Cтраница 4
Использование в теории В. В. Тарасова одинаковых законов дисперсии для различно поляризованных волн ( именно законов дисперсии продольных волн в стержне) означает, что в качестве континуальной модели атомной цепочки или слоя принята гибкая натянутая струна, у которой, как известно, законы дисперсии одинаковы для различно поляризованных волн. Принятие такой модели гипотетично, и модель нуждается в объяснении, однако наиболее важный критерий в оценке модели - практика - подтверждает, что теорией В. В. Тарасова хорошо описывается большое число цепных и слоистых структур. Возможно, что при разумном предположении о соотношении упругих коэффициентов для различно поляризованных волн удастся описать теплоемкости этих веществ теорией В. В. Тарасова, как это имело место у полиэтилена и графита. Я хотел бы сказать, что теория Тарасова игнорирует структуры, отличающие друг от друга цепные и слоистые кристаллы, и поэтому так же, как теория Дебая по отношению к трехмерным структурам, не может претендовать на универсальность по отношению ко всем цепным и слоистым кристаллам. [46]
Концентрация металла А в жидком металле снижается, а металла В повышается. К моменту, обозначенному на кривой охлаждения точкой 2, состав жидкого сплава обогащается элементом В настолько, что при выпадении очередного кристаллика металла А рядом с ним образуется тонкий слой жидкого металла с весьма высоким местным содержанием металла В. По сторонам кристаллика А вырастают два кристаллика В. Но образование этих кристалликов приводит к местному снижению содержания металла Б в их ближайшей окрестности. Здесь образуются два кристаллика металла А. Так происходит кристаллизация жидкого сплава в слоистые кристаллы, одни прослойки которых состоят из чистого металла А, другие из чистого металла В. Жидкий сплав может превращаться в кристаллы эвтектики, когда его состав достигнет определенного, эвтектического состава. Превращение жидкости эвтектического состава в кристаллы эвтектики происходит всегда при одной и той же постоянной температуре. Поэтому на кривой охлаждения сплава между точками 2 и 2 наблюдается площадка. В интервале времени, соответствующем промежутку между этими точками на кривой охлаждения, выделяется скрытая теплота кристаллизации эвтектики. Температуру конца кристаллизации принято называть температурой солидуса. После точки 2 кривая охлаждения плавно снижается. Происходит охлаждение твердого сплава. Ниже точки 2 сплав состоит из кристаллов чистого металла А и кристаллов эвтектики металлов А и В. [47]
В плавают кристаллы металла А. По мере охлаждения в сплаве / / появляются кристаллы А в большем количестве. Концентрация металла А в жидком металле снижается, а металла В повышается. К моменту, обозначенному на кривой охлаждения точкой 2, состав жидкого сплава обогащается элементом В настолько, что при выпадении очередного кристаллика металла А рядом с ним образуется тонкий слой жидкого металла с весьма высоким местным содержанием металла В. Но образование этих кристалликов приводит к местному снижению содержания металла В в их ближайшей окрестности. Здесь образуются два кристаллика металла А. Так происходит кристаллизация жидкого сплава в слоистые кристаллы, одни прослойки которых состоят из чистого металла А, другие из чистого металла В. Механическая смесь двух ( или более) видов кристаллов, одновременно кристаллизовавшихся из жидкости, называется эвтектикой. Жидкий сплав может превращаться в кристаллы эвтектики, когда его состав достигнет определенного эвтектического состава. Превращение жидкости эвтектического состава в кристаллы эвтектики происходит всегда при одной и той же постоянной температуре. В интервале времени, соответствующем промежутку между этими точками на кривой охлаждения, выделяется скрытая теплота кристаллизации эвтектики. Температуру конца кристаллизации принято называть температурой солидуса. После точки 2 кривая охлаждения плавно снижается. Происходит охлаждение твердого сплава. Ниже точки 2 сплав состоит из кристаллов чи стого металла А и кристаллов эвтектики металлов А и В. [48]
В случае гриммовских смешанных кристаллов нового рода нельзя представить себе замещения ион за ион, так как их компоненты составлены из ионов с различным зарядом. Смешанные кристаллы нового рода отличаются от истинных смешанных кристаллов прежде всего по формальному признаку. В истинных смешанных кристаллах, составленных из ионов АВ и А В, соотношение А: В и А: В может быть любым, а в смешанных кристаллах нового рода оно всегда должно быть равно стехиометрическому соотношению. Возможность подобного замещения с точки зрения стабильности решетки никем до сих пор теоретически доказана не была. Экспериментальные данные Хлопина к Никитина [18] показывают, однако, что замещение здесь происходит более сложным путем. Вероятность одновременного замещения ионами Ra и SO и здесь была весьма велика. Они делают вывод, что смешанные кристаллы нового рода составлены из отдельных участков кристаллических решеток обоих компонентов по типу мозаичных или слоистых кристаллов. Эти участки должны быть, однако, весьма малы, так как по рентгенограммам смешанных кристаллов нового рода Вагнер [12] их не обнаружил. Возможность таких субмикроскопических прорастаний обусловливается однотипностью кристаллической структуры у обоих компонентов и сходством межионных расстояний по любому направлению. [49]