Cтраница 5
С, размеры отдельных кристаллов D, степень искаженное кристаллической решетки, степень ориентации кристаллов в растянутом образце. [61]
Одновременно происходит рост отдельных кристаллов корунда; при 1450 - 1500 они достигают размера до 1 мк, повышение температур обжига до 1600 - - 1800 вызывает дальнейший их рост до 3 - 10 мк. Добавление к глинозему 1 - 2 % ТЮ2, образующей с корундом твердые растворы, в значительной мере ускоряет рост кристаллов. [62]
ПЗУ микропрограмм на отдельном кристалле значительно проще, чем вместе со схемой процессора. [63]