Растущий кристалл
Cтраница 3
В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. В этом случае образование двумерного зародыша не требуется. [31]
В растущем кристалле всегда имеются дислокации. Винтовые дислокации ведут к образованию на поверхности кристалла спиралей роста высотой от одного до нескольких тысяч атомов. Спиральный рост экспериментально обнаружен при изучении роста монокристаллов магния, кадмия, серебра и других металлов. [32]
В результате растущие кристаллы, имевшие сначала геометрически правильную форму, после затвердевания получают неправильную внешнюю форму и поэтому называются кристаллитами, или зернами. [33]
Перемешивание поддерживает растущие кристаллы во взвешенном состоянии и интенсифицирует процессы тепломассообмена. Объем таких аппаратов может достигать нескольких кубических метров. Чаще всего емкостные кристаллизаторы работают периодически. Режим охлаждения устанавливают с учетом особенностей кристаллизации конкретных смесей, в большинстве случаев плавно понижая температуру в аппарате по определенной программе. В случае кристаллизации смесей, склонных к переохлаждению, при достижении насыщения в смесь вводят затравочные кристаллы. [34]
Если число растущих кристаллов велико, их размеры оказываются малыми. [35]
Поскольку поверхность растущих кристаллов увеличивается, скорость удаления растворителя для поддержания постоянного пересыщения должна во времени возрастать. [36]
Если поверхность растущего кристалла не идеальна, а имеет дефекты, тс рост грани может продолжаться и без периодического образования двухмерных зародышем. На поверхности такого кристаллита образуется клиновидная степень, вдоль которой разрядившиеся агомы встраиваются в решетку. Растущая ступень непрерывно обходит грань кристаллита по кругу и по мере роста грани не исчезает. Таким образом, спиралевидный рост грани является непрерывным процессом и не требует промежуточного образования двухмерных зародышей. В отдельных случаях при наличии винтовых дислокаций растущие грани не моноатомны, а имеют значительную толщину. [37]
На гранях растущего кристалла всегда имеются различные дефекты поверхности в виде ступенек и выступов, на которых легко удерживаются новые атомы, поступающие из жидкости. [39]
Рассмотрим грань растущего кристалла, на которой возникает новая фаза, имеющая форму прямоугольного параллелепипеда с линейными размерами сг X сг X а, на котором, в свою очередь, расположен зародыш новой фазы с размерами с2 X с2 X а. [40]
 |
Схематический вид структур гипотетической двухмерной. [41] |
Когда грани растущего кристалла находятся в неодинаковых условиях, образуются монокристаллы с неправильными очертаниями. [42]
Известно, что растущий кристалл способен оказывать давление на препятствие. Максимально возможное при данном пересыщении ( или переохлаждении) давление растущей грани кристалла на препятствие называется кристаллизационным давлением. Численно оно равно такому предельному давлению на грань, при котором прекращается ее рост. Кристаллизационное давление связано с энергией фазового перехода и растет с увеличением пересыщения, при котором происходит рост кристалла. [43]
Наблюдая под микроскопом растущий кристалл, можно видеть, как у его вершин или ребер образуются ступеньки новых слоев, продолжающих свой дальнейший рост по граням кристалла, и только путем наложения таких слоев друг на друга и происходит рост кристаллов. [44]
В многокомпонентной системе растущий кристалл отталкивает посторонние компоненты, которые скапливаются перед растущей поверхностью. [45]
Страницы: 1 2 3 4