Испаряемый атом

Cтраница 1

Испаряемые атомы металла, сплава, композиции, попадая на подложку, не сразу конденсируются на ней. В зависимости от условий взаимодействия с поверхностью подложки они либо отражаются от поверхности подложки, либо мигрируют по поверхности. Чем выше температура подложки, тем больший процент атомов повторно испаряется с поверхности подложки. [1]

При этом методе испаряемые атомы титана и молекулы этилена ионизируются и вступают в реакцию, осаждая на инструмент карбиды титана. [2]

Схема установки для металлизации пластмассовых изделий в глубоком вакууме. [3]

Возможность конденсации металла на поверхности изделий определяется образованием зародышевого слоя, зависящего от кинетической энергии испаряемых атомов, плотности излучения и подвижности металлических частиц на поверхности изделия. [4]

Измерения коэффициента распыления и средних скоростей распыляемых атомов ( которые намного больше, чем скорости испаряемых атомов) показывают, что распыление является весьма неэффективным процессом, так как обычно более 95 % энергии ионов выделяется в мишени в виде тепла. Коэффициенты распыления для разных материалов редко различаются более чем в 10 раз. Например, скорость распыления вольфрама в аргоне только в два раза меньше скорости распыления алюминия, в то время как скорости испарения этих двух металлов ( при 2000 С) различаются на девять порядков. [5]

В силу ряда характерных особенностей процесса осаждения ( таких, как очень сильное пересыщение паров, специфика кинетики конденсации, резкое изменение скорости испаряемых атомов при переходе в адсорбированное состояние) тонкие пленки по своей основе являются термодинамически неравновесными структурами. Вследствие этого они неизбежно имеют мелкозернистую структуру и содержат большое количество замороженных структурных дефектов. [6]

Напыление выполняют в вакуумной установке с остаточным давлением под колпаком порядка 5 - 10 - 6 мм рт. ст. Такое давление выбирают для того, чтобы между испаряемыми атомами металла и молекулами остаточного газа под колпаком установки не происходило столкновений, которые приводят к образованию пленок нарушенной конфигурации. Низкий вакуум приводит к окислению напыляемого материала. [7]

Следует предположить, что взаимодействие между поверхностью конденсированной фазы и индивидуальным испаряемым атомом определит также направление, по которому произойдет испарение частицы. Ответ на этот вопрос по своей природе должен быть вероятностным и основываться на энергетическом состоянии молекулы в момент испарения. Поскольку распределение молекул по кинетической энергии для газообразного состояния хорошо известно, то можно вывести пространственное распределение молекул для случая диффузии газов из идеальной кнудсеновской ячейки. [8]

Сопоставление полученных результатов с общепринятыми физическими представлениями [4] позволяет сделать вывод о том, что маска может оказывать влияние на процесс конденсации пленок постольку, поскольку процессы реиспарения атомов от подложки и от маски протекают не одинаково. Средняя длина свободного пробега реиспаряемых атомов ( от поверхности подложки до столкновения их с испаряемыми атомами) зависит от условий напыления ( от интенсивности процессов испарения и реиспарения) и соизмерима с габаритами щелей в маске. Поэтому реиспаряемые от подложки атомы могут не возвращаться на подложку, конденсируясь на маске, а реиспаряемые от маски атомы могут не возвращаться на маску, конденсируясь на подложке. При напылении на движущуюся подложку результирующая скорость движения реиспаряемых атомов складывается из скорости движения их относительно подложки и скорости движения подложки. [9]

Nn 1, имеет место низкий вакуум. В этом случае атомы испаряемого вещества на своем пути к подложке многократно сталкиваются с молекулами и атомами остаточных газов, вследствие чего траектории движения испаряемых атомов имеют вид ломаных линий. [10]

Лазерный нагрев позволяет испарять любые материалы, в том числе и сплавы с различными парциальными давлениями паров компонентов. Однако при лазерном нагреве возможно разбрызгивание испаряемого материала. Кроме того, должны быть приняты специальные меры предосторожности против попадания испаряемых атомов на вводное окно лазерного луча. [11]

Термическое испарение основано на нагреве исходного материала или композиции материалов в вакууме до температуры, при которой возрастающая с нагревом кинетическая энергия атомов и молекул вещества становится достаточной для их отрыва от поверхности и распространения в окружающем пространстве. Это происходит при температуре, когда давление собственных паров вещества превышает на несколько порядков давление остаточных газов. При этом атомарный поток распространяется прямолинейно, и при соударении с поверхностью подложки испаряемые атомы и молекулы конденсируются на ней. [12]

Одним из методов разделения изотопов 235U и 238U является метод двухступенчатой селективной фотоионизации, сущность которого заключается в следующем. Изотопический сдвиг между линиями этих изотопов составляет примерно 7 ГГц. За счет до-плеровского уширения, которое проявляется при нагреве урано-рениевого сплава для получения испаряемых атомов урана, ширина каждой из линии достигает примерно 1 ГГц. Таким образом, перекрытия линий изотопического сдвига не происходит. Вспомогательное излучение ртутной лампы с помощью фильтра ( ДА0 21 - 0 31 мкм) ионизует только возбужденные атомы 2 U и1 не вызывает ионизацию атомов 238U, для ионизации которых нужно излучение с динами волн Я0 21 мкм. Затем разделение ионизованных атомов 235U производится за счет внешнего электрического поля с использованием фокусирующих линз. [13]

После этого на верхнюю поверхность подложки наносят слой металлизации, который используют для формирования межэлементных соединений. Поскольку поверхность подложки является рельефной из-за разной толщины окисла, покрывающего различные локальные области, важное значение приобретает предотвращение разрывов в слое металлизации. Для равномерного распределения наносимого при металлизации алюминия обычно используют специальные приспособления, позволяющие получать разные углы падения испаряемых атомов. [14]

Длина свободного пролета должна в несколько раз превышать расстояние от испарителя до подложки. Обычно в условиях для вакуумного испарения d 100 - 200 мм, значит Я должна быть около 1 м и больше. Вакуум 10 - 3 мм рт, ст., достаточный для создания благоприятных условий в зоне испарения, совершенно недостаточен для обеспечения свободного пролета атомов испаряемого вещества от испарителя до подложки. В пролетном пространстве должны быть созданы условия для образования молекулярного потока. Молекулярным потоком называют поток прямолинейно движущихся испаряемых атомов или молекул, не претерпевающих на своем пути столкновений и рассеяний. [15]

Страницы: 1 2