Отдельный кристалл

Cтраница 4

Формирование каждого отдельного кристалла требуемого размера происходит в две последовательные стадии: возникновение зародыша твердой фазы и его последующий рост. При массовой кристаллизации процессы зарождения новых центров и рост уже существующих кристаллов в объеме кристаллизующегося раствора происходят одновременно. [46]

Недавние исследования отдельных кристаллов чистого свинца, олова и кристаллических агрегатов свинца и его сплавов, проведенные, в частности, Муром ( см. предыдущее примечание), а также в работах: Moore H. [47]

Модель размещения атомов в области границ зерен металла. [48]

Границы между отдельными кристаллами ( зернами) обычно представляют переходную область шириной до 3 - 4 межатомных расстояний, в которой решетка одного кристалла, имеющего определенную кристаллографическую ориентацию, переходит в решетку другого кристалла, имеющего иную кристаллографическую ориентацию. Кроме того, по границам зерен в технических металлах концентрируются примеси, что еще больше нарушает правильный порядок расположения атомов. Несколько меньшие нарушения наблюдаются на границах субзерен. [49]

Монокристаллом обычно называется отдельный кристалл, лишенный правильного огранения, апример имеющий форму того сосуда, в котором находилась кристаллизовавшаяся жидкость. [50]

Выделившиеся из раствора отдельные кристаллы имели вид удлиненных призм ( 0 5 см и больше), большей же частью они были собраны в друзы. После перекристаллизации из этилового спирта сомикарбазон плавился при 189 - 190, вполне согласно с данными Бредта. [51]

Схема процесса скрайбирования. [52]

Разделение пластины на отдельные кристаллы осуществляют, путем скрайбирования и последующей ломки пластины. [53]

Монтаж с помощью балочных выводов из AI на кристалле.| Балочные выводы на подложке. [54]

Разделение пластины на отдельные кристаллы производится методом глубинного травления через маску, образуемую фоторезистом или лазерным скрайбированием. На рис. 149 показан упрощенный вариант балочного вывода с использованием хрома в качестве подслоя под балочным выводом из золота. Хром обеспечивает хорошее сцепление и с алюминием, который также можно использоваться балочных выводов ИС. Слой алюминия в этом случае напыляется в вакууме до толщины порядка 5 - 6 мкм. [55]

Схема процесса скрайбирования. [56]

Разделение пластины на отдельные кристаллы осуществляют, путем скрайбирования и последующей ломки пластины. [57]

Вследствие перемешивания суспензии отдельные кристаллы находятся в кристаллизаторе неодинаковое время и, следовательно, вырастают до различного размера, поэтому гранулометрический состав продукта неоднороден. [58]

Прямое магнитное взаимодействие в твердых телах. [59]

Однако вначале рассмотрим отдельный кристалл HF. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5