Чистый кристалл
Cтраница 3
В чистом кристалле Сбо наблюдается ряд фазовых переходов, механизм которых остается во многом еще неясным. Согласно калориметрическим измерениям, имеются два фазовых перехода 1-рода при температурах 260 и 425 К. Фазовый переход при 260 К соответствует не одному, а двум переходам - медленному и резкому с точками переходов 240 и 259 К. В работе257 также наблюдались два пика теплоемкости при 250 и 255 К, которые, однако, объясняются авторами наличием дефектов и примесей в кристалле. [31]
В достаточно чистых кристаллах непрямые переходы обычно существенно менее вероятны, чем прямые. Разность wv - w зависит от закона дисперсии в зонах и ориентации поверхности эмиттера относительно кристаллических осей. [32]
В чистом кристалле кремния ( или германия) каждый атом ковалентно связан с каждым из четырех других атомов ( структура алмаза), а так как каждый атом имеет четыре валентных электрона, все валентности при такой структуре насыщены. Атомы примеси должны иметь такую природу, чтобы они могли заместить некоторые из атомов полупроводника в кристаллической решетке. [33]
В абсолютно чистом кристалле возникновение свободного электрона всегда сопровождается образованием дырки. [34]
В идеально чистом кристалле при температуре абсолютного нуля ( t - 273 С) валентная зона полностью заполнена электронами и зона проводимости пуста. [36]
В чистом кристалле германия и в кристаллах других полупроводниковых элементов при низких температурах свободных электронов нет, и такие кристаллы в этих условиях являются хорошими диэлектриками. [37]
В очень чистом кристалле дислокации могут легко мигрировать под влиянием относительно слабого напряжения и при относительно низкой температуре. [38]
 |
Примесная проводимость германия. [39] |
В химически чистом кристалле полупроводника число дырок всегда равно числу свободных электронов, и электрический ток в нем образуется в результате одновременного переноса зарядов обоих знаков. Такая электронно-дырочная проводимость называется собственной проводимостью полупроводника. [40]
В химически чистом кристалле полупроводника число дырок всегда равно числу свободных электронов и электрический ток в нем образуется в результате одновременного переноса зарядов обоих знаков. Такая электронно-дырочная проводимость называется собственной проводимостью полупроводника. При этом общий ток в полупроводнике равен сумме электронного и дырочного токов. [41]
Чтобы получить чистые кристаллы, захваченный ими электролит отмывают или отгоняют под вакуумом. [42]
Для получения чистых кристаллов раствор перед охлаждением должен отстаиваться для осаждения взвеси. Охлаждение раствора ведут при перемешивании, во избежание прилипания кристаллов к стенкам. Отделение от жидкости производят на нутч-фильтрах. [43]
Для получения чистых кристаллов растворы перед кристаллизацией очищают от примесей, осаждая их в виде нерастворимых соединений. Так, примеси ионов металлов часто осаждают в виде гидроксидов, повышая рН раствора добавлением щелочи. Раствор соли может быть очищен от иона металла, если рН осаждения его гидроксида меньше рН осаждения гидроксида металла, образующего очищаемую соль. [44]
Для получения чистых кристаллов растворы перед кристаллизацией подвергают очистке от загрязняющих их примесей - осаждением последних в виде нерастворимых соединений. Например, загрязняющие раствор ионы металлов осаждают в виде гидроксидов. Этот процесс в основном зависит от рН раствора. Для каждого иона металла имеется узкая область значений рН, в пределах которой происходит осаждение его из разбавленного раствора. [45]
Страницы: 1 2 3 4