Дефектный кристалл

Cтраница 4

Напайка кристалла обеспечивает хороший тепловой контакт с корпусом, а также позволяет заменять - дефектные кристаллы в многокристальных ИС. [46]

Во многих физико-химических задачах бывает удобнее пользоваться не квазихимическим, а обычным химическим методом описания дефектных кристаллов. [47]

Зависимость электропровод - [ IMAGE ] Зависимость электропроводности а - 1п2Те3 от температуры ности, коэффициента Холла и эффективной подвижности в 1п2Тез от температуры. [48]

Образование донорных и акцепторных уровней невозможно, если величина добавочного электрического поля, возникающего в решетке дефектного кристалла, превышает энергию активации примесных центров. Ввиду аномально большой концентрации собственных дефектов в соединениях A Bj1 следует учитывать значительное превышение дополнительного электрического поля над энергией диссоциации многих примесных атомов. [49]

Беспорядочный характер распределения молекул, по-видимому, замедляет рост кристаллов и в поперечном направлении; образование дефектных кристаллов, очевидно, неизбежно, и в результате этого отдельное поперечное кристаллографическое направление, если бы его можно было проследить, вероятно, представляло бы собой извилистую линию, проходящую сквозь эту беспорядочную массу молекул. Тот факт, что сферолиты начинают образовываться в тех же самых точках при повторном нагревании и охлаждении полимеров, совпадает с приведенной картиной кристаллизации, если вспомнить о высокой вязкости расплавов полимеров при температуре немного выше температуры плавления; молекулы в расплаве изгибаются, но не передвигаются в заметной степени, и поэтому упаковка молекул, необходимая для образования центров кристаллизации, не разрушается полностью до тех пор, пока полимер не будет подвергнут нагреванию в течение длительного времени при температуре, значительно превышающей температуру плавления. Из свойств вытянутых волокон, в которых молекулы расположены параллельно оси волокна, известно, что показатель преломления для направления поляризации, перпендикулярного к оси молекул, ниже, чем для направления вдоль оси молекул. Следовательно, в сферолитах линейные молекулы расположены по касательным, а не радиально. Поэтому рост кристалла, по-видимому, происходит быстрее в направлении, перпендикулярном линейным молекулам, а не вдоль их. Дву-лучепреломление ( разность двух показателей преломления) очень незначительно по сравнению с двулучепреломлением вытянутых волокон, и, как и можно было ожидать, электрониомикроскопические снимки указывают па очень низкую степень тангенциальной ориентации в сферолитах. [50]

Все выше изложенное показывает, что в отличие от традиционного химического подхода при обоих способах описания дефектных кристаллов мы имеем дело не с системой истинных атомов, ионов или молекул, а с системой некоторых квазичастиц - структурных элементов или относительных составляющих единиц. Тем не менее в химии твердого тела принято изображать любые процессы с участием таких квазичастиц в виде уравнений реакций, формально подобных обычным химическим реакциям в растворах или газах. Специфика твердофазных реакций часто подчеркивается тем, что такие реакции называют квазихимическими, а сам метод - к в а з и х и-мическим методом. При таком методе согласно двум описанным выше способам представления дефектных кристаллов квазихимические реакции записываются двумя способами: через структурные элементы и через относительные составляющие единицы. [51]

Интерпретировать данные по плавлению разветвленного полиэти-зна обычно сложно из-за эффектов отжига, реорганизации и рекристал - 1зации дефектных кристаллов ( гл. [52]

Были проведены кинь ческие исследования полимеризации ГМЦТС в двух кристаллических модификациях в для крупных хорошо организованных и мелких сильно дефектных кристаллов. [53]

Некоторое увеличение прочности при введении таких добавок связано, вероятно, с тем, что они содержат небольшое количество мелких, дефектных кристаллов, способных к дальнейшему росту и сравнению, а также с тем, что перекристаллизация и разложение крупных кристаллов приводит к уменьшению пористости системы в целом. [54]

Страницы: 1 2 3 4