Cтраница 2
Чисто шоттковский беспорядок, невидимому, существует в большинстве щелочногалоидных кристаллов. Эффективность вакантных анионных узлов в качестве электронных ловушек при фотохимических процессах в этих кристаллах исследована весьма подробно. [16]
Имеется несколько способов искусственного образования нейтральных атомов в решетке щелочногалоидного кристалла. [17]
В качестве регистрирующей среды чаще всего используются толстослойные фотоэмульсии, щелочногалоидные кристаллы и фотохромные стекла. Показано, что эмульсия работает как трехмерная голограмма, если ее толщина превышает расстояние между интерференционными полосами. [18]
Модели дефектов обычно строятся по аналогии с хорошо изученными дефектами в щелочногалоидных кристаллах или по аналогии с классическими полупроводниками, с четырьмя валентными электронами. Природа дефектов в ионных кристаллах типа щелочногалоидных и в ковалентных кристаллах, таких как германий, кремний и соединения типа АШВУ, в основном описывается с достаточным приближением в первом случае ионной моделью, во втором случае - зонной теорией полупроводников. И в том и в другом случае заполненные состояния отделены от свободных запрещенной зоной. [19]
В первом разделе помещены три статьи ( № 13 - 15) по фотолизу щелочногалоидных кристаллов. Поль указывает, что и в галоидном серебре, по аналогии со щелочногалоидными кристаллами, должны существовать центры, промежуточные между атомарными и коллоидными. [20]
В этой связи интересно вспомнить результаты опытов Блау [21] по образованию центров окраски в щелочногалоидных кристаллах, содержащих следы галоидного серебра. Наиболее удовлетворительное объяснение этих результатов, а также результатов измерений ионной проводимости и чисел переноса аналогичных кристаллов ( опыты Тубандта с сотрудниками [22]) может быть дано с помощью модели, в которой часть ионов серебра занимает междуузлия решетки щелочногалоидного кристалла и обладает способностью захватывать электроны, образуя междуузельные атомы серебра. Имеющиеся данные показывают, что такой захват не может происходить в галоидном серебре, обладающем большой диэлектрической проницаемостью. [21]
Большой удельный вес в исследованиях последних лет занимают работы по изучению и расшифровке спектров поглощения бромистого серебра и щелочногалоидных кристаллов, подвергнутых различным механическим, химическим и оптическим воздействиям. [22]
Такие попытки кажутся в настоящее время тем более оправданными, что доказательство существования дефектов в бромной составляющей решетки бромистого серебра и их важности для фотографического процесса указывает на глубокую аналогию между бромистым серебром и щелочногалоидными кристаллами. Перечислим вкратце важнейшие результаты, полученные на щелочногалоидных солях. [23]
При разрушении по схеме Стро направления a, b могут совпадать соответственно с I, т, а орт с будет отклоняться от п на 70, хотя удобно его направлять и вдоль нормали к плоскости отрыва. Если трещины спайности образуются вследствие заторможенного скольжения в щелочногалоидных кристаллах с ГЦК решеткой, направление с тождественно ( 100) и так далее. [24]
Возникает вопрос о положении ионов Т1 в решетке щелочногалоидного кристалла. Данные рентгеноскопии указывают на то, что ион Т1 входит в решетку щелочногалоидного кристалла, заменяя ион металла решетки и образуя смешанный кристалл. Однако величины изменения постоянной решетки не совпадают с требованиями теории, что указывает на существование особого взаимодействия между, ионами Т1 и окружающими его ионами галоида. [25]
В первом разделе помещены три статьи ( № 13 - 15) по фотолизу щелочногалоидных кристаллов. Поль указывает, что и в галоидном серебре, по аналогии со щелочногалоидными кристаллами, должны существовать центры, промежуточные между атомарными и коллоидными. [26]
Проведенные исследования показали, что свойства окислов переходных элементов определяются природой преобладающих примесных центров в реальном кристалле. Вместе с тем представления о примесных центрах, развитые в основном на примере щелочногалоидных кристаллов, к окислам неприменимы. Совершенно очевидно, что ионное приближение неудовлетворительно даже в самом общем и грубом рассмотрении. [27]
Эта задача до сих пор однозначно не решена. Пока возможно только качественное суждение об изменении сил связи при образовании твердого раствора и переходе от твердых растворов одних щелочногалоидных кристаллов к другим. [28]
Он обнаружил, что образование f - центров излучением, поглощаемым - центрами или длинноволновой частью собственной полосы поглощения щелочногалоидного кристалла, не связано с измеримым перемещением электричества. Это указывает на то, что электроны должны перемещаться только на весьма короткие ( молекулярные) отрезки, подобные тем, которые, согласно постулированному выше, существуют между - центрами и ионами серебра в несенсибилизированных эмульсиях. С другой стороны, образование / - центров в щелочногалоидных кристаллах, содержащих - центры, связано с фотоэлектрическим током измеримой величины, что указывает на значительное перемещение электронов в этом случае. На их существование указывает также появление флуоресценции. Независимо от того, состоят ли центры светочувствительности, созданные сернистым серебром, из пустот, подобных пустотам в несенсибилизированных микрокристаллах, но только более крупных и редких, или же из агрегатов атомов серебра, кажется весьма достоверным, что они образуют глубокие электронные ловушки. В отличие от мелких ловушек в несенсибилизированных эмульсиях, большая часть электронов, освобожденных из ионов брома, падает в эти ловушки и лишь изредка реком-бинирует с исходными атомами брома. С другой стороны, вследствие ограниченного числа этих ловушек ионы серебра должны переместиться на довольно большие расстояния для того, чтобы их достигнуть; однако если ловушка уже достигнута, то эти ионы удерживаются прочно и отклонение от взаимозаместимости при низких освещенностях должно быть слабым. Понижение температуры уменьшает подвижность ионов серебра на их довольно продолжительном пути к заряженному центру светочувствительности и тем самым препятствует достижению этого центра до его распада. [29]
Обратно, по степени выполнения условий Коши можно судить о том, насколько силы связи в структуре центросимметрич-ны. Так, например, в табл. 45 показано, что в ряду ионных кристаллов с одинаковой структурой типа NaCl условия Коши хорошо выполняются для щелочногалоидных кристаллов и не выполняются для AgCl, у которого структура та же, но есть существенная доля ковалентнои связи. [30]