Cтраница 3
Результаты кинетических измерений могут быть интерпретированы с помощью модели, разработанной Аврами 5б для фазовых превращений в металлах. При построении этой модели Аврами предположил, что зародышеобразование развивается за счет зачаточных зародышей, существующих в старой фазе в момент времени t - 0; зародыши расходуются, превращаясь в активные центры роста, появляющиеся с постоянной скоростью А, или поглощаются новой фазой, растущей с постоянной скоростью G, плотность уже выросших кристаллов остается постоянной во времени. [31]
При охлаждении в пересыщенном растворе-расплаве спонтанно зарождаются и растут кристаллы. Выросшие кристаллы от затвердевшего раствора-расплава отделяют путем длительного кипячения тигля с раствором-расплавом в водных растворах кислот. Размер и качество кристаллов в значительной степени зависят от оптимального соотношения таких факторов, как программа охлаждения и распределение температуры в кристаллизаторе, испарение раствора-расплава, размер и форма кристаллизатора, перемешивание раствора-расплава и др. Все эти факторы действуют в совокупности, и в каждом конкретном случае режимы спонтанной кристаллизации подбираются экспериментально. [32]
Энергичное перемешивание, соударения кристаллов в растворе друг с другом или со стенками кристаллизатора также могут вызвать образование новых центров. Образуются они и в результате механической ломки уже выросших кристаллов. Значение этого метода кристаллообразования для промышленности является спорным. [33]
Там же приведены данные спектрального анализа на эти элементы в выросших кристаллах и для сравнения результаты аналогичного опыта, но в щелочной системе. [34]
На рис. 17 запечатлен момент, когда в застрявшую между смотровыми стеклами частицу парафина размером коло 100 мк врезалась другая частица размером 20 мк. Как только поток нефти слегка повернул образовавшийся агломерат таким образом, что приклеившаяся частица получила возможность скольжения относительно первой, она была тотчас же сорвана потоком нефти. Отсюда следует, что силы сцепления между взвешенными в объеме нефти частицами, с одной стороны, и выросшими кристаллами на поверхности оборудования, с другой, действительно ничтожны и не превышают сил прилипания, обнаруженных Б. В. Дерягиным, Г. И. Фуксом для других систем. [35]
Поэтому выращивание бездислокациопных кристаллов Si, GaAs, IP начинают с затравок малого диаметра и ведут в максимально однородном температурном ноле. Кристаллы могут содержать петли дислокаций размером меньше 1 мкм. Петли образуются как контуры дискообразных скоплений ( кластеров) межузслышх атомов ( или вакансий), возникших в результате распада пересыщенного твердого раствора при охлаждении выросшего кристалла. Атомы примеси могут быть центрами зарождения кластеров. [36]
Однако часто приходится встречаться с равновесием, включающим и окружающую среду. Пытаясь установить состав твердого тела, мы можем привести его в состояние равновесия с другой фазой; это может быть жидкость или газ, из которых кристалл выращивается или в среде которых уже выросший кристалл нагревается. Химическая составляющая, участвующая в равновесии между кристаллом и окружающей средой, может быть либо одной из основных составляющих кристалла, либо примесью. [37]
Кристаллические решетки очень разнообразны. Однако свойства, общие для всех кристаллов, безупречно объясняются решетчатым строением кристаллов. Прежде всего нетрудно понять, что идеально плоские грани - это плоскости, проходящие через узлы, в которых сидят атомы. Но узловых плоскостей можно провести сколько угодно по самым различным направлениям. Какие же из этих узловых плоскостей ограничивают выросший кристалл. [38]
Принятая модель отличается от прежней [1] тем, что вместо объема в ней фигурирует фронт кристаллизации, поверхность которого разделена на п гомогенных ячеек. Площадь каждой ячейки равна площади, занимаемой двумерным зародышем критического размера. Свойство ячеек и расчет вероятности возникновения зародышей остаются прежними. Флуктуационным путем преодолевается энергетический барьер, равный работе образования критического двумерного зародыша, который может быть присоединен как в нормальном, так и в двойниковом положении. Предполагается, что двумерный зародыш является единственным при формировании каждой плоскости кристалла, когда одному акту двойникова-ния на поверхности выросшего кристалла соответствует выход одной плоскости двойникования. [39]