Щелочногалоидный кристалл

Cтраница 3

В этой связи интересно вспомнить результаты опытов Блау [21] по образованию центров окраски в щелочногалоидных кристаллах, содержащих следы галоидного серебра. Наиболее удовлетворительное объяснение этих результатов, а также результатов измерений ионной проводимости и чисел переноса аналогичных кристаллов ( опыты Тубандта с сотрудниками [22]) может быть дано с помощью модели, в которой часть ионов серебра занимает междуузлия решетки щелочногалоидного кристалла и обладает способностью захватывать электроны, образуя междуузельные атомы серебра. Имеющиеся данные показывают, что такой захват не может происходить в галоидном серебре, обладающем большой диэлектрической проницаемостью. [31]

Настоящая работа посвящена изучению диаграммы состав - свойство солевой системы КС1 - КВг. Систематическое исследование таких диаграмм, как известно, начато академиком Николаем Семеновичем Курнаковым и его многочисленными учениками. Для щелочногалоидных кристаллов превалирующее число точечных или физических дефектов относится к типу так называемых дефектов Шоттки. Число дефектов Шоттки зависит от устойчивости твердых растворов, определяющейся, в свою очередь, соотношением энергий решеток ( At /) компонентов, образующих данный твердый раствор. [32]

Энергия образования центра окраски оценивается по положению и интенсивности полосы поглощения. Если полоса поглощения попадает в область видимого света, меняется видимая окраска кристалла. Так, в результате нагревания щелочногалоидного кристалла в парах щелочного металла заметно меняется его окраска: например, бесцветные кристаллы NaCl, KC1 в парах Na приобретают ярко-синюю окраску. Появляющиеся спектральные полосы поглощения характерны для кристалла и не зависят от того, какой щелочной металл использован для испарения. Этим подтверждается предположение, что центр окраски создается при взаимодействии собственного точечного дефекта кристалла с электроном или дыркой, поставляемыми из щелочных паров. [33]

Кванты света, поглощенные сенсибилизатором, освобождают подвижные электроны. Освобожденные электроны прежде всего связываются в образования, аналогичные F-центрам щелочногалоидных кристаллов. Эти связи обладают достаточной продолжительностью жизни только при низких температурах, когда можно наблюдать обусловленный ими спектр поглощения ( фиг. В результате образуется давно известная полоса поглощения, изображенная на фиг. [34]

После доказательства приложимости закона эквивалентности, которое привели Эггерт и Ноддак [1], суммарный баланс фотохимического разложения бромистого серебра установлен с безупречной точностью. Решающий успех в этой области обеспечен, с одной стороны, экспериментальными работами школы Поля над щелочногалоидными кристаллами и, с другой - новыми представлениями о реальной структуре кристаллов, развитыми главным образом Френкелем, Шоттки и Вагнером. [35]

Схема адсорбции Н20 структуры молекул в поле кристаллов, на ГЦК-кристалле [ 4, с. 173 - 176 ]. позволяют оценивать сумму индукционной. [36]

Энергию физической адсорбции, как известно, можно в хорошем приближении представить в виде суммы ван-дер-ваальсовской, индукционной и кулоновской энергий взаимодействия. Ван-дер-ваальсовская энергия состоит в свою очередь из энергии отталкивания и энергии притяжения. Как показывают прямые численные расчеты [3], в случае адсорбции полярных молекул на ионных кристаллах сумма этих энергий при геометрии, близкой к равновесной, мала, а энергия адсорбции практически определяется кулоновским и индукционным взаимодействиями. Так, например, с использованием для щелочногалоидных кристаллов модели точечных зарядов, а для молекулы воды также основанной на модели точечных зарядов теоретической модели ( рис. 2) рассчитаны [ 4, с. [37]

