Дефектный кристалл

Cтраница 3

В подтверждение этого положения он обнаружил, что дефектные кристаллы растут в 300 раз быстрее, чем совершенные, для которых и был установлен экспоненциальный закон роста. [31]

Бахромчатомицеллярная ( а и бахромчатофибриллярная ( б структуры целлюлозы по Херлю. [32]

Модель бахромчатой мицеллы в отличие от разных форм дефектных кристаллов имеет двухфазный характер. Херль [206] отмечает, что использование термина фаза имеет трудности. Структура волокна находится не в окончательном равновесии, а в состоянии метастабильного равновесия. Это метастабильное состояние может быть определено только при установлении местонахождения всех индивидуальных единиц в полимерной цепи. Простую концепцию фаз нельзя использовать строго: границы между различными областями могут быть нечеткими и может быть много промежуточных степеней порядка. Однако удобной идеализацией структуры является рассмотрение ее в виде совокупности определенно кристаллической и аморфной фаз. [33]

Размножение иглами и поликристаллическое размножение связаны с ростом дефектных кристаллов. Обычно оно не проявляется при тех условиях, которые необходимы для получения хороших кристаллов. Следовательно, эти типы размножения не имеют, видимо, большого практического значения. Однако размножение при столкновении универсально в своем проявлении и может иметь место при условиях, при которых возможно выращивание хороших кристаллов. [34]

Наоборот, случай осевой текстуры из кристаллов или дефектных кристаллов полимеров, внутри которых выдержана ориентированная определенным образом сетка проекций, весьма типичен. [35]

Пленки и волокна, подвергнутые холодной вытяжке, содержат дефектные кристаллы, которые при нагревании перестраиваются даже в большей степени, чем кристаллы в недеформированных образцах, полученных кристаллизацией расплава. Однако рекристаллизация в вытянутых образцах протекает, по-видимому, не в столь значительной степени, как в изотропных образцах, особенно если при плавлении концы образца закреплены. Дефекты, возникающие при деформации, вызывают увеличение объема и энтальпии кристаллов, объем и энтальпия некристаллических областей, наоборот, при деформации уменьшаются. В сильно вытянутых образцах, которые не релаксируют полностью перед плавлением, указанное увеличение температуры кристаллов при отжиге перекрьюается их перегревом, обусловленным влиянием проходных молекул ( рис. 9.32 - 9.3 Перегрев кристаллов может достигнуть 50 С. Попытка количественно связать перегрев кристаллов со степенью вытяжки на основании теории высокоэластичности, описанной в разд. Для установления такой корреляции необходимо принимать во внимание локальное растяжение макромолекул. Релаксация напряжения в проходных молекулах, обусловленная либо структурной перестройкой в аморфных областях, либо частичным плавлением, вызывает уменьшение температуры плавления оставшихся нерасплавленными кристаллов и часто приводит к резкому сужению температурного интервала плавления. Время, необходимое для релаксации напряжения в образцах, различно для разных полимеров. [36]

Вместе с тем система структурных элементов неудобна для статистико-термодинамического описания дефектных кристаллов. Дело в том, что в кристаллах химических соединений общие количества позиций в различных подрешетках жестко связаны между собой определенными стехиометрическими соотношениями. Это накладывает на концентрации различных структурных элементов определенные условия связи, так что структурные элементы нельзя рассматривать как компоненты системы, концентрации которых можно варьировать независимо друг от друга. [37]

На основании соотношений (2.41) - (2.43) химические потенциалы ионов в дефектном кристалле могут быть выражены через концентрации различных атомных дефектов с подходящими значениями эффективных зарядов. [38]

При быстром охлаждении расплава триоксана с иодом получается, по-видимому, сильно дефектный кристалл мономера с вкраплениями кристаллов иода. Инициирование может происходить на границе триоксан - иод в ионизованных местах кристалла иода, причем концентрация этих мест зависит от температуры. После акта инициирования, благодаря большой константе роста в направлении оси с кристалла мономера активный центр быстро доходит до дефекта в мономерном кристалле, образуя полимерную цепь: при этом активный центр либо замораживается, либо погибает. [39]

Рассмотрены влияние дефектности кристалла на его свойства; физико-химические свойства получения дефектных кристаллов с заданными свойствами; явления переноса; влияние дефектов на кинетику твердофазных процессов. Даны представления о протяженных дефектах и их взаимодействии с точечными дефектами. [40]

После контроля пластины разрезают на кристаллы, соответствующие отдельным микросхемам, и дефектные кристаллы отбраковывают. Затем производят контроль и испытания готовых микросхем с помощью автоматизированных систем, работающих по заданной программе. Различают тестовый контроль ( проверка функционирования) и параметрический, заключающийся в измерении электрических параметров и проверке их соответствия нормам технических условий. [41]

Но, с другой стороны, известно, что во многих случаях заведомо дефектные кристаллы обладают более высокой прочностью, чем кристаллы менее искаженные. Точно так же пластически деформированный кристалл - это тоже испорченный, дефектный кристалл, а предел текучести у него выше, чем у более совершенного кристалла, еще не испытавшего наклепа. [42]

Кривые изменения удельного объема каучука во времени при разных температурах5. [43]

Такие явления наблюдаются и у низкомолекулярных веществ: известны, например, очень дефектные кристаллы и хорошо упорядоченные жидкости. Однако достаточно совершенный ближний порядок принципиально отличается от мало совершенного дальнего порядка. [44]

Страницы: 1 2 3 4