Стехиометрический кристалл

Cтраница 2

Таннхаузера [52], представлен построенный по данным Курника график температурной зависимости концентрации собственных атомных дефектов в стехиометрическом кристалле AgBr. На основании рисунка можно заключить, что при низких температурах преобладает разупорядочение по Френкелю, а при высоких - по Шоттки. [16]

Мх и Хм - Благодаря необходимости сохранить характерное для каждой кристаллической структуры отношение числа узлов и валовой состав, в стехиометрическом кристалле дефекты возникают в виде комбинаций дефектов, например парных дефектов. [17]

Область гомогенности фазы ЛВ.| Сдвиг области гомогенности относительно стехиометрического состава АВ. [18]

Может оказаться, что для данного типа дефектов предельная их концентрация, определяемая соотношением ТС / Т, меньше, чем концентрация дефектов в стехиометрическом кристалле. [19]

Благодаря тому что переход от избытка свинца к избытку серы происходит почти скачком, вероятность приближения параметра / к единице, а следовательно, и получения истинно стехиометрического кристалла фактически очень мала. [20]

Составляющие энергии образования дефектов Шоттки в галогенидах щелочных металлов и AgCl ( в эВ. [21]

Формулы (5.17) и (5.19) определяют смысл констант KF и КАР - с точностью до постоянных множителей порядка единицы они равны равновесным концентрациям френкелевских или антифренкелевских дефектов в чистом стехиометрическом кристалле. [22]

Поэтому стехиометрическому составу соответствует приблизительно абсцисса точки пересечения прямых для заряженных вакансий Р стех g этом случае Р стех всегда лежит внутри интервала Р - - Р и стехиометрический кристалл всегда является собственным полупроводником. [23]

Формулы ( 3.26 а) и (3.266) показывают, что константы / CFA, / ( ЕВ и / ( А с точностью до постоянных множителей порядка единицы равны равновесным концентрациям френкелевских или антиструктурных дефектов в стехиометрическом кристалле. [24]

Аналогично, внедренный ион представляет реальный положительный или отрицательный заряд в месте, в котором в идеальной решетке нет никакого заряда. В стехиометрическом кристалле реальные или виртуальные заряды на дополнительных дефектах эквивалентны и скомпенсированы, а в нестехиометрических кристаллах заряды на валентных дефектах компенсируются реальными или виртуальными зарядами на дополнительных точечных дефектах. Приведенные соображения показывают различие в поведении кристаллов при низких и при высоких температурах. Благодаря своим виртуальным зарядам дополнительные точечные дефекты притягиваются друг к другу. Валентные дефекты в низшем энергетическом состоянии захватываются в их дополнительных точечных дефектах. [25]

К твердым веществам с ионной химической связью, к бесконечным трехмерным кристаллам законы постоянства состава и простых кратных отношений неприменимы. Любой, даже чистый стехиометрический кристалл выше О К всегда станет нестехио-метрическим из-за теплового движения атомов или ионов, часть которых может покинуть поверхность вещества. Кроме того, любой идеальный кристалл стехиометрического соединения АлВт не отвечает закону постоянства состава, так как он может содержать переменное число молекул ( АпВт) л в зависимости от своего размера. [26]

Образование структуры типа тетрагональной вольфрамовой бронзы ( б из структуры ReO3 ( а путем вращения. [27]

По их мнению, изменение состава кристалла за счет его нестехиометрии или введения примесей связано не с накоплением точечных дефектов, а с непрерывной перегруппировкой координационных полиэдров. Эта перегруппировка имеет место в идеальной структуре чистого стехиометрического кристалла и приводит к образованию новой структурной организации на основе исходной фазы. Примером такой организации является рассмотренная выше структура сдвига, образуемая из октаэдров МОе структуры оксида WOs - Однако структурный сдвиг - не единственная возможность сохранить однофазность материала при отклонении от стехиометрии или при легировании. Перегруппировка координационных полиэдров может происходить также путем вращения, скольжения или отражения. Такая ситуация реализуется, в частности, при легировании WO3 оксидами щелочных металлов с образованием тетрагональных вольфрамовых бронз. [28]

В обоих случаях произведение парциальных давлений компонентов при данной температуре имеет постоянное значение, а парциальные давления самих компонентов могут принимать произвольные значения. Если в замкнутый изотермический объем, в котором расположен стехиометрический кристалл МаХь, ввести чистый компонент М ( или X), то резко повысится значение парциального давления паров М, но понизится парциальное давление паров X до значения, обеспечивающего заданное произведение парциальных давлений компонентов. Это означает, что количество вещества кристалла, переходящего в паровую фазу, можно изменить, воздействуя искусственным путем. Но при этом не обеспечивается равенство химических потенциалов компонентов паровой фазы и кристалла и, поскольку состав паровой фазы задан, должен измениться состав кристалла. [29]

Абсорбционная полоса является характерной для кристалла, А не для пара щелочного металла, / - полоса в KG1 не изменяется, если кристалл нагревать в паре натрия, а не в паре калия. Более того, возникает та же самая / - полоса, если стехиометрический кристалл облучать рентгеновским или другим видом ионизирующего излучения, которое создает свободные электроны. [30]

Страницы: 1 2 3