Он обнаружил, что образование f - центров излучением, поглощаемым - центрами или длинноволновой частью собственной полосы поглощения щелочногалоидного кристалла, не связано с измеримым перемещением электричества. Это указывает на то, что электроны должны перемещаться только на весьма короткие ( молекулярные) отрезки, подобные тем, которые, согласно постулированному выше, существуют между - центрами и ионами серебра в несенсибилизированных эмульсиях. С другой стороны, образование / - центров в щелочногалоидных кристаллах, содержащих - центры, связано с фотоэлектрическим током измеримой величины, что указывает на значительное перемещение электронов в этом случае. На их существование указывает также появление флуоресценции. Независимо от того, состоят ли центры светочувствительности, созданные сернистым серебром, из пустот, подобных пустотам в несенсибилизированных микрокристаллах, но только более крупных и редких, или же из агрегатов атомов серебра, кажется весьма достоверным, что они образуют глубокие электронные ловушки. В отличие от мелких ловушек в несенсибилизированных эмульсиях, большая часть электронов, освобожденных из ионов брома, падает в эти ловушки и лишь изредка реком-бинирует с исходными атомами брома. С другой стороны, вследствие ограниченного числа этих ловушек ионы серебра должны переместиться на довольно большие расстояния для того, чтобы их достигнуть; однако если ловушка уже достигнута, то эти ионы удерживаются прочно и отклонение от взаимозаместимости при низких освещенностях должно быть слабым. Понижение температуры уменьшает подвижность ионов серебра на их довольно продолжительном пути к заряженному центру светочувствительности и тем самым препятствует достижению этого центра до его распада. [38]

Известно, что щелочногалоидные кристаллы обладают радиационной памятью, обусловленной запасанием энергии ионизирующей радиации на / - - центрах. Эта память сочетается с удобством считывания информации о запасенной энергии простыми оптическими методами. F-центров в широком диапазоне температур происходит по сложному закону; б) для интервалов доз, при которых накопление происходит по линейному закону, наблюдается нелинейная зависимость скорости накопления от интенсивности радиации. Мелик-Гайказян и др. ( 1970 г.) показали, что оба недостатка макрокристаллов щелочногалоидных кристаллов отсутствуют у НК КВг, в связи с чем их можно использовать в качестве дозиметра. [39]

Такая детализация была совершенно необходима, поскольку процесс образования скрытого изображения значительно более сложен, чем это казалось в период появления указанной теории. Основные работы в этом направлении были проведены в последние годы. В этот период ясно обнаружилась необходимость детального изучения реальных кристаллов галоидного серебра. Наконец, в самое последнее время, в связи с выявлением глубокой аналогии между серебряногалоидными и щелочногалоидными кристаллами, последние стали широко использоваться в качестве моделей кристаллов галоидного серебра, ибо они являются более благоприятными объектами для оптических исследований. [40]

Возможность количественного измерения поглощения щелочногалоидных кристаллов представляет большое преимущество цри исследовании механизма их свечения. К этому преимуществу присоединяются и другие: простота кристаллической решетки, ее определенно ионный характер и возможность приготовления фосфоров без плавня, нарушающего кристаллическую решетку как в структурном, так и в химическом отношении. Поэтому кри-сталлофосфоры щелочногалоидной группы неоднократно исследовались для выяснения природы свечения кристаллических веществ. Однако опыты показали, что кристаллофосфоры данной группы создают и дополнительные трудности, которые снижают их ценность как объектов, служащих для выяснения общих законов и кинетики свечения кристаллофосфоров. Здесь следует отметить малый выход сничеаия, вследствие чего данные соединения нельзя считать типичными фосфорами; слабость свечения усложняет, кроме того, технику исследовании. Свечение щелочногалоидных кристаллов не просто и по спектральному составу. Помимо видимого свечения, эти фосфоры имеют еще значительное ультрафиолетовое излучение. Далее, щелочногалоидные соединения своеобразно и сравнительно трудно активируются. Из других ионов тяжелых металлов в решетку щелочногалоидных фосфоров входит Си и Ni. Кроме того, как показывают непосредственные исследования, внутрь кристаллов могут проникать частицы газов, в частности составные части воздуха. Присутствие тех или иных газов внутри кристаллической решетки усложняет процессы свечения и ведет к появлению новых полос излучения. Особенно большие трудности вносит окрашивание щелочногалоидных фосфоров, происходящее под действием рентгеновского и коротковолнового оптического излучения: прозрачные кристаллы щелочногалоидных солей, подвергнутые действию коротковолнового излучения, приобретают окраску, невидимому, вследствие образования внутри кристаллической решетки нейтральных атомов металла. У кристаллофосфоров других групп это явление выражено гораздо слабее. [41]

Страницы: 1 2 3