дефекта кристаллической решетки. Петеленц подчеркивает, что при освобождении захваченного электрона необходимо не только придать ему энергию, равную энергии связи с ловушкой Е, он еще должен уйти от ловушки за время, которое много меньше времени колебательной релаксации для избыточного электрона. [28]

В чистом кристалле германия и в кристаллах других полупроводниковых элементов при низких температурах свободных электронов нет, а такие кристаллы в этих условиях являются хорошими диэлектриками. [29]

В достаточно чистых кристаллах при температурах, близких к абсолютному нулю, проявляется зависимость средней длины свободного пробега фононов от размеров образца. [30]

Страницы: 1 2 3 4