Выросший кристалл
Cтраница 2
 |
Технологическая схема процесса получения фосфорной кислоты по методу Страдерса. [16] |
При смешении раствора с кристаллами снимается его пересыщение. Выросшие кристаллы вместе с фосфорной кислотой удаляются из нижней части аппарата, а затем поступают на центрифугу 8 и промываются. Часть кислоты вместе с промывными водами возвращается обратно в первый реактор. [17]
Для пластинчатых кристаллов полимеров характерна намного большая их ширина по сравнению с толщиной. Выросшие кристаллы часто имеют ширину несколько микрон, а толщина их обычно составляет приблизительно 100 А. Каждый кристалл характеризуется приблизительно одним и тем же соотношением толщины и ширины аналогично игральной карте. Толщина кристалла зависит от температуры, при которой происходит рост. [18]
Если крупинку металлического кадмия смочить на предметном стекле каплей реактива, то появляется белый мелкозернистый осадок, из которого скоро образуются бесцветные прозрачные иглы и крупные бесцветные кристаллы, большей частью неправильной формы. Немногочисленные правильно выросшие кристаллы имеют форму ромбоэдров. [19]
Было установлено, что при снижении температуры нефти ниже температуры кристаллизации отложение парафина начинается с зарождения и роста отдельных кристаллов непосредственно на поверхности вдоль различного рода царапин, трещин и шероховатостей. На выросших кристаллах возникают другие, увеличивая толщину отложений. [20]
Грин и др. [44] видоизменили метод Кзизека и Рейнольдса: они сначала испаряют CdS ( - 950 C) или ZnS ( - 1160 C) в HjS, а затем проводят сублимацию в вакууме. Такая двойная сублимация улучшает чистоту выросших кристаллов. Горячая зона ( испарения) находится при температуре около 1575 С, а подложкой для образования зародышей в холодной зоне служит пластинка из плавленого кварца. [21]
В качестве кристаллоносцев, помещаемых на дно кристаллизатора, используются усеченные конусы или пирамидки с углублением на верхней площадке, куда вставляется кристалл. Такие пирамидки удобно извлекать из выросшего кристалла. Трубка приклеивается к пластинке достаточно инертным клеем, большой механической прочности здесь не требуется. В трубку заливается парафин или вводится пробка так, чтобы кристалл лежал в ямке глубиной 3 - 5 мм. Снаряженный кристаллоносец споласкивается вместе с затравкой теплым растворителем, теплым же пинцетом осторожно вводится в кристаллизатор и устанавливается на его дне. [22]
Гетерогенное Зародышеобразование в процессе полимеризации формальдегида в растворах было обнаружено Такахаши и Огата [169], Эпитаксия происходила на вытянутом полноксиметилене и не наблюдалась на других подложках. Было обнаружено, однако, что эпитаксиаль-но выросшие кристаллы полиоксиметилена имеют заметно более низкую температуру плавления, чем кристаллы, образовавшиеся из раствора. [24]
В стеклах, не обладающих достаточной растворяющей способностью по отношению к частицам благородных металлов во время наводки, рекристаллизация подавляется, а рост частиц от субмикроскопических до коллоидальных размеров происходит за счет коагуляции в результате столкновений. Возникающие при этом вторичные частицы отличаются от правильно выросших кристаллов различной структурой и светопоглощением. Ввиду того, что центры, состоящие из нескольких сотен атомов металла, обладают меньшей подвижностью, чем простые атомы, столкновение между частицами приводит, по Вейлю [60], не к регулярному наращиванию одной решетки, а к возникновению двух отдельных решеток, а в дальнейшем - к появлению дендритовидных агрегатов или скоплений большого числа мельчайших кристаллов. [25]
Отклонение состава от стехиометрического приводит к появлению разнообразных дефектов кристаллической решетки, которые оказывают существенное влияние на свойства этих соединений. Поэтому необходимо рассматривать сегнетоэлектрические, электрооптические и нелинейные свойства этих кристаллов в зависимости от химического состава выросшего кристалла, а не исходного расплава. [26]
С увеличением зазора классификатора, при одной и той же скорости раствора в его сечении увеличивается скорость раствора в устье конуса, что замедляет движение выросших кристаллов к классификатору, в результате чего уменьшается производительность аппарата. При получении крупных кристаллов переход от одного типа классификатора к другому практически перестает оказывать влияние на производительность аппарата. [28]
Результаты кинетических измерений могут быть интерпретированы с помощью модели, разработанной Аврами 56 для фазовых превращений в металлах. При построении этой модели Аврами предположил, что зародышеобразование развивается за счет зачаточных зародышей, существующих в старой фазе в момент времени t 0; зародыши расходуются, превращаясь в активные центры роста, появляющиеся с постоянной скоростью А, или поглощаются новой фазой, растущей с постоянной скоростью G, плотность уже выросших кристаллов остается постоянной во времени. [29]
Результаты кинетических измерений могут быть интерпретированы с помощью модели, разработанной Аврами5 6 для фазовых превращений в металлах. При построении этой модели Аврами предположил, что зародышеобразование развивается за счет зачаточных зародышей, существующих в старой фазе в момент времени t 0; зародыши расходуются, превращаясь в активные центры роста, появляющиеся с постоянной скоростью А, или поглощаются новой фазой, растущей с постоянной скоростью G, плотность уже выросших кристаллов остается постоянной во времени. [30]
Страницы: 1 2 3