Выращенный кристалл

Cтраница 3

Полученные в этой работе результаты позволяют регулировать концентрацию Nd3 и Na и их отношение в выращенном кристалле. [31]

Такой способ вполне эффективен для В, Р, As и Sb; концентрация в выращенном кристалле, как правило, примерно такая же, как и в исходном Si, и может составлять от 5 - Ю16 до 2 - Ю20 см-3. Из активированного материала удобно выращивать р - я-переходы. [32]

Характеристики излучатель - 4пЧг -. - ной способности СИД. [33]

Этот материал однако недостаточно хорош для активных областей переходов, ис-ускающих свет, поскольку в выращенных кристаллах имеются центры безызлучательной рекомбинации. [34]

Все составы, содержащие более 66 мол % BaNb2Oe, имеют близкие температуры плавления Точьп плавления выращенных кристаллов превышают перитектическую температуру разложения KBa2Nb5Oi5 ( 1391 C) и лежат ниже температуры плавления BaNbaOe ( 1459 О. [35]

Система KNb03 - LiNb03 - BaNb2Oe была изучена методами рентгенофазового, дифференциального термического и химического анализов выращенных кристаллов ( гл. [36]

Энергетическая схема кристалла простого вещества М, содержащего примесные доноры DM и акцепторы Ам. [37]

Рассмотрение частичного равновесия интересно в связи с вопросами о растворимости примесных атомов одного типа, диффундирующих в предварительно выращенный кристалл с добавкой определенного количества атомов другого типа, и с вопросом об образовании ассоциатов при охлаждении кристаллов, содержащих данные количества и той и другой примеси. [38]

Схема установки для синтеза при направленной кристаллизации теллурида кадмия. [39]

Общий состав соединения задается точностью взвешивания навесок компонентов, что в случае изотермической замкнутой системы неконтролируемо предопределяет величину прово димости выращенных кристаллов. [40]

Отжиг при 1150 С и равновесном и избыточном давлении паров As с последующим медленным охлаждением не приводит к изменению дислокационной структуры выращенных кристаллов. Исключением был образец GaAs, отожженный в вакууме: в нем наблюдалась небольшая генерация дислокаций с поверхности. [41]

Второе требование не так категорично, но в целом ряде случаев наличие включений маточного раствора внутри затравки обусловливает при дальнейшем ее разращивании пониженную однородность выращенного кристалла. [42]

Выращивание других ферритов сопряжено со значительными трудностями, обусловленными в основном протеканием восстановительных процессов при высоких температурах, приводящих к появлению Fe2, включений второй фазы и др. В совокупности это вызывает существенное снижение уровня свойств выращенных кристаллов ферритов. [43]

В экспериментах по выращиванию CdTe на ИСЗ Фотон и материалов подобного типа на Земле с использованием вращающегося магнитного поля при МДН, а также при численном моделировании этих экспериментов, получены определенные указания на улучшение некоторых параметров выращенных кристаллов. [44]

Мр о и Ур о - начальные масса, г, и объем, см3, рабочего расплава соответствено; Мп, VK, MK и VK - текущие, т.е. на данный момент времени масса, г, и объем, см3, подпитывающего материала и выращенного кристалла соответственно. [45]

Страницы: 1 2 3 4