Растущий кристалл

Cтраница 2

У растущих кристаллов в подобных случаях начинается процесс полицентрического переогранения. [16]

Грани растущего кристалла могут адсорбировать посторонние вещества, наличие которых нарушает его рост. [18]

Ступеньки, выступы и уступы на грани кристалла, представляющие различные участки для присоединения новых атомов при росте. [19]

Поверхность растущего кристалла, если ее рассматривать на атомном уровне, не является идеально гладкой, так как присоединение атомов к поверхности при росте должно приводить к образованию ступеньки. [20]

Форма растущих кристаллов определяется составом сплава, наличием примесей и условиями охлаждения. В большинстве случаев при кристаллизации металлов механизм образования кристаллов носит так называемый дендритный характер. [21]

Пассивирование растущего кристалла может происходить также при замедлении процесса выделения металла на его гранях, например, при понижении плотности тока на этих гранях вследствие того, что по мере роста кристалла активная поверхность его растет, а плотность тока при постоянной силе тока уменьшается. [22]

Огранение кристалла медленно растущими гранями. [23]

Взаимодействие растущего кристалла с окружающей средой и механизм перехода вещества из раствора на его грани рассматриваются диффузионной теорией роста. [24]

Зависимость числа зародышей ( ч. з, средней скорости их роста ( с, р, изменения свободной энергии при кристаллизации AF, средней скорости кристаллизации v и коэффициента диффузии D от степени переохлаждения ДТ. Гпл - равно-веская температура плавления ( кристаллизации. [25]

В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [26]

В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образовзнию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [27]

В растущем кристалле всегда имеются дислокационные несовершенства. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста кристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [28]

Схема роста грани кристалла при образовании двумерного зародыша ( а и вокруг винтовой дислокации ( б. [30]

Страницы: 1 2 3 4