Выращенный кристалл

Cтраница 2

Некоторые трудности вызывает образование в выращенных кристаллах пузырьков и свилей. В табл. 7.3 указаны конкретные условия роста кристаллов. [16]

Кристаллы Bao 25Sro 75Nb2O6, выращенные из Pt - Rh - тигля. [17]

Такой нагреватель позволял производить медленное охлаж дение выращенного кристалла, что необходимо для соединений, обладающих фазовыми переходами. [18]

Температурные зависимости спонтанной поляризованно-сти Ps, диэлектрической проницаемости е и пирокоэффициента р для кристаллов ТГС ( 1 и ТГСел ( 2. [19]

Поляризацию осуществляют путем выдержки готового детектора или выращенного кристалла под постоянным напряжением при повышенных температурах, чуть ниже Гк. Для фиксации однодоменного состояния поляризованные кристаллы иногда подвергают облучению, вводят определенные легирующие добавки или используют пару электродов из различных металлов. [20]

Если измерять на гониометре углы главных граней хорошо выращенного кристалла, то оказывается, что иногда они в точности равны углам, которые определяются индексами Миллера этих граней, в пределах нескольких угловых минут. С точки зрения механизмов роста, рассмотренных в этой главе, такие отклонения не вызывают удивления. Только если это отношение очень мало, грань будет истинно плоской. С увеличением отношения положение грани будет прогрессивно отклоняться от положения, диктуемого ее индексами Миллера. [21]

Строгий контроль возможен потому, что затравка и выращенный кристалл видны во время выращивания, так что экспериментатор может визуально наблюдать за процессом роста и корректировать его, руководствуясь совершенством кристалла. Кроме того, при наличии ориентированных затравок легко осуществить выращивание в любом заданном направлении. Если нет затравки, легко вызвать спонтанное зарождение на проволоке ( фиг. Образующуюся поликристаллическую массу некоторое время наращивают, а затем ее диаметр уменьшают ( делают перетяжку) либо путем незначительного повышения температуры, либо путем увеличения скорости вытягивания. На практике увеличение скорости вытягивания трудно использовать для получения перетяжки, так как при этом затравка часто отрывается от расплава. В суженном кристалле граница раздела, как правило, формируется одним монокристалликом. Затем диаметр кристалла увеличивают, и в результате происходит рост монокристалла. В особо трудных случаях кристаллик необходимо отбирать из закристаллизованной в предварительном опыте поликристаллической массы и использовать его как затравку в последующих экспериментах. [22]

Кристаллографическая ориентация затравки относительно поверхности расплава определяет ориентацию выращенного кристалла. [23]

График зависимости ха - ( 56 рактерного размера алмазов от длительности цикла спонтанной кристаллизации. [24]

В частности, использование предложенной модели позволяет получить теоретическую зависимость размера выращенных кристаллов алмаза от длительности процесса кристаллизации. [25]

Чтобы получить ориентированный монокристалл, в коническую часть контейнера помещают затравку - заранее выращенный кристалл, обработанный таким образом, чтобы нужное кристаллографическое направление совпадало с продольной осью контейнера и будущего слитка. При выращивании ориентированных кристаллов процесс ведут таким образом, чтобы не произошло расплавления затравки. Необходимо лишь, чтобы ее верхняя часть немного оплавилась и от нее начался рост ориентированного монокристалла. [26]

При отсутствии подпитки кристализуемого расплава g представляет собой отношение объема или массы выращенного кристалла к первоначальным объему или массе кристаллизуемого расплава. Однако в условиях подпитки кристаллизуемого расплава расчет g производят с учетом параметра подпитки А. [27]

В результате непродолжительного периода работы участка синтеза на опытном производстве было установлено, что выращенные кристаллы, несмотря на их визуальную однородность, отличаются низким качеством и по ряду параметров не удовлетворяют радиотехническим требованиям. [28]

Микрорентгеновский спектральный анализ кристаллов указанных составов позволил установить, что в центральных подзатравочных областях выращенных кристаллов имеют место аномалии в распределении элементов, которые неоднозначны для разных составов. Так, если для кристаллов с большим содержанием бария ( л; 0 5) наблюдается заметное увеличение концентрации бария в подзатравочной области, то для образцов, выращенных из расплавов состава х 0 25, в центральной области имеет место незначительное уменьшение содержания бария. Наиболее однородны по составу в направлении выращивания те части кристаллических буль, где диаметр выращиваемых кристаллов стабилен. [29]

Подробные рентгенофлуоресцентные исследования в области 0 25 х 0 75 показали, что в выращенных кристаллах имеет место небольшой избыток ВаО и SrO сверх стехио-метрической формулы. [30]

Страницы: 1 2 3 4