Ионный кристалл - тип
Cтраница 2
Соединения рубидия находят применение в полупроводниковой технике ( термисторах и пьезоэлементах) в виде ионных кристаллов типа RbCl. Под влиянием облучения рентгеновыми лучами или потоком электронов в кристалле RbCl появляются отдельные центры поглощения света, которые при освещении видимым светом создают электронную фотопроводимость. [16]
В твердом агрегатном состоянии у веществ могут образоваться не только ионные кристаллические решетки ( решетки ионных кристаллов типа NaCl), но также молекулярные и атомные. Так, твердый иод и твердый диоксид углерода ( сухой лед) имеют молекулярные решетки, в узлах которых находятся молекулы 12 и СО2 соответственно, а алмаз и графит - атомные решетки, имеющие в узлах атомы углерода С и отличающиеся расположением этих узлов в пространстве. [17]
Как мы видели в разделе V4, кулоновские силы, действующие между ионом и кубической гранью ионного кристалла типа хлористого натрия, обладают небольшой величиной. На ребрах, особенно в углах кристаллов, силы притяжения также оказываются значительно большими, чем на плоской поверхности. [18]
Для метода псевдопотенциала наиболее удобны лишь те объекты, в которых хорошо определена структура ионного остова ( металлы, ионные кристаллы типа AIBVI1), но значительные сложности возникают при применении его к полупроводникам. С этой точки зрения метод не является достаточно универсальным. [19]
Для объяснения перехода от устойчивых суспензий к суспензиям с тиксотропными свойствами и, наконец, к флоккуляции Фрейндлих 15 разработал гипотезу, подобную гипотезе Борна об устойчивости решетки ионных кристаллов типа хлористого натрия. Силы электростатического притяжения и отталкивания, действующие между частицами суспензии, зависят от расстояния г и от потенциала i), что и объясняет оба противоположных действия. [20]
Соответственно этому энергия сцепления, отнесенная к одному атому, имеет тот же порядок величины, что и энергия химической связи, и колеблется от 1 эв ( у металлов) до 10 эв ( у ионных кристаллов типа поваренной соли) в расчете на одну частицу. [21]
 |
Зависимость электропроводности теллуридов цинка ( 7 и кадмия ( 2 в твердом и жидком состояниях от температуры. [22] |
Переход по типу полупроводник - полупроводник осуществляется) при плавлении алмазоподобных кристаллов А 1 В J1 состехио-метрическими вакансиями ( рис. 136); б) при плавлении гетеродесми-ческих соединений Av В со структурой тетрадимита; в) при плавлении гомодесмических соединений А ВУ1и AIV BVI со структурой ионных кристаллов типа CaF. [23]
Причиной появления общепринятого названия высокочастотных ветвей колебаний послужило то обстоятельство, что во многих кристаллах эти колебания являются оптически наблюдаемыми. В ионном кристалле типа Nad элементарная ячейка содержит два разноименных иона, относительное смещение которых изменяет ди-польный момент элементарной ячейки. Следовательно, колебания, связанные в основном с относительными смещениями ионов, интенсивно взаимодействуют с электромагнитным полем, и потому доступны изучению оптическими методами. [24]
Образование однотипных кристаллических структур у моносоединений переходных металлов должно иметь, по-видимому, общую причину, а именно - идентичное строение внешних электронных оболочек ионов. Объяснение структур ионных кристаллов типа NaCl и CsCl на основании использования представлений о направленных связях, возникающих в результате обменного взаимодействия р-орбиталей и обусловливающих наличие определенной доли ковалентной связи в этих ионных кристаллах, очевидно, может быть распространено и на соединения переходных металлов того же типа. [25]
Модели дефектов обычно строятся по аналогии с хорошо изученными дефектами в щелочногалоидных кристаллах или по аналогии с классическими полупроводниками, с четырьмя валентными электронами. Природа дефектов в ионных кристаллах типа щелочногалоидных и в ковалентных кристаллах, таких как германий, кремний и соединения типа АШВУ, в основном описывается с достаточным приближением в первом случае ионной моделью, во втором случае - зонной теорией полупроводников. И в том и в другом случае заполненные состояния отделены от свободных запрещенной зоной. [26]
Теплоемкость одноатомных, близких к изотропным кристаллов весьма хорошо описывается формулой Дебая, хотя наблюдаются и некоторые расхождения. Теорию успешно применяют также к простым ионным кристаллам типа щелочногалогенид-ных. При этом в случае близких масс разноименных ионов колебательный спектр можно приближенно описать как де-баевский с одной характеристической температурой. При значительных различиях в массах ионов спектральная функция имеет две ветви, акустическую и оптическую, разделенные зоной разрыва. [27]
Соединения низшей степени окисления ( степень окисления чаще всего 2; - ( - 1 - медь, ее электронные аналоги и ртуть) образуют молекулы или кристаллы ионного типа с большой степенью ионности. Например, оксид титана TiO образует ионные кристаллы типа NaCl. В химических реакциях соединения низшей степени окисления обычно проявляют восстановительные свойства, за исключением непрочных соединений благородных металлов, вызывающих реакции окисления, что используется, например, в серебряно-цинковых аккумуляторах. [28]
Соединения низшей степени окисления ( степень окисления чаще всего - ( - 2; 1 - медь, ее электронные аналоги и ртуть) образуют молекулы или кристаллы ионного типа с большой степенью ионности. Например, оксид титана TiO образует ионные кристаллы типа NaCl. В химических реакциях соединения низшей степени окисления обычно проявляют восстановительные свойства, за исключением непрочных соединений благородных металлов, вызывающих реакции окисления, что используется, например, в серебряно-цинковых аккумуляторах. [29]
 |
Анализ Петча для окиси магния в температурном интервале 1000 - 1600.| Анализ Петча для люкалокса в температурном интервале 1000 - 1900. [30] |
Страницы: 1 2 